[發(fā)明專利]柵極驅(qū)動電路及其制作方法、驅(qū)動方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810846883.6 | 申請日： | 2018-07-27 |
| 公開（公告）號： | CN108877658B | 公開（公告）日： | 2020-06-02 |
| 發(fā)明（設計）人： | 朱健超;劉利賓 | 申請（專利權(quán)）人： | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號： | G09G3/3208 | 分類號： | G09G3/3208;G11C19/28 |
| 代理公司： | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 柵極 驅(qū)動 電路 及其 制作方法 方法 | ||
1.一種柵極驅(qū)動電路，其特征在于，包括至少一級待補償移位寄存器單元，每級所述待補償移位寄存器單元的驅(qū)動端與對應待補償行像素的柵線相連，且每級所述待補償移位寄存器單元的驅(qū)動端還通過寄生補償單元與電源線相連；
所述寄生補償單元用于向?qū)拇a償移位寄存器單元的驅(qū)動端補償寄生電容和/或寄生電阻，以使得各級所述待補償移位寄存器單元具有相同的驅(qū)動負載。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柵極驅(qū)動電路，其特征在于，所述柵極驅(qū)動電路還包括與所述至少一級待補償移位寄存器單元級聯(lián)的基準移位寄存器單元，所述基準移位寄存器單元的驅(qū)動端分別與所述電源線以及對應基準行像素的柵線相連；所述基準行像素的像素單元數(shù)目大于或小于所述待補償行像素的像素單元數(shù)目。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的柵極驅(qū)動電路，其特征在于，
所述寄生補償單元用于向?qū)拇a償移位寄存器單元的驅(qū)動端補償寄生電容時，所述寄生補償單元包括至少一個補償電容；
所述寄生補償單元用于向?qū)拇a償移位寄存器單元的驅(qū)動端補償寄生電阻時，所述寄生補償單元包括至少一個補償電阻或至少一個薄膜晶體管；
所述寄生補償單元用于向?qū)拇a償移位寄存器單元的驅(qū)動端補償寄生電容和寄生電阻時，所述寄生補償單元包括由至少一個補償電容和至少一個補償電阻串并聯(lián)構(gòu)成的負載電路；或，所述寄生補償單元包括由至少一個補償電容和至少一個薄膜晶體管串并聯(lián)構(gòu)成的負載電路。
4.一種柵極驅(qū)動電路的制作方法，其特征在于，包括：
獲取基準行像素以及各行待補償行像素所產(chǎn)生的柵極寄生；
根據(jù)每行待補償行像素與所述基準行像素之間柵極寄生的差值，確定與各行所述待補償行像素對應連接的各級待補償移位寄存器單元所需補償?shù)募纳娙莺?或寄生電阻；
根據(jù)各級所述待補償移位寄存器單元所需補償?shù)募纳娙莺?或寄生電阻，確定與各級所述待補償移位寄存器單元對應的各寄生補償單元的結(jié)構(gòu)，并將各所述寄生補償單元分別串接在電源線和對應的待補償移位寄存器單元的驅(qū)動端之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的柵極驅(qū)動電路的制作方法，其特征在于，所述寄生補償單元包括薄膜晶體管；所述確定與各級所述待補償移位寄存器單元對應的各寄生補償單元的結(jié)構(gòu)的步驟，還包括：確定與各級所述待補償移位寄存器單元對應的薄膜晶體管的溝道寬長比。
6.一種柵極驅(qū)動電路的驅(qū)動方法，其特征在于，應用于如權(quán)利要求1-3任一項所述的柵極驅(qū)動電路，所述柵極驅(qū)動電路的驅(qū)動方法包括：
在各級待補償移位寄存器單元向?qū)拇a償行像素的柵線輸出驅(qū)動信號的同時，利用各寄生補償單元向?qū)拇a償移位寄存器單元補償寄生電容和/或寄生電阻，以使得各級所述待補償移位寄存器單元具有相同的驅(qū)動負載。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的柵極驅(qū)動電路的驅(qū)動方法，其特征在于，
至少兩行待補償行像素的像素單元數(shù)目相同時，向所述至少兩行待補償行像素對應的待補償移位寄存器單元補償?shù)募纳娙莺?或寄生電阻相同。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的柵極驅(qū)動電路的驅(qū)動方法，其特征在于，
在所述待補償移位寄存器單元向?qū)拇a償行像素的柵線輸出驅(qū)動信號之前，所述柵極驅(qū)動電路的驅(qū)動方法還包括：
從各行行像素中選取像素單元數(shù)目最多或最少的行像素作為基準行像素，并將像素單元數(shù)目與所述基準行像素中像素單元數(shù)目不同的行像素作為待補償行像素；用于驅(qū)動所述基準行像素的基準移位寄存器單元不需要補償寄生電容和/或寄生電阻。
9.一種陣列基板，包括顯示區(qū)和非顯示區(qū)，其特征在于，所述非顯示區(qū)設有如權(quán)利要求1-3任一項所述的柵極驅(qū)動電路。
10.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求9所述的陣列基板。
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