[發(fā)明專利]OLED顯示面板及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810839917.9 | 申請(qǐng)日: | 2018-07-27 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN109192753B | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-03-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 黃輝 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | TCL華星光電技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/32 | 分類號(hào): | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳市銘粵知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44304 | 代理人: | 孫偉峰 |
| 地址: | 518132 廣東*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | oled 顯示 面板 及其 制備 方法 | ||
1.一種OLED顯示面板,包括TFT基板和位于TFT基板上的OLED顯示器件,其特征在于,所述OLED顯示器件包括依次設(shè)置在所述TFT基板上的陽(yáng)極層、有機(jī)發(fā)光層以及陰極層,所述OLED顯示器件還包括像素限定層,所述像素限定層在所述OLED顯示器件中限定出多個(gè)主像素單元和對(duì)應(yīng)于每一個(gè)所述主像素單元的輔助子像素;所述OLED顯示面板還包括設(shè)置于所述OLED顯示器件上的蓋板,所述蓋板上對(duì)應(yīng)于所述輔助子像素設(shè)置有量子點(diǎn)層,所述量子點(diǎn)層在受到所述輔助子像素發(fā)出的光線激發(fā)后發(fā)光,補(bǔ)償所述主像素單元發(fā)出的光,各個(gè)所述輔助子像素能夠分別獨(dú)立地控制。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述主像素單元包括紅色子像素、綠色子像素和藍(lán)色子像素,所述量子點(diǎn)層在受到所述輔助子像素發(fā)出的光線激發(fā)后發(fā)出藍(lán)光,補(bǔ)償所述藍(lán)色子像素發(fā)出的光。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述輔助子像素設(shè)置為發(fā)出藍(lán)光,所述量子點(diǎn)層設(shè)置為在受到藍(lán)光激發(fā)后發(fā)出藍(lán)光。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述紅色子像素、所述綠色子像素、所述藍(lán)色子像素以及所述輔助子像素的大小相等。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述輔助子像素與所述藍(lán)色子像素相鄰設(shè)置。
6.根據(jù)權(quán)利要求2-5任一所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述蓋板上對(duì)應(yīng)于所述主像素單元設(shè)置有彩色濾光層,所述彩色濾光層包括對(duì)應(yīng)于所述紅色子像素的紅色光阻、對(duì)應(yīng)于所述綠色子像素的綠色光阻以及對(duì)應(yīng)于所述藍(lán)色子像素的藍(lán)色光阻。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述量子點(diǎn)層為通過(guò)噴墨打印工藝將無(wú)機(jī)量子點(diǎn)材料打印至所述蓋板上形成的膜層。
8.一種如權(quán)利要求1-7任一所述的OLED顯示面板的制備方法,其特征在于,包括步驟:
S1、提供一個(gè)TFT基板,在所述TFT基板上制作OLED顯示器件,所述OLED顯示器件包括依次設(shè)置在所述TFT基板上的陽(yáng)極層、有機(jī)發(fā)光層以及陰極層,所述OLED顯示器件還包括像素限定層,所述像素限定層在所述OLED顯示器件中限定出多個(gè)主像素單元和對(duì)應(yīng)于每一個(gè)所述主像素單元的輔助子像素;
S2、制作一個(gè)蓋板,所述蓋板上對(duì)應(yīng)于所述輔助子像素設(shè)置有量子點(diǎn)層;
S3、將所述蓋板封裝于所述OLED顯示器件上,獲得所述OLED顯示面板。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的OLED顯示面板的制備方法,其特征在于,所述步驟S1中,在所述TFT基板上通過(guò)噴墨打印工藝制作所述OLED顯示器件的陽(yáng)極層、有機(jī)發(fā)光層以及陰極層;
所述步驟S2中,在所述蓋板上通過(guò)噴墨打印工藝制作所述量子點(diǎn)層。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





