[發(fā)明專利]一種QFN指紋識別芯片的封裝方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810842406.2 | 申請日: | 2018-07-27 |
| 公開(公告)號: | CN109037084A | 公開(公告)日: | 2018-12-18 |
| 發(fā)明(設計)人: | 陶軍峰;熊偉;李越;付雷雷;熊輝;沈國強;劉仁琦 | 申請(專利權)人: | 星科金朋半導體(江陰)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56;H01L21/48 |
| 代理公司: | 南京經(jīng)緯專利商標代理有限公司 32200 | 代理人: | 趙華 |
| 地址: | 214434 江蘇省無錫*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 封裝 指紋識別芯片 引線框架 加強膜 連筋 裝載 半導體芯片封裝 毛刺 等離子清洗 打印標記 工藝步驟 切割成型 銀漿固化 半切割 后固化 烘烤 殘膠 打線 減薄 揭除 良率 塑封 打磨 背面 封面 芯片 測試 | ||
1.一種QFN指紋識別芯片的封裝方法,其特征在于,其工藝包括如下步驟:
步驟一、引線框架背面貼裝載膜;
步驟二、QFN指紋識別芯片通過銀漿黏貼于步驟一中的引線框架芯片座上,QFN指紋識別芯片的鋁墊就近設置于金手指Ⅰ的一側;
步驟三、銀漿固化,加固QFN指紋識別芯片與引線框架的連接;
步驟四、等離子清洗去除引線框架金屬表面氧化物和污染物;
步驟五、用焊線對QFN指紋識別芯片和引線框架的金手指、接地焊接平臺進行打線鍵合;
步驟六、在引線框架的表面采用模壓成型工藝塑封上述QFN指紋識別芯片和焊線以及引線框架,形成條狀產(chǎn)品及其塑封面;
步驟七、烘烤后剝離條狀產(chǎn)品背面的裝載膜;
步驟八、將完成塑封又剝離裝載膜的條狀產(chǎn)品進行后固化,并釋放條狀產(chǎn)品內部應力;
步驟九、條狀產(chǎn)品烘烤后,使用樹脂刀片對金手指所在的連筋進行半切割工藝,形成引腳;
步驟十、將半切割產(chǎn)生的毛刺進行打磨;
步驟十一、采用堿性化學除膠劑去除條狀產(chǎn)品的殘膠,再用高壓水沖洗;
步驟十二、將條狀產(chǎn)品依次疊放形成復數(shù)迭,層層疊放,再用不小于條狀產(chǎn)品面積的鋼板上下隔開,其最上方用壓塊將條狀產(chǎn)品壓平,進烘箱恒溫烘烤;
步驟十三、條狀產(chǎn)品使用研磨設備根據(jù)客戶粗糙度要求對塑封面進行減薄并研磨,形成研磨面;
步驟十四、在研磨面進行加強膜的貼膜工藝;
步驟十五、對引線框架上的引腳表面進行鍍錫;
步驟十六、切斷引線框架的連筋;
步驟十七、對條狀產(chǎn)品進行條狀測試;
步驟十八、在條狀產(chǎn)品的背面鐳射打印信息標記;
步驟十九、條狀產(chǎn)品烘烤后,將研磨面的加強膜揭除;
步驟二十、通過激光切割將條狀產(chǎn)品切割成復數(shù)個單顆封裝體。
2.根據(jù)權利要求1所述的QFN指紋識別芯片的封裝方法,其特征在于,步驟一中,所述裝載膜包括釋緩層、粘結層與基本層,所述粘結層的材料為改進的聚酰亞胺材料,其粘度范圍高于20N/cm,貼膜溫度范圍190~200℃,20℃時拉伸強度為200MPa,200℃時大于100MPa。
3.根據(jù)權利要求1所述的QFN指紋識別芯片的封裝方法,其特征在于,步驟二中,還包括在QFN指紋識別芯片的鋁墊的一側的芯片座11的邊緣涂抹銀漿,形成一字形的接地焊接平臺,同時,金手指Ⅰ的待打線區(qū)域也涂抹銀漿。
4.根據(jù)權利要求1所述的QFN指紋識別芯片的封裝方法,其特征在于,步驟二中,所述芯片黏貼參數(shù):<1> 芯片貼合時間(bond time):50~150毫秒,<2> 芯片貼合力(bond force):0.5~1牛頓,<3> 芯片位置(die placement):+/-30微米,<4> 銀漿爬坡高度:小于75%芯片厚度。
5.根據(jù)權利要求1所述的QFN指紋識別芯片的封裝方法,其特征在于,步驟三中,還包括引線框架的芯片座事先進行的噴砂處理,具體為:
將整條引線框架的正面貼耐高溫保護膠帶,僅露出芯片座,將引線框架整齊地平行排布在噴砂治具上并固定,所述耐高溫保護膠帶由硅橡膠粘合玻璃纖維布而成,底層涂有高溫特質硅膠,能耐受500~800度高溫,并且撕除后不留殘膠;
再將攜帶有引線框架的噴砂治具輸送至噴砂設備中,加熱5~10分鐘,溫度升至400oC~450oC,使引線框架的硬度變化到最初始硬度的80%;
采用200#剛玉粉末,在一定的壓力與速度的條件下,撞擊引線框架的芯片座的表面,形成各項異性的粗糙表面,其表面粗糙度Ra:6~20微米。
6.根據(jù)權利要求1所述的QFN指紋識別芯片的封裝方法,其特征在于,步驟四中,采用氬氣(Ar)和氫氣(H2)作為清洗氣體,所述等離子清洗需要兩個工步:第一步:功率:600watt,時間:10s;第二步:功率:300 watt,時間:15s。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





