[發(fā)明專利]一種發(fā)光二極管外延片及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810847767.6 | 申請日： | 2018-07-27 |
| 公開（公告）號： | CN109216519B | 公開（公告）日： | 2020-03-27 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 劉春楊;呂蒙普;胡加輝;李鵬 | 申請（專利權(quán)）人： | 華燦光電（浙江）有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/06 | 分類號： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/26;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 發(fā)光二極管 外延 及其 制造 方法 | ||
1.一種發(fā)光二極管外延片，所述發(fā)光二極管外延片包括襯底、以及依次層疊在所述襯底上的緩沖層、未摻雜的GaN層、N型層、多量子阱層、第一P型層、電子阻擋層和第二P型層，其特征在于，
所述第一P型層包括依次層疊在所述多量子阱層上的第一子層和第二子層，所述第一子層和所述第二子層均為摻Mg的GaN層，所述第一子層中Mg的摻雜濃度小于所述第二子層中Mg的摻雜濃度；
從靠近所述多量子阱層到遠(yuǎn)離所述多量子阱層的方向上，所述第一子層中的Mg的摻雜濃度逐漸升高。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管外延片，其特征在于，所述第一子層中Mg的摻雜濃度為1×1019～9×1019cm-3。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管外延片，其特征在于，所述第二子層中Mg的摻雜濃度為1×1020cm-3。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管外延片，其特征在于，所述第一子層的厚度為2～10nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管外延片，其特征在于，所述第二子層的厚度為20～30nm。
6.一種發(fā)光二極管外延片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
提供一襯底；
在所述襯底上依次生長緩沖層、未摻雜的GaN層、N型層、多量子阱層；
在所述多量子阱層上生長第一P型層，所述第一P型層包括依次層疊在所述多量子阱層上的第一子層和第二子層，所述第一子層和所述第二子層均為摻Mg的GaN層，所述第一子層中Mg的摻雜濃度小于所述第二子層中Mg的摻雜濃度，從靠近所述多量子阱層到遠(yuǎn)離所述多量子阱層的方向上，所述第一子層中的Mg的摻雜濃度逐漸升高；
在所述第一P型層上生長電子阻擋層和第二P型層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述在所述多量子阱層上生長第一P型層，包括：
在生長溫度為700～800℃，生長壓力為300～600torr的條件下，在所述多量子阱層上依次生長所述第一子層和所述第二子層。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述第一子層中Mg的摻雜濃度為1×1019～9×1019cm-3。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述第二子層中Mg的摻雜濃度為1×1020cm-3。
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