[發明專利]JFET型自激式交錯并聯Sepic變換器

在審

• 申請號: 201810839004.7
• 申請日: 2018-07-27
• 公開（公告）號: CN108880238A
• 公開（公告）日: 2018-11-23
• 發明（設計）人: 何國鋒;陳怡
• 申請（專利權）人: 河南城建學院
• 主分類號: H02M3/155
• 分類號: H02M3/155
• 代理公司: 杭州斯可睿專利事務所有限公司 33241
• 代理人: 王利強

一種JFET型自激式交錯并聯Sepic變換器，包括電感L1、電感L2、N型JFET管J1、N型JFET管J2、電容C1、電容C2、二極管D1、二極管D2、電感L3、電感L4、二極管D3、二極管D4、電容Co、驅動支路1和驅動支路2，所述驅動支路1中，當N型JFET管J2導通時，其端口a1和端口b1之間產生負電壓關斷N型JFET管J1；所述驅動支路2中，當N型JFET管J1導通時，其端口a2和端口b2之間產生負電壓關斷N型JFET管J2。本發明具有低輸入電壓啟動、寬輸入電壓范圍工作和高效率的特點。

技術領域

本發明涉及交錯并聯Sepic變換器，尤其是一種適用于低電壓輸入的交錯并聯Sepic變換器，可應用于LED驅動、能量收集、輔助電源等場合。

背景技術

和他激式Sepic變換器相比，自激式交錯并聯Sepic變換器具有輸入/輸出電流紋波小、易于啟動、易于擴容、成本低等優點。增強型MOSFET和BJT是常見的半導體器件，都可用于構建自激式交錯并聯Sepic變換器。當應用于低電壓輸入的場合時，增強型MOSFET因其柵源極閾值電壓較高而不適用?；鶚O-發射極導通電壓較低的BJT雖適用，但是它的驅動和導通損耗均較大。

發明內容

為了克服現有BJT在構建低電壓輸入的交錯并聯Sepic變換器時存在損耗較大的不足，本發明提供一種JFET型自激式交錯并聯Sepic變換器，目的在于同時實現低輸入電壓啟動、寬輸入電壓范圍工作和高效率。

本發明解決其技術問題所采用的技術方案是：

一種JFET型自激式交錯并聯Sepic變換器，包括電感L1、電感L2、N型JFET管J1、N型JFET管J2、電容C1、電容C2、二極管D1、二極管D2、電感L3、電感L4、二極管D3、二極管D4、電容Co、驅動支路1和驅動支路2，驅動支路j具有端口aj、端口bj、端口cj和端口dj，j的取值范圍為1至2，直流電源Vi的正端同時與電感L1的一端和電感L2的一端相連，電感L1的另一端同時與N型JFET管J1的漏極、驅動支路2的端口c2和電容C1的一端相連，電容C1的另一端同時與驅動支路2的端口d2、二極管D1的陽極和電感L3的一端相連，電感L3的另一端與二極管D3的陰極相連，二極管D1的陰極同時與二極管D2的陰極、電容Co的一端和負載的一端相連，電容Co的另一端同時與負載的另一端、二極管D3的陽極、二極管D4的陽極、驅動支路1的端口b1、驅動支路2的端口b2、N型JFET管J1的源極、N型JFET管J2的源極和直流電源Vi的負端相連，電感L2的另一端同時與N型JFET管J2的漏極、驅動支路1的端口c1和電容C2的一端相連，電容C2的另一端同時與驅動支路1的端口d1、二極管D2的陽極和電感L4的一端相連，電感L4的另一端與二極管D4的陰極相連，N型JFET管J1的柵極與驅動支路1的端口a1相連，N型JFET管J2的柵極與驅動支路2的端口a2相連。

進一步，所述驅動支路1中，當N型JFET管J2導通時，其端口a1和端口b1之間產生負電壓關斷N型JFET管J1；所述驅動支路2中，當N型JFET管J1導通時，其端口a2和端口b2之間產生負電壓關斷N型JFET管J2。

所述N型JFET管J1和N型JFET管J2都可采用耗盡型MOSFET管代替。

作為驅動支路j的一種優選方案，驅動支路j包括穩壓管Zaj、電阻Raj和電容Caj，驅動支路j的端口aj同時與穩壓管Zaj的陽極和電阻Raj的一端相連，電阻Raj的另一端與電容Caj的一端相連，電容Caj的另一端與驅動支路j的端口cj相連，穩壓管Zaj的陰極與驅動支路j的端口bj相連，j的取值范圍為1至2。

進一步，驅動支路j還包括電阻Rbj和二極管Dbj，電阻Rbj的一端與驅動支路j的端口aj相連，電阻Rbj的另一端與二極管Dbj的陰極相連，二極管Dbj的陽極與電容Caj的一端相連。