[發(fā)明專利]圖像傳感器及其制造方法、身份識(shí)別裝置及設(shè)備在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810846913.3 | 申請(qǐng)日: | 2018-07-27 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108987422A | 公開(公告)日: | 2018-12-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王小明 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 深圳阜時(shí)科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/146 | 分類號(hào): | H01L27/146 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 518055 廣東省深圳市南山*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 光電二極管 成像光線 圖像傳感器 襯底 半導(dǎo)體 身份識(shí)別裝置 轉(zhuǎn)換成電信號(hào) 反射層 上表面 反射 光電技術(shù)領(lǐng)域 傳播路徑 相背設(shè)置 目標(biāo)物 下表面 申請(qǐng) 制造 穿過 | ||
本申請(qǐng)適用于光電技術(shù)領(lǐng)域,提供了一種圖像傳感器,其包括半導(dǎo)體襯底、光電二極管及反射層。所述半導(dǎo)體襯底包括相背設(shè)置的上表面及下表面。所述光電二極管形成在所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)部位于所述上表面的一側(cè)。所述光電二極管接收被一目標(biāo)物反射進(jìn)來的成像光線并將所接收的成像光線轉(zhuǎn)換成電信號(hào)。所述反射層設(shè)置在成像光線經(jīng)過所述光電二極管后的傳播路徑上,用于將穿過所述光電二極管而未被轉(zhuǎn)換成電信號(hào)的成像光線反射回所述光電二極管。本申請(qǐng)還提供一種圖像傳感器的制造方法、身份識(shí)別裝置及設(shè)備。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請(qǐng)屬于光電技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種圖像傳感器及其制造方法、身份識(shí)別裝置及設(shè)備。
背景技術(shù)
傳統(tǒng)圖像傳感器的結(jié)構(gòu)主要用于對(duì)可見光進(jìn)行成像,因可見光波長(zhǎng)相對(duì)較短,穿透光電二極管的深度較淺,大部分能被光電二極管吸收而轉(zhuǎn)換為電信號(hào)。然而,當(dāng)需要對(duì)波長(zhǎng)較長(zhǎng)的紅外或近紅外光進(jìn)行成像時(shí),往往會(huì)因紅外或近紅外光的穿透能力較強(qiáng),繞過光電二極管而無法被充分吸收并轉(zhuǎn)換為電信號(hào),從而導(dǎo)致傳統(tǒng)圖像傳感器對(duì)紅外或近紅外光成像時(shí)的量子效率(Quantum Efficiency,QE)較低,影響成像品質(zhì)。
發(fā)明內(nèi)容
本申請(qǐng)所要解決的技術(shù)問題在于提供一種圖像傳感器及其制造方法、身份識(shí)別裝置及設(shè)備,旨在能夠有效提高圖像傳感器對(duì)近紅外光的量子效應(yīng)。
本申請(qǐng)實(shí)施方式提供一種圖像傳感器,其包括半導(dǎo)體襯底、光電二極管及反射層。所述半導(dǎo)體襯底包括相背設(shè)置的上表面及下表面。所述光電二極管形成在所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)部位于所述上表面的一側(cè)。所述光電二極管接收被一目標(biāo)物反射進(jìn)來的成像光線并將所接收的成像光線轉(zhuǎn)換成電信號(hào)。所述反射層設(shè)置在成像光線經(jīng)過所述光電二極管后的傳播路徑上,用于將穿過所述光電二極管而未被轉(zhuǎn)換成電信號(hào)的成像光線反射回所述光電二極管。
在某些實(shí)施方式中,所述圖像傳感器還包括用于隔離相鄰光電二極管的隔離結(jié)構(gòu)。所述隔離結(jié)構(gòu)包括形成在所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)部且圍繞每個(gè)光電二極管設(shè)置的溝槽。
在某些實(shí)施方式中,所述隔離結(jié)構(gòu)沿其自身延伸方向的橫截面為倒三角形。且所述倒三角形的內(nèi)部寬度從所述上表面至所述下表面逐漸減少。
在某些實(shí)施方式中,所述隔離結(jié)構(gòu)沿其自身延伸方向的橫截面為長(zhǎng)方形。
在某些實(shí)施方式中,所述長(zhǎng)方形的縱橫比大于等于10比1,且小于等于100比1。
在某些實(shí)施方式中,所述隔離結(jié)構(gòu)沿其自身延伸方向的橫截面為倒置的梯形。
在某些實(shí)施方式中,所述隔離結(jié)構(gòu)的溝槽自上表面向下表面進(jìn)行延伸,并延伸至與下表面接觸。
在某些實(shí)施方式中,所述溝槽內(nèi)設(shè)置有填充材料,所述填充材料為介電材料。
在某些實(shí)施方式中,所述隔離結(jié)構(gòu)的內(nèi)表面上設(shè)置有反射層。
在某些實(shí)施方式中,所述反射層設(shè)置在所述下表面上并朝向所述光電二極管。
在某些實(shí)施方式中,所述圖像傳感器還包括一個(gè)支撐結(jié)構(gòu)。所述支撐結(jié)構(gòu)設(shè)置在整個(gè)半導(dǎo)體襯底的下表面所在的一側(cè),用于提高所述圖像傳感器的機(jī)械強(qiáng)度。
在某些實(shí)施方式中,所述反射層材料為具有較高的紅外或近紅外光反射率的材料。
本申請(qǐng)實(shí)施方式還提供一種圖像傳感器的制造方法,其包括如下步驟:
提供一半導(dǎo)體襯底,所述半導(dǎo)體襯底包括相對(duì)設(shè)置的上表面及下表面,在所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)部位于所述上表面的一側(cè)形成多個(gè)光電二極管;及
在所述下表面設(shè)置一反射層,以將穿過所述光電二極管而未被轉(zhuǎn)換成電信號(hào)的成像光線反射回所述光電二極管。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





