[發明專利]一種基板的制作方法及基板、顯示裝置有效
| 申請號: | 201810851225.6 | 申請日: | 2018-07-27 |
| 公開(公告)號: | CN109003944B | 公開(公告)日: | 2021-05-14 |
| 發明(設計)人: | 張震;安旭東;趙俊杰;趙廣洲 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/84 | 分類號: | H01L21/84;H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 制作方法 顯示裝置 | ||
1.一種基板的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括:
在襯底基板上形成第一導電圖案;
在形成有所述第一導電圖案的襯底基板上形成第一絕緣層,并通過半曝光掩膜工藝,在所述第一絕緣層中對應所述第一導電圖案的預設位置處形成盲孔,以形成第一絕緣圖案層;
在形成有所述第一絕緣圖案層的襯底基板上形成導電膜層,并通過刻蝕工藝,去除所述導電膜層中至少包括對應所述盲孔區域的部分,形成中間導電圖案的同時,將所述第一絕緣層在所述盲孔區域的厚度進一步減薄;
在形成有所述中間導電圖案的襯底基板上形成中間絕緣層,并通過曝光掩膜工藝,在所述中間絕緣層對應所述預設位置形成第二通孔,以形成中間絕緣圖案層;
去除形成有所述中間絕緣圖案層的襯底基板中,所述第一絕緣層中位于所述盲孔位置的部分,以形成第一通孔;
在形成有所述第一通孔的襯底基板上形成第二導電圖案,且所述第二導電圖案通過所述第一通孔和所述第二通孔直接與所述第一導電圖案接觸、且與所述中間導電圖案不接觸;
所述第二通孔的孔徑大于所述第一通孔的孔徑,且所述第一通孔和所述第二通孔貫通所形成的通孔的孔壁在所述第一絕緣圖案層和所述中間絕緣圖案層的交界面處具有臺階面。
2.根據權利要求1所述的基板的制作方法,其特征在于,
所述去除形成有所述中間絕緣圖案層的襯底基板中,所述第一絕緣層中位于所述盲孔位置的部分,以形成第一通孔包括:
采用灰化工藝,去除形成有所述中間絕緣圖案層的襯底基板中,所述第一絕緣層中位于所述盲孔位置的部分,以形成第一通孔。
3.根據權利要求1所述的基板的制作方法,其特征在于,
所述在形成有所述第一絕緣圖案層的襯底基板上形成導電膜層,并通過刻蝕工藝,去除所述導電膜層中至少包括對應所述盲孔區域的部分,形成中間導電圖案的同時,將所述第一絕緣層在所述盲孔區域的厚度進一步減薄包括:
所述在形成有所述第一絕緣圖案層的襯底基板上形成導電膜層,并通過干法刻蝕工藝,去除至少包括對應所述盲孔位置的膜層,以形成中間導電圖案的同時,將所述第一絕緣層在所述盲孔位置的厚度進一步減薄。
4.根據權利要求1所述的基板的制作方法,其特征在于,
所述去除形成有所述中間絕緣圖案層的襯底基板中,所述第一絕緣層中位于所述盲孔位置的部分,以形成第一通孔中;
所述第一絕緣層中位于所述盲孔位置的部分的厚度為20nm~50nm。
5.根據權利要求1-4任一項所述的基板的制作方法,其特征在于,所述第一絕緣層和所述中間絕緣層均為有機絕緣層。
6.一種基板,其特征在于,采用權利要求1-5任一項所述的制作方法制得。
7.根據權利要求6所述的基板,其特征在于,所述基板為陣列基板。
8.根據權利要求6所述的基板,其特征在于,所述基板為OLED陣列基板;
所述基板中的第一導電圖案為數據線,第二導電圖案為OLED的陽極。
9.一種基板,其特征在于,包括依次設置于襯底基板上的第一導電圖案、第一絕緣圖案層、中間導電圖案、中間絕緣圖案層、第二導電圖案;
其中,所述第二導電圖案通過位于所述第一絕緣圖案層、所述中間導電圖案、所述中間絕緣圖案層上的通孔直接與所述第一導電圖案連接、且與所述中間導電圖案不連接;
所述中間導電圖案在靠近所述通孔一側的邊界,到所述第一導電圖案位于該側的邊界之間的距離處于關鍵線偏差范圍內;
所述第一絕緣圖案層中的通孔為第一通孔,所述中間絕緣圖案層中的通孔為第二通孔;所述第二通孔的孔徑大于所述第一通孔的孔徑,且所述第一通孔和所述第二通孔貫通所形成的通孔的孔壁在所述第一絕緣圖案層和所述中間絕緣圖案層的交界面處具有臺階面。
10.一種顯示裝置,其特征在于,包括權利要求6-9任一項所述的基板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





