[發明專利]一種增強型窄帶濾波器及其制造方法

在審

• 申請號: 201810847910.1
• 申請日: 2018-07-27
• 公開（公告）號: CN108712622A
• 公開（公告）日: 2018-10-26
• 發明（設計）人: 曹笈;法瓦茲·哈伯爾;孫英豪;劉鋼;許錦龍;劉文鵬;胡友德
• 申請（專利權）人: 江蘇集萃智能傳感技術研究所有限公司;蘇州解光語半導體科技有限公司
• 主分類號: H04N5/374
• 分類號: H04N5/374;H04N5/335
• 代理公司: 蘇州銘浩知識產權代理事務所(普通合伙) 32246
• 代理人: 朱斌兵

1.一種增強型窄帶濾波器,其特征在于：所述增強型窄帶濾波器包括自上而下依次設置的微型增強單元陣列、周期性立體微結構陣列以及CMOS配套處理芯片；所述周期性立體微結構陣列集成于所述CMOS配套處理芯片上。

2.根據權利要求1所述的增強型窄帶濾波器，其特征在于：所述微型增強單元陣列作用為增強入射電磁波的信號，所述微型增強單元陣列為周期性排列，并與所述周期性立體微結構陣列直接接觸或兩者之間設置有透波介質層。

3.根據權利要求1所述的增強型窄帶濾波器,其特征在于：所述微型增強單元陣列中增強單元俯視形狀包括但不限于：膜狀結構、圓形、四邊形及六邊形。

4.根據權利要求1所述的增強型窄帶濾波器,其特征在于：所述周期性立體微結構陣列包括多個周期性排列的像元陣列，每個像元陣列包含多個周期性排列的像元單元，每個像元單元包括多個周期性排列的像元，同一像元單元內的像元具有相同的幾何參數，所述幾何參數包括但不限于長度/半徑及縱/橫截面形狀。

5.根據權利要求4所述的增強型窄帶濾波器，其特征在于：所述微型增強單元陣列中的微型增強單元的尺寸可根據所述像元尺寸調整，覆蓋單個到多個像元。

6.根據權利要求4所述的增強型窄帶濾波器，其特征在于，所述周期性立體微結構陣列由一種材料構成，用于過濾入射電磁波特定波長信息。

7.根據權利要求6所述的增強型窄帶濾波器，其特征在于，所述CMOS配套處理芯片用于接收從所述周期性立體微結構陣列透射的電磁波信息并轉換成對應的電信號，并對所述電信號進行處理，所述處理包括但不限于：信號選擇、信號增強、信號儲存。

8.根據權利要求4所述的增強型窄帶濾波器，其特征在于，所述周期性立體微結構陣列由多種材料構成，所述周期性立體微結構陣列包括過濾單元陣列及電磁波轉換單元陣列，所述電磁波轉換單元陣列位于所述過濾單元陣列下方；所述過濾單元陣列用于過濾入射電磁波特定波長信息，所述電磁波轉換單元陣列用于吸收從所述過濾單元陣列透射的電磁波信息并轉換成對應的電信號。

9.根據權利要求8所述的增強型窄帶濾波器，其特征在于，所述CMOS配套處理芯片用于處理所述電信號，所述處理包括但不限于：信號選擇、信號增強、信號儲存。

10.如權利要求1-9任意一項所述的一種增強型窄帶濾波器的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：

（1）準備不包括濾波結構及疊加其上的任何結構的CMOS配套處理芯片半成品晶圓；

（2） 在所述CMOS配套處理芯片半成品晶圓表面制備微結構材料層，所述微結構材料層包括但不限于半導體材料層，所述制備方法包括但不限于：鍵合、外延的方法；

（3）對所述微結構材料層進行微加工，包括但不限于：光刻刻蝕方法；形成周期性立體微結構陣列，包括但不限于半球形制備過程包括但不限于：微結構材料層轉移法和光刻刻蝕法；

（4）在所述周期性立體微結構陣列上直接制備微型增強單元陣列后進行封裝、切割及測試；所述制備微型增強單元陣列方法包括但不限于：可塑性透波材料轉移法和微加工成型法。