[發(fā)明專利]薄膜晶體管及其制備方法、顯示裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810837308.X
• 申請日: 2018-07-26
• 公開（公告）號: CN109103105A
• 公開（公告）日: 2018-12-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 卓恩宗;楊鳳云
• 申請（專利權(quán)）人: 惠科股份有限公司;重慶惠科金渝光電科技有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/786;H01L29/06
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 王寧

1.一種薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，包括：

提供基板；

在所述基板上形成柵極；

在所述基板上形成柵極絕緣層，使所述柵極絕緣層覆蓋所述柵極；

在所述柵極絕緣層上形成非晶硅層；

在所述非晶硅層上形成N+型摻雜非晶硅層；其中，控制摻雜氣與硅源的比例為0.82～1.54或者1.74～4.1；

在所述N+型摻雜非晶硅層上形成源漏極金屬層；以及

對所述源漏極金屬層、所述N+型摻雜非晶硅層和所述非晶硅層進(jìn)行刻蝕，以得到源極和漏極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述摻雜氣與硅源的比例為0.82～1.23或者2.46～4.1。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述摻雜氣與硅源的比例為2.46～2.79或者3.28～4.1。

4.根據(jù)權(quán)利要求1～3任一所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述摻雜氣為磷化氫，所述硅源為硅烷。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述在所述非晶硅層上形成N+型摻雜非晶硅層的步驟中，會通入稀釋氣體；所述稀釋氣體的流量為24000毫升每分鐘～25000毫升每分鐘；所述硅源的流量為6200毫升每分鐘～7200毫升每分鐘。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述在所述非晶硅層上形成N+型摻雜非晶硅層的步驟中，采用等離子增強(qiáng)氣相化學(xué)沉積法在所述非晶硅層上形成所述N+型摻雜非晶硅層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述對所述源漏極金屬層、所述N+型摻雜非晶硅層和所述非晶硅層進(jìn)行刻蝕的步驟為：

在所述源漏極金屬層上形成圖案化的光阻層；以及

以所述光阻層為掩膜采用兩道濕法刻蝕和兩道干法刻蝕工藝對所述源漏極金屬層、所述N+型摻雜非晶硅層和所述非晶硅層進(jìn)行刻蝕；其中，在第二道干法刻蝕中，控制射頻源功率為2千瓦～5千瓦，射頻偏置功率為7千瓦～3千瓦，刻蝕時間為35秒～50秒,溝道區(qū)上方的半導(dǎo)體層厚度為400?！?00埃。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，在第二道干法刻蝕中，刻蝕氣體包括氯氣和六氟化硫，氯氣和六氟化硫的比例為1:20～1:50。

9.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括：

基板；

形成于所述基板上的柵極；

形成于所述基板上且覆蓋所述柵極的柵極絕緣層；

形成于所述柵極絕緣層上的非晶硅層；

形成于所述非晶硅層上的N+型摻雜非晶硅層；以及

形成于所述柵極絕緣層上與所述非晶硅層和所述N+型摻雜非晶硅層的兩側(cè)相接觸的源極和漏極；

其中，所述N+型摻雜非晶硅層采用比例為0.82～1.54或者1.74～4.1的摻雜氣和硅烷制備而成。

10.一種顯示裝置，包括顯示面板，其特征在于，所述顯示面板中的陣列基板包括如權(quán)利要求9所述的薄膜晶體管。