[發明專利]電平轉換電路以及電子設備

有效

• 申請號: 201810837133.2
• 申請日: 2018-07-26
• 公開（公告）號: CN108809291B
• 公開（公告）日: 2020-12-04
• 發明（設計）人: 董凌
• 申請（專利權）人: 華為技術有限公司
• 主分類號: H03K19/003
• 分類號: H03K19/003
• 代理公司: 深圳市深佳知識產權代理事務所(普通合伙) 44285
• 代理人: 王仲凱

1.一種電平轉換電路，其特征在于，所述電平轉換電路包括：電平輸入單元、充放電單元、開關單元以及電平輸出單元，所述充放電單元包括第一參考電壓、第一電阻、第二電阻以及電容；所述第一電阻的一端與所述第一參考電壓連接，所述第一電阻的另一端與所述第二電阻的一端連接，且與所述電容的一端連接，所述電容的另一端接地；所述第一電阻的另一端為所述充放電單元的第一端，所述第二電阻的另一端為所述充放電單元的第二端；

所述開關單元的第一端與所述電平輸入單元連接，所述開關單元的第二端與所述充放電單元的第一端連接，所述開關單元的第三端與所述充放電單元的第二端連接，且與所述電平輸出單元連接，所述充放電單元的第三端接地；

當所述電平輸入單元輸入高電平，且與所述開關單元的第三端連接的負載將所述開關單元的第三端的電壓拉為低電平時，在所述開關單元截止之前，所述充放電單元放電，當所述充放電單元的第一端與所述充放電單元的第三端之間的電壓低于預設電壓時，所述開關單元截止。

2.根據權利要求1所述的電平轉換電路，其特征在于，所述開關單元包括開關管。

3.根據權利要求2所述的電平轉換電路，其特征在于，所述開關管包括N型金屬-氧化物-半導體NMOS管，所述NMOS管的漏極、柵極和源極分別為所述開關單元的第一端、所述開關單元的第二端以及所述開關單元的第三端。

4.根據權利要求1至3中的任一項所述的電平轉換電路，其特征在于，Vp＝V2R1/(R1+R2)，其中，所述Vp為所述電容的電壓，所述V2為所述第一參考電壓，所述R1為所述第一電阻，所述R2為所述第二電阻。

5.根據權利要求3所述的電平轉換電路，其特征在于，所述預設電壓為所述NMOS管的開啟電壓。

6.根據權利要求1至3或5中的任一項所述的電平轉換電路，其特征在于，所述電平輸入單元包括第二參考電壓和第三電阻；所述第三電阻的一端與所述第二參考電壓連接，所述第三電阻的另一端與所述開關單元的第一端連接。

7.根據權利要求1至3或5中的任一項所述的電平轉換電路，其特征在于，所述電平輸出單元包括所述第一參考電壓和第四電阻；所述第四電阻的一端與所述第一參考電壓連接，所述第四電阻的另一端與所述開關單元的第三端連接且與所述充放電單元的第二端連接。

8.根據權利要求1至3或5中的任一項所述的電平轉換電路，其特征在于，所述當所述電平輸入單元輸入高電平，且與所述開關單元的第三端連接的負載將所述開關單元的第三端的電壓拉為低電平時，在所述開關單元截止之前，所述充放電單元放電，當所述充放電單元的電壓低于預設電壓時，所述開關單元截止包括：

當所述電平輸入單元輸入高電平，且與所述開關單元的第三端連接的負載將所述開關單元的第三端的電壓拉為低電平時，所述充放電單元放電，所述開關單元導通；

當所述充放電單元放電的時長大于預設時長且所述充放電單元的電壓低于預設電壓時，所述開關單元截止。

9.一種電子設備，其特征在于，包括如權利要求1至權利要求8中的任一項所述的電平轉換電路。