[發明專利]陣列基板及其制造方法、顯示面板和顯示裝置有效
| 申請號: | 201810847611.8 | 申請日: | 2018-07-27 |
| 公開(公告)號: | CN109003990B | 公開(公告)日: | 2020-11-03 |
| 發明(設計)人: | 譚莉;李小虎;王聽海;姜煒 | 申請(專利權)人: | 上海中航光電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77;G06F3/041 |
| 代理公司: | 北京晟睿智杰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人: | 于淼 |
| 地址: | 201100 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 及其 制造 方法 顯示 面板 顯示裝置 | ||
本發明公開了一種陣列基板及其制造方法、顯示面板和顯示裝置,包括:提供一基板;圖案化形成第一柵極金屬和第二柵極金屬;形成柵極絕緣層;圖案化有源層和歐姆接觸層形成第一有源層和第二有源層、第一歐姆接觸層和第二歐姆接觸層;圖案化第一透明導電層形成像素電極和保護層;形成第二金屬層;圖案化第二金屬層形成第一源極金屬、第一漏極金屬、第二源極金屬和第二漏極金屬;圖案化第二歐姆接觸層,暴露出第二有源層;圖案化第二絕緣層形成第一過孔和第一鏤空部;圖案化第二透明導電層至少形成公共電極、和連接端,同時圖案化保護層。壓力傳感器和開關組件可以同時使用非晶硅工藝制造,壓力傳感器中保留第一歐姆接觸層。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,更具體地,涉及一種陣列基板及其制造方法、顯示面板和顯示裝置。
背景技術
目前,帶有觸控功能的顯示面板作為一種信息輸入工具被廣泛應用于各種電子設備,例如,公共場所大廳的信息查詢機,用戶在日常生活工作中使用的電腦、手機等。為了更好的滿足用戶需求,通常在觸控顯示屏中設置有用于檢測用戶在觸摸觸控顯示屏過程中觸控壓力的壓力傳感器,一般壓力傳感器外掛于普通觸控屏中。
而更為輕薄的產品所采用的內嵌式壓力傳感技術是將壓力傳感器集成在觸控面板內部,一般由低溫多晶硅(LTPS)工藝實現,在非晶硅(a-Si)工藝上尚未實施。主要原因是LTPS可通過激光退火、離子注入等工藝,形成合適阻值的電阻,組成橋式電路壓力傳感器嵌入面板邊框區;而低溫多晶硅(LTPS)工藝制作工藝較為繁瑣。
陣列基板中一般包括多個薄膜晶體管,為了減少顯示面板的制作成本,薄膜晶體管和壓力傳感器采用非晶硅工藝同時制作。現有的非晶硅工藝過程中存在溝道刻蝕工藝,將薄膜晶體管中歐姆接觸層未與源漏極重疊的部分刻蝕掉,歐姆接觸層可降低壓力傳感器中電阻,如果壓力傳感器中歐姆接觸層未與源漏極重疊的部分也刻蝕掉的話,壓力傳感器的電阻過大,導致無法穩定測試、實現壓力傳感器的壓力觸控功能。
發明內容
有鑒于此,本發明提供了一種陣列基板及其制造方法、顯示面板和顯示裝置。
本發明提供了一種陣列基板的制造方法,包括:提供一基板;在基板上形成第一金屬層,圖案化第一金屬層形成第一柵極金屬和第二柵極金屬;在第一金屬層遠離基板的一側形成柵極絕緣層;在柵極絕緣層遠離基板的一側形成有源層和歐姆接觸層;圖案化有源層和歐姆接觸層形成第一有源層和第二有源層、第一歐姆接觸層和第二歐姆接觸層,在第一方向上,第一柵極金屬、第一有源層和第一歐姆接觸層依次堆疊,第二柵極金屬、第二有源層和第二歐姆接觸層依次堆疊,第一方向為垂直于基板的方向;在歐姆接觸層遠離基板的一側形成第一透明導電層;圖案化第一透明導電層形成像素電極和保護層,保護層位于第一歐姆接觸層遠離基板的一側;在第一透明導電層遠離基板的一側形成第二金屬層;圖案化第二金屬層形成第一源極金屬、第一漏極金屬、第二源極金屬和第二漏極金屬,在平行于基板的方向上,保護層位于第一源極金屬和第一漏極金屬之間,且第二歐姆接觸層位于第二源極金屬和第二漏極金屬之間,像素電極和第二源極金屬或第二漏極金屬電連接;圖案化第二歐姆接觸層,暴露出第二有源層;在第二金屬層遠離基板的一側形成第二絕緣層;圖案化第二絕緣層形成第一過孔和第一鏤空部,第一過孔暴露出第一源極金屬和第一漏極金屬,第一鏤空部暴露出第一透明導電層;在第二絕緣層遠離基板的一側形成第二透明導電層,第二透明導電層通過第一過孔和第一源極金屬和第一漏極金屬電連接;圖案化第二透明導電層至少形成公共電極、和與第一源極金屬和第一漏極金屬電連接的連接端,同時圖案化保護層;第一柵極金屬、第一有源層、第一歐姆接觸層、第一源極金屬和第一漏極金屬形成壓力傳感器的至少部分結構,第二柵極金屬、第二有源層、第二源極金屬和第二漏極金屬形成開關組件的至少部分結構。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





