[發明專利]一種吸波型SiC納米線增強SiBCN復合陶瓷涂層及制備方法

在審

• 申請號: 201810851202.5
• 申請日: 2018-07-30
• 公開（公告）號: CN108947552A
• 公開（公告）日: 2018-12-07
• 發明（設計）人: 劉永勝;葉昉;秦海龍;成來飛
• 申請（專利權）人: 西北工業大學
• 主分類號: C04B35/80
• 分類號: C04B35/80;C04B35/58;C04B35/622
• 代理公司: 西北工業大學專利中心 61204
• 代理人: 王鮮凱

1.一種吸波型SiC納米線增強SiBCN復合陶瓷涂層，其特征在于：以SiBCN作為基體，以SiC納米線作為增強體；所述SiC納米線增強體為原位生長的SiC納米線。

2.一種制備權利要求1所述吸波型SiC納米線增強SiBCN復合陶瓷涂層的方法，其特征在于步驟如下：

步驟1：打磨SiBCN基底表面，使其具有一定粗糙度，隨后超聲清洗；

步驟2：將步驟1中得到的沉積基底放入SiC納米線沉積爐內，采用CH₃SiCl₃-H₂-Ar先驅氣體體系通過化學氣相滲透工藝在基底表面原位生長SiC納米線，形成界面；工藝參數為：氣體流量Q(H₂):Q(CH₃SiCl₃)＝20～60，Q(H₂):Q(Ar)＝2～5，爐內壓力保持在10～10000Pa，沉積溫度T＝900-1100℃，保溫時間t＝0.5～3h；

步驟3：將步驟2處理的基底懸掛于沉積爐中試樣架上，置于沉積爐等溫區中心位置，采用CH₃SiCl₃-BCl₃-NH₃-H₂-Ar先驅氣體體系通過CVD/CVI法在基底和SiC納米線表面沉積致密的SiBCN基體；工藝參數為：Q(H₂):Q(CH₃SiCl₃)＝5～25，Q(CH₃SiCl₃):Q(BCl₃+NH₃)＝0.5～3，Q(NH₃):Q(BCl₃+NH₃)＝0.1～0.9，Q(H₂):Q(Ar)＝2～5，爐內壓力保持在10～10000Pa，沉積溫度T＝700-1200℃，保溫時間t＝2～500h；完成SiC納米線增強SiBCN復合陶瓷涂層的制備。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于：重復步驟2多次實現多次沉積，得到SiC納米線增強體的不同含量。

4.根據權利要求2或3所述的方法，其特征在于：在步驟2中原位生長SiC納米線時，通過真空浸漬引入催化劑；所述催化劑為Fe、Co、Ni的氯化物或硝酸鹽的任意一種或多種組合物。

5.根據權利要求2或3所述的方法，其特征在于：在步驟2中原位生長SiC納米線時，通過磁控濺射噴涂貴金屬涂層催化劑。