[發明專利]基于建模仿真的SiP器件電源完整性評價方法和裝置

有效

• 申請號: 201810839613.2
• 申請日: 2018-07-27
• 公開（公告）號: CN109063318B
• 公開（公告）日: 2022-10-21
• 發明（設計）人: 徐上九;王建國;王彤;祝名;張磊;張偉
• 申請（專利權）人: 中國空間技術研究院
• 主分類號: G06F30/398
• 分類號: G06F30/398
• 代理公司: 中國航天科技專利中心 11009
• 代理人: 陳鵬

1.一種基于建模仿真的SiP器件電源完整性評價方法，其特征在于，包括：

獲取所述SiP器件的設計參數和工藝參數，其中，所述SiP器件為航天器用SiP器件；

根據所述設計參數和工藝參數，確定所述SiP器件的三維模型；

獲取所述SiP器件需要仿真的電源參數，根據所述電源參數和所述三維模型，利用仿真軟件對所述SiP器件進行直流壓降分析仿真和Z參數仿真，并確定仿真結果；

根據所述電源參數和所述仿真結果，對所述SiP器件的電源完整性進行評價。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述電源參數包括以下至少之一：電源值、直流壓降判據、電流密度判據、輸入阻抗判據。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，根據所述電源參數和所述仿真結果，對所述SiP器件的電源完整性進行評價包括：

根據所述直流壓降分析仿真的仿真結果，對所述SiP器件的電流密度、直流壓降是否滿足要求進行評價，其中，在所述仿真結果中直流壓降的最大值小于所述直流壓降判據的情況下，確定直流壓降評價結果合格，在所述仿真結果中電流密度的最大值小于所述電流密度判據的情況下，確定電流密度評價結果合格；

根據所述Z參數仿真的仿真結果，對所述SiP器件的輸入阻抗進行評價，其中，在電源阻抗曲線中關注頻段范圍內輸入阻抗的最大值小于所述輸入阻抗判據的情況下，確定輸入阻抗評價結果合格；

在所述直流壓降評價結果、所述電流密度評價結果、及所述輸入阻抗評價結果均合格的情況下，確定所述SiP器件的設計滿足要求，所述電源完整性評價結果合格。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述仿真軟件為Ansys SIwave。

5.一種基于建模仿真的SiP器件電源完整性評價裝置，其特征在于，包括：

獲取模塊，用于獲取所述SiP器件的設計參數和工藝參數，其中，所述SiP器件為航天器用SiP器件；

確定模塊，用于根據所述設計參數和工藝參數，確定所述SiP器件的三維模型；

仿真模塊，用于獲取所述SiP器件需要仿真的電源參數，根據所述電源參數和所述三維模型，利用仿真軟件對所述SiP器件進行直流壓降分析仿真和Z參數仿真，并確定仿真結果；

評價模塊，用于根據所述電源參數和所述仿真結果，對所述SiP器件的電源完整性進行評價。

6.根據權利要求5所述的裝置，其特征在于，所述電源參數包括以下至少之一：電源值、直流壓降判據、電流密度判據、輸入阻抗判據。

7.根據權利要求6所述的裝置，其特征在于，所述評價模塊包括：

第一評價單元，用于根據所述直流壓降分析仿真的仿真結果，對所述SiP器件的電流密度、直流壓降是否滿足要求進行評價，其中，在所述仿真結果中直流壓降的最大值小于所述直流壓降判據的情況下，確定直流壓降評價結果合格，在所述仿真結果中電流密度的最大值小于所述電流密度判據的情況下，確定電流密度評價結果合格；

第二評價單元，用于根據所述Z參數仿真的仿真結果，對所述SiP器件的輸入阻抗進行評價，其中，在電源阻抗曲線中關注頻段范圍內輸入阻抗的最大值小于所述輸入阻抗判據的情況下，確定輸入阻抗評價結果合格；

確定單元，用于在所述直流壓降評價結果、所述電流密度評價結果、及所述輸入阻抗評價結果均合格的情況下，確定所述SiP器件的設計滿足要求，所述電源完整性評價結果合格。

8.根據權利要求5所述的裝置，其特征在于，所述仿真軟件為Ansys SIwave。

9.一種存儲介質，其特征在于，所述存儲介質包括存儲的程序，其中，在所述程序運行時控制所述存儲介質所在設備執行權利要求1到4所述的任意一項的基于建模仿真的SiP器件電源完整性評價方法。

10.一種處理器，其特征在于，所述處理器用于運行程序，其中，所述程序運行時執行權利要求1到4所述的任意一項的基于建模仿真的SiP器件電源完整性評價方法。