[發(fā)明專利]非互補有源鉗位反激變換器的控制器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810840273.5
• 申請日: 2018-07-27
• 公開（公告）號: CN108933533B
• 公開（公告）日: 2019-08-23
• 發(fā)明（設計）人: 於昌虎;肖華;曾正球
• 申請（專利權）人: 深圳南云微電子有限公司;廣州金升陽科技有限公司
• 主分類號: H02M3/335
• 分類號: H02M3/335
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種非互補有源鉗位反激變換器的控制器，包括頻率控制單元、脈寬控制單元、時序控制單元和驅動單元，所述頻率控制單元,根據(jù)反饋電壓控制主開關管的頻率；所述脈寬控制單元，根據(jù)反饋電壓和電流峰值檢測信號，實現(xiàn)主開關管的峰值電流模式控制，給出主開關管的關斷信號；所述時序控制單元，通過驅動單元給出主開關管M_P的驅動信號G_M_P和鉗位管M_A的驅動信號G_M_A，其特征在于：采用多模式控制方式，還包括波峰檢測單元和模式判斷單元，

所述波峰檢測單元，檢測主開關管漏端的振蕩電壓的波峰，在變換器的非互補模式下，控制鉗位管在波谷開通；鉗位管的關斷由內部設定的導通時間確定；

所述模式判斷單元，根據(jù)反饋電壓與設定的轉換閾值的比較結果信號給出模式轉換信號到時序控制單元；模式轉換信號是在非互補模式、斷續(xù)模式及跳頻模式之間依序跳轉的轉換信號，各模式轉換信號通過四個轉換閾值來產生，四個轉換閾值即非互補模式的低限閾值電壓V_ATD、非互補模式的高限閾值電壓V_DTA、斷續(xù)模式的低限閾值電壓V_BL和斷續(xù)模式的高限閾值電壓V_BH，

當反饋電壓低于非互補模式的低限閾值電壓V_ATD時，第一模式轉換信號控制變換器由非互補模式跳轉為斷續(xù)模式，以屏蔽鉗位管的開通；當反饋電壓低于斷續(xù)模式的低限閾值電壓V_BL時，第二模式轉換信號控制變換器由斷續(xù)模式跳轉為跳頻模式；

當反饋電壓高于斷續(xù)模式的高限閾值電壓V_BH時，第三模式轉換信號控制變換器由跳頻模式恢復為斷續(xù)模式；當反饋電壓高于非互補模式的高限閾值電壓V_DTA時，第四模式轉換信號控制變換器由斷續(xù)模式恢復為非互補模式。

2.根據(jù)權利要求1所述的非互補有源鉗位反激變換器的控制器，其特征在于：所述各模式轉換信號的產生過程，包括一跳轉延時，跳轉延時的時長為主開關管漏端的振蕩電壓的3/4個周期；跳轉延時的時間設置，通過電流源給電容充電至施密特觸發(fā)器的正向閾值電壓來實現(xiàn)。

3.根據(jù)權利要求1或2所述的非互補有源鉗位反激變換器的控制器，其特征在于：所述模式判斷單元，包括第二電流源、第二PMOS管、第二NMOS管、第四開關、第五開關、第四比較器、第四電容、第二施密特觸發(fā)器、第二反相器、第三反相器、第三電流源、第三PMOS管、第三NMOS管、第六開關、第七開關、第五比較器、第五電容、第三施密特觸發(fā)器、第四反相器和第五反相器；所述第二電流源的輸入端接內部電源V_CC，輸出端接第二PMOS管的源端；所述第二PMOS管的柵端接第二NMOS管的柵端和第四比較器的輸出端，其漏端接第二NMOS管的漏端、第四電容的上極板和第二施密特觸發(fā)器的輸入端；所述第二NMOS管的源端接地；所述第四電容的下極板接地；所述第四比較器的正向輸入端接反饋信號FB，負向輸入端接第四開關的一端和第五開關的一端；所述第四開關的另一端接模式轉換閾值V_ATD，控制端接第二施密特觸發(fā)器的輸出端；所述第五開關的另一端接模式轉換閾值V_DTA，控制端接第二反相器的輸出端；所述第二施密特觸發(fā)器的輸出端還接第二反相器的輸入端，第二反相器的輸出端還接第三反相器的輸入端；所述第三反相器的輸出端作為第一模式轉換信號輸出端，用于輸出第一對模式轉換信號；所述第三電流源的輸入端接內部電源V_CC，輸出端接第三PMOS管的源端；所述第三PMOS管的柵端接第三NMOS管的柵端和第五比較器的輸出端，其漏端接第三NMOS管的漏端、第五電容的上極板和第三施密特觸發(fā)器的輸入端；所述三NMOS管的源端接地；所述第五電容的下極板接地；所述第五比較器的正向輸入端接反饋信號FB，負向輸入端接第六開關的一端和第七開關的一端；所述第六開關的另一端接模式轉換閾值V_BL，控制端接第三施密特觸發(fā)器的輸出端；所述第七開關的另一端接模式轉換閾值V_BH，控制端接第四反相器的輸出端；所述第三施密特觸發(fā)器的輸出端還接第四反相器的輸入端，第四反相器的輸出端還接第五反相器的輸入端；所述第五反相器的輸出端作為第二模式轉換信號輸出端，用于輸出第二對模式轉換信號。