[發明專利]掩模板及其制作方法、封裝設備有效
| 申請號: | 201810845859.0 | 申請日: | 2018-07-27 |
| 公開(公告)號: | CN108998773B | 公開(公告)日: | 2023-08-18 |
| 發明(設計)人: | 晏利瑞 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/04 | 分類號: | C23C16/04 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人: | 許靜;張博 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 模板 及其 制作方法 封裝 設備 | ||
本發明提供了一種掩模板及其制作方法、封裝設備,屬于顯示技術領域。其中,掩模板,包括掩模板框架和焊接在所述掩模板框架上的掩模條,所述掩模條包括與用以與所述掩模板框架焊接的第一部分和除所述第一部分外的第二部分,所述第一部分的厚度小于所述第二部分的厚度。本發明的技術方案能夠提高掩模板框架的良率和使用壽命,降低CVD工藝成本。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,特別是指一種掩模板及其制作方法、封裝設備。
背景技術
在柔性OLED(有機電致發光二極管)器件的封裝工藝中,CVD(化學氣相淀積)Mask(掩模板)是最重要的一個器件之一,而Mask的耗費也在CVD工藝成本占了極大的比重,如何降低Mask的耗費成為函待解決的問題。
發明內容
本發明要解決的技術問題是提供一種掩模板及其制作方法、封裝設備,能夠提高掩模板框架的良率和使用壽命,降低CVD工藝成本。
為解決上述技術問題,本發明的實施例提供技術方案如下:
一方面,提供一種掩模板,包括掩模板框架和焊接在所述掩模板框架上的掩模條,所述掩模條包括與用以與所述掩模板框架焊接的第一部分和除所述第一部分外的第二部分,所述第一部分的厚度小于所述第二部分的厚度。
進一步地,所述第一部分包括相背的第一表面和第二表面,所述第二部分包括相背的第一表面和第二表面,所述第一部分的第一表面焊接在所述掩模板框架上,所述第二部分的第一表面凸出于所述第一部分的第一表面。
進一步地,所述第一部分的第二表面與所述第二部分的第二表面齊平。
進一步地,所述第一部分的厚度比所述第二部分的厚度小50-100um。
本發明實施例還提供了一種掩模板的制作方法,包括:
提供待焊接的掩模條和掩模板框架,所述掩模條包括用以與所述掩模板框架焊接的第一部分和除所述第一部分外的第二部分;
減薄所述掩模條的第一部分的厚度;
將所述掩模條的第一部分焊接到所述掩模板框架上。
進一步地,所述減薄所述掩模條的第一部分的厚度包括:
在所述掩模條的第一表面上涂覆光刻膠,對所述光刻膠進行曝光顯影后形成光刻膠去除區域和光刻膠保留區域,所述光刻膠去除區域對應所述第一部分,所述光刻膠保留區域對應所述第二部分;
刻蝕掉所述第一部分的一部分。
進一步地,所述將所述掩模條的第一部分焊接到所述掩模板框架上包括:
將所述第一部分的第一表面焊接在所述掩模板框架上。
進一步地,所述第一部分被刻蝕掉的部分的厚度為50-100um。
本發明實施例還提供了一種封裝設備,包括如上所述的掩模板。
本發明的實施例具有以下有益效果:
上述方案中,掩模板包括掩模板框架和焊接在所述掩模板框架上的掩模條,所述掩模條包括與用以與所述掩模板框架焊接的第一部分和除所述第一部分外的第二部分,所述第一部分的厚度小于所述第二部分的厚度,這樣在掩模板總厚度不變、同時不影響掩膜條主體部分厚度的情況下,可以提高掩模板框架的厚度,掩模板框架厚度的提高能夠增加掩模板框架制作過程中的良率,并且可以讓掩模板框架在同樣的打磨工藝下有更多的重復利用次數,從而可以提高掩模板框架的使用壽命,降低CVD工藝成本。
附圖說明
圖1為現有掩模板的結構示意圖;
圖2為本發明實施例掩模板的結構示意圖。
附圖標記
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- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





