[發(fā)明專利]具有差分存儲單元的隨機碼產生器及相關控制方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810851081.4 | 申請日: | 2018-07-27 |
| 公開(公告)號: | CN109671457B | 公開(公告)日: | 2020-07-28 |
| 發(fā)明(設計)人: | 林俊宏;盧俊宏;黃士展 | 申請(專利權)人: | 力旺電子股份有限公司 |
| 主分類號: | G11C16/04 | 分類號: | G11C16/04;G11C16/10;G11C17/16;G11C17/18 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 王珊珊 |
| 地址: | 中國臺灣新*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 存儲 單元 隨機 產生器 相關 控制 方法 | ||
1.一種隨機碼產生器,包括:
電源電路,提供供應電壓至節(jié)點;
差分存儲單元陣列,包括多個差分存儲單元,每個差分存儲單元包括兩個子存儲單元;其中,該差分存儲單元陣列還包括第一端點經由控制線連接至該節(jié)點、第二端點連接至字線、第三端點連接至第一比特線以及第四端點連接至第二比特線;
電壓檢測器,連接至該節(jié)點,以檢測該節(jié)點的節(jié)點電壓;
讀寫電路,連接至該第一比特線與該第二比特線;以及
控制電路,連接至該字線、該電源電路、該電壓檢測器與該讀寫電路;
其中,于注冊動作時,該電源電路將該供應電壓提供至該控制線,該讀寫電路提供接地電壓至該第一比特線與該第二比特線,該控制電路提供選擇電壓至該字線,用以注冊該差分存儲單元陣列中的選定存儲單元,使得該兩個子存儲單元中的一個被編程為開啟狀態(tài),且該兩個子存儲單元中的另一被抑制編程為斷開狀態(tài);以及
其中,該讀寫電路判斷該選定存儲單元的存儲狀態(tài),并作為隨機碼的一個比特。
2.如權利要求1所述的隨機碼產生器,其中該電源電路包括:
電壓源,輸出該供應電壓;
充電電路,包括開關與電容器,其中該開關的一端接收該供應電壓,該開關的另一端連接至該節(jié)點,該電容器連接于該節(jié)點,該節(jié)點連接至該控制線;
其中,于該注冊動作時,該開關短暫地閉合后被斷開,使得該電容器充電至該供應電壓并提供至該控制線。
3.如權利要求2所述的隨機碼產生器,其中當該節(jié)點電壓的電壓下降斜率不大于預設下降斜率時,該開關再次短暫地閉合后斷開,使得該電容器再次充電至該供應電壓。
4.如權利要求1所述的隨機碼產生器,其中該電源電路為限電流電路,該限電流電路可以將傳輸至該節(jié)點的電流約束在設定電流范圍。
5.如權利要求1所述的隨機碼產生器,其中該選定存儲單元包括:
第一子存儲單元,包括至少一個第一選擇晶體管與至少一個第一浮動柵極晶體管,其中該至少一個第一選擇晶體管的源極連接至該第一端點,該至少一個第一選擇晶體管的柵極連接至該第二端點,該至少一個第一選擇晶體管的漏極連接至該至少一個第一浮動柵極晶體管的源極,該至少一個第一浮動柵極晶體管的漏極連接至該第三端點,該至少一個第一浮動柵極晶體管的柵極是浮接的;以及
第二子存儲單元,包括至少一個第二選擇晶體管與至少一個第二浮動柵極晶體管,其中該至少一個第二選擇晶體管的源極連接至該第一端點,該至少一個第二選擇晶體管的柵極連接至該第二端點,該至少一個第二選擇晶體管的漏極連接至該至少一個第二浮動柵極晶體管的源極,該至少一個第二浮動柵極晶體管的漏極連接至該第四端點,該至少一個第二浮動柵極晶體管的柵極是浮接的;
其中,該第一子存儲單元中的該至少一個第一選擇晶體管與該至少一個第一浮動柵極晶體管與該第二子存儲單元中的該至少一個第二選擇晶體管與該至少一個第二浮動柵極晶體管的數量相等。
6.如權利要求1所述的隨機碼產生器,其中該選定存儲單元包括:
第一子存儲單元,包括至少一個第一選擇晶體管與至少一個第一反熔絲晶體管,其中該至少一個第一選擇晶體管的源極連接至該第三端點,該至少一個第一選擇晶體管的柵極連接至該第二端點,該至少一個第一選擇晶體管的漏極連接至該至少一個第一反熔絲晶體管的源極,該至少一個第一反熔絲晶體管的柵極連接至該第一端點,該至少一個第一反熔絲晶體管的漏極是浮接的;以及
第二子存儲單元,包括至少一個第二選擇晶體管與至少一個第二反熔絲晶體管,其中該至少一個第二選擇晶體管的源極連接至該第四端點,該至少一個第二選擇晶體管的柵極連接至該第二端點,該至少一個第二選擇晶體管的漏極連接至該至少一個第二反熔絲晶體管的源極,該至少一個第二反熔絲晶體管的柵極連接至該第一端點,該至少一個第二反熔絲晶體管的漏極是浮接的;
其中,該第一子存儲單元中的該至少一個第一選擇晶體管與該至少一個第一反熔絲晶體管與該第二子存儲單元中的該至少一個第二選擇晶體管與該至少一個第二反熔絲晶體管的數量相等。
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