[發(fā)明專利]大功率3D集成式三相EMI濾波器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810845164.2 | 申請(qǐng)日: | 2018-07-27 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN108880207B | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-04-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 鄭峰;崔夢(mèng)珂;張強(qiáng);趙曉凡 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 西安電子科技大學(xué);趙曉凡 |
| 主分類號(hào): | H02M1/12 | 分類號(hào): | H02M1/12;H01F27/08;H01F27/24;H01F27/28;H01F27/32;H01G4/005;H01G4/12 |
| 代理公司: | 陜西電子工業(yè)專利中心 61205 | 代理人: | 王品華;朱紅星 |
| 地址: | 710071 陜*** | 國(guó)省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 大功率 集成 三相 emi 濾波器 | ||
1.一種大功率3D集成式三相EMI濾波器,包括三相平面型共模電感(1)和三個(gè)平板型共模電容(2),其特征在于:
所述三相平面型共模電感(1),包括上下重疊的四層平面磁芯(11a,11b,11c,11d)、上下分離的兩組三相水平繞組(12a,12b)、三相豎直繞組(13)和陶瓷基板(14),四層平面磁芯上打有兩排同心孔;第一組三相水平繞組(12a)位于第一平面磁芯(11a)的上表面,第二組三相水平繞組(12b)位于第四平面磁芯(11d)的下表面,三相豎直繞組(13)位于四層平面磁芯的通孔中,使得繞組與磁芯相互包圍;磁芯與繞組之間、繞組與繞組之間均通過(guò)絕緣陶瓷基板(14)隔離;
所述三個(gè)平板型共模電容(2)結(jié)構(gòu)相同,每個(gè)電容包括介質(zhì)材料(21)、絕緣支撐(22)和沖壓式導(dǎo)體層(23);介質(zhì)材料(21)夾在兩層沖壓式導(dǎo)體層(23)中間,并通過(guò)沖壓式導(dǎo)體層上的凸起彈片彈性壓接,該凸起彈片與介質(zhì)材料表面噴涂的導(dǎo)電鍍層相接觸實(shí)現(xiàn)電氣連接,絕緣支撐(22)置于兩層沖壓式導(dǎo)體(23)中間,且在絕緣支撐(22)上固定有介質(zhì)材料(21);這三個(gè)平板型共模電容(2)疊層貼在三相平面型共模電感(1)的側(cè)面,并通過(guò)沖壓式導(dǎo)體層(23)與三相平面型共模電感(1)實(shí)現(xiàn)電氣連接,形成3D互聯(lián)架構(gòu)。
2.如權(quán)利要求1所述的濾波器,其特征在于,所述四層平面磁芯(11a,11b,11c,11d)分別采用具有不同特性的軟磁性材料,且各層根據(jù)設(shè)計(jì)需求以任意方式進(jìn)行排列組合。
3.如權(quán)利要求1所述的濾波器,其特征在于,所述上下分離的兩組三相水平繞組(12)與所述三相豎直繞組(13),在第一平面磁芯(11a)上表面和第四平面磁芯(11d)下表面的各個(gè)通孔位置處,每一相各自對(duì)應(yīng)進(jìn)行連接。
4.如權(quán)利要求1所述的濾波器,其特征在于,所述的陶瓷基板(14),包括豎直部分(141)和上下分離的兩組水平部分(142a,142b),豎直部分(141)為套在三相豎直繞組(13)上的管狀殼體,第一組水平部分(142a)為開(kāi)有凹槽的平板型結(jié)構(gòu),疊層放置于第一平面磁芯(11a)上表面,第一組三相水平繞組(12a)嵌在該凹槽內(nèi),第二組水平部分(142b)也為開(kāi)有凹槽的平板型結(jié)構(gòu),疊層放置于第四平面磁芯(11d)下表面,第二組三相水平繞組(12b)嵌在該凹槽內(nèi)。
5.如權(quán)利要求1所述的濾波器,其特征在于,每個(gè)電容的介質(zhì)材料(21)均采用介電常數(shù)在3000~6000的鈦酸鋇材料,且在鈦酸鋇材料表面噴涂有導(dǎo)電鍍層。
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H02M 用于交流和交流之間、交流和直流之間、或直流和直流之間的轉(zhuǎn)換以及用于與電源或類似的供電系統(tǒng)一起使用的設(shè)備;直流或交流輸入功率至浪涌輸出功率的轉(zhuǎn)換;以及它們的控制或調(diào)節(jié)
H02M1-00 變換裝置的零部件
H02M1-02 .專用于在靜態(tài)變換器內(nèi)的放電管產(chǎn)生柵極控制電壓或引燃極控制電壓的電路
H02M1-06 .非導(dǎo)電氣體放電管或等效的半導(dǎo)體器件的專用電路,例如閘流管、晶閘管的專用電路
H02M1-08 .為靜態(tài)變換器中的半導(dǎo)體器件產(chǎn)生控制電壓的專用電路
H02M1-10 .具有能任意地用不同種類的電流向負(fù)載供電的變換裝置的設(shè)備,例如用交流或直流
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