[發(fā)明專利]電磁屏蔽膜、線路板及電磁屏蔽膜的制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810847383.4
• 申請(qǐng)日: 2018-07-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110769667A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-02-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蘇陟
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廣州方邦電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H05K9/00
• 分類號(hào): H05K9/00;H05K1/02;C09J7/29
• 代理公司: 44202 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司
• 代理人: 梁順宜;郝傳鑫

1.一種電磁屏蔽膜，其特征在于，包括依次層疊設(shè)置的第一屏蔽層、樹(shù)脂層、第二屏蔽層、第三屏蔽層和膠膜層，所述第二屏蔽層上設(shè)有貫穿其上下表面的第一通孔，所述第一通孔處設(shè)有樹(shù)脂凸起，所述樹(shù)脂凸起由所述樹(shù)脂層從所述第一通孔的一側(cè)流至另一側(cè)后凝固形成；所述第三屏蔽層設(shè)于所述第二屏蔽層靠近所述樹(shù)脂凸起的一側(cè)，并覆蓋所述樹(shù)脂凸起，從而在所述第三屏蔽層的外表面與所述樹(shù)脂凸起對(duì)應(yīng)的位置形成凸起部，且所述凸起部伸入所述膠膜層。

2.如權(quán)利要求1所述的電磁屏蔽膜，其特征在于，所述樹(shù)脂凸起由所述樹(shù)脂層在常溫下從所述第一通孔的一側(cè)流至另一側(cè)后，在固化溫度下凝固形成；或，

所述樹(shù)脂凸起由所述樹(shù)脂層在熔化溫度下從所述第一通孔的一側(cè)流至另一側(cè)后，經(jīng)瞬間冷卻形成。

3.如權(quán)利要求1所述的電磁屏蔽膜，其特征在于，所述凸起部的表面設(shè)有凸?fàn)畹膶?dǎo)體顆粒；所述導(dǎo)體顆粒的高度為0.1μm-30μm。

4.如權(quán)利要求1所述的電磁屏蔽膜，其特征在于，所述膠膜層包括含有導(dǎo)電粒子的黏著層；或，

所述膠膜層包括不含導(dǎo)電粒子的黏著層。

5.如權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的電磁屏蔽膜，其特征在于，所述第一屏蔽層上設(shè)有貫穿其上下表面的第二通孔。

6.如權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的電磁屏蔽膜，其特征在于，所述第一屏蔽層、第二屏蔽層和第三屏蔽層分別包括金屬屏蔽層、碳納米管屏蔽層、鐵氧體屏蔽層和石墨烯屏蔽層中的一種或多種。

7.如權(quán)利要求6所述的電磁屏蔽膜，其特征在于，所述金屬屏蔽層包括單金屬屏蔽層和/或合金屏蔽層；其中，所述單金屬屏蔽層由鋁、鈦、鋅、鐵、鎳、鉻、鈷、銅、銀和金中的任意一種材料制成，所述合金屏蔽層由鋁、鈦、鋅、鐵、鎳、鉻、鈷、銅、銀和金中的任意兩種或兩種以上的材料制成。

8.如權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的電磁屏蔽膜，其特征在于，每1cm²所述第二屏蔽層中的所述第一通孔的個(gè)數(shù)為10-1000個(gè)；和/或，所述第一通孔的橫截面面積為0.1μm²-1mm²。

9.如權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的電磁屏蔽膜，其特征在于，所述電磁屏蔽膜還包括保護(hù)膜層，所述保護(hù)膜層設(shè)于所述第一屏蔽層遠(yuǎn)離所述樹(shù)脂層的一側(cè)。

10.一種線路板，其特征在于，包括印刷線路板和權(quán)利要求1至9任意一項(xiàng)所述的電磁屏蔽膜，所述電磁屏蔽膜通過(guò)其膠膜層與所述印刷線路板相壓合；所述凸起部刺穿所述膠膜層，并延伸至所述印刷線路板的地層。

11.一種電磁屏蔽膜的制備方法，其特征在于，適用于制備權(quán)利要求1至9任一項(xiàng)所述的電磁屏蔽膜，包括步驟：

S1、形成第一屏蔽層；

S2、在所述第一屏蔽層的一側(cè)形成樹(shù)脂層；

S3、在所述樹(shù)脂層遠(yuǎn)離所述第一屏蔽層的一側(cè)形成第二屏蔽層；其中，所述第二屏蔽層具有貫穿其上下表面的第一通孔；

S4、使所述樹(shù)脂層從所述第一通孔的一側(cè)流至另一側(cè)后凝固，從而在所述第一通孔處形成樹(shù)脂凸起；其中，所述樹(shù)脂凸起伸出所述第一通孔；

S5、在所述第二屏蔽層靠近所述樹(shù)脂凸起的一側(cè)形成第三屏蔽層，并使所述第三屏蔽層覆蓋所述樹(shù)脂凸起，從而在所述第三屏蔽層的外表面與所述樹(shù)脂凸起對(duì)應(yīng)的位置形成凸起部；

S6、在所述第三屏蔽層遠(yuǎn)離所述第二屏蔽層的一側(cè)形成膠膜層。

12.如權(quán)利要求11所述的電磁屏蔽膜的制備方法，其特征在于，在所述第三屏蔽層遠(yuǎn)離所述第二屏蔽層的一側(cè)形成膠膜層前，還包括以下步驟：

通過(guò)物理打毛、化學(xué)鍍、物理氣相沉積、化學(xué)氣相沉積、蒸發(fā)鍍、濺射鍍、電鍍和混合鍍中的一種或多種工藝在所述凸起部的外表面形成導(dǎo)體顆粒。

13.如權(quán)利要求11所述的電磁屏蔽膜的制備方法，其特征在于，在步驟S6中，所述在所述第三屏蔽層遠(yuǎn)離所述第二屏蔽層的一側(cè)形成膠膜層，具體為：

在離型膜上涂布膠膜層，然后將所述膠膜層壓合轉(zhuǎn)移至第三屏蔽層遠(yuǎn)離所述第二屏蔽層的一側(cè)，從而在所述第三屏蔽層遠(yuǎn)離所述第二屏蔽層的一側(cè)形成膠膜層；或

直接在所述第三屏蔽層遠(yuǎn)離所述第二屏蔽層的一側(cè)涂布膠膜層，從而在所述第三屏蔽層遠(yuǎn)離所述第二屏蔽層的一側(cè)形成膠膜層。