[發(fā)明專利]量子點電致發(fā)光器件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810836888.0 | 申請日: | 2018-07-26 |
| 公開(公告)號: | CN109119542B | 公開(公告)日: | 2020-10-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 王紅琴;方龍;王思元;張健;王允軍 | 申請(專利權(quán))人: | 蘇州星爍納米科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/50 | 分類號: | H01L51/50 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 215123 江蘇省蘇州市工業(yè)*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 量子 電致發(fā)光 器件 | ||
本發(fā)明公開了一種量子點電致發(fā)光器件,包括量子點發(fā)光層和電子傳輸層,在量子點發(fā)光層和電子傳輸層之間設(shè)置有中間層,中間層的材料包括禁帶寬度不小于4eV的聚合物和油酸。中間層使電子與空穴能在量子點發(fā)光層有效復合,提高了器件的成膜性,成膜均勻,提高了發(fā)光器件的發(fā)光性能。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種量子點電致發(fā)光器件。
背景技術(shù)
在顯示技術(shù)領(lǐng)域中,量子點由于具有色域?qū)挕⑸兌雀摺l(fā)光波長可調(diào)、易合成加工等優(yōu)異性質(zhì)。量子點發(fā)光二極管的發(fā)光中心由量子點構(gòu)成,其結(jié)構(gòu)是兩側(cè)電子和空穴在量子點層中匯聚后形成光子,通過光子的重組發(fā)光。量子點發(fā)光二極管具有半峰寬較窄,顏色可調(diào),制備工藝簡單等優(yōu)點,在光電領(lǐng)域具有廣闊的應用前景。
傳統(tǒng)的量子點發(fā)光二極管,包括陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、量子點發(fā)光層、電子傳輸層和陰極。氧化鋅納米顆粒是量子點發(fā)光二極管中普遍采用的電子傳輸材料,其性質(zhì)穩(wěn)定,室溫下帶隙寬度為3.3eV,能帶隙和激子束縛能較大,具有較高的電子遷移率,故而電子傳輸能力強。然而,氧化鋅納米顆粒作電子傳輸層時,易與量子點發(fā)光層在界面處發(fā)生電荷轉(zhuǎn)移,會影響載流子的復合,進而影響器件的發(fā)光顏色和發(fā)光效率。此外,在量子點電致發(fā)光器件中,電子傳輸層主要利用噴墨打印的方法在量子點發(fā)光層上成膜,在形成電子傳輸層的過程中卻往往發(fā)現(xiàn)成膜性差,導致器件發(fā)光不均勻,導電性能差。
發(fā)明內(nèi)容
針對上述技術(shù)問題,本申請?zhí)峁┮环N量子點電致發(fā)光器件。
為了實現(xiàn)上述發(fā)明目的,本申請?zhí)峁┝艘环N量子點電致發(fā)光器件,包括量子點發(fā)光層、電子傳輸層,在量子點發(fā)光層和電子傳輸層之間設(shè)置有中間層,中間層的材料包括禁帶寬度不小于4eV的聚合物和油酸。發(fā)明人意外發(fā)現(xiàn),在量子點發(fā)光層和電子傳輸層之間設(shè)置這種包含聚合物與油酸混合物的中間層時,提高了器件的成膜性,成膜均勻,并且器件發(fā)光均勻,無明顯亮斑或暗斑。
在量子點電致發(fā)光器件中,由于能級結(jié)構(gòu)不匹配的問題,空穴傳輸速率相比電子傳輸速率較慢,導致量子點發(fā)光層的載流子不平衡,發(fā)光效率低。聚合物與油酸混合物構(gòu)成的中間層,使得量子點發(fā)光層和電子傳輸層無法直接接觸,不僅避免了兩者之間的電荷自發(fā)轉(zhuǎn)移,還降低了電子的傳輸速率,使電子與空穴的傳輸速率能更好匹配,進而提高了器件的外量子效率。
進一步地,上述中間層的聚合物與油酸的質(zhì)量比為(0.8~2):1。發(fā)明人發(fā)現(xiàn),當聚合物與油酸的質(zhì)量比小于0.8:1時,混合物中油酸的含量過多,在量子點發(fā)光層上沉積中間層時成膜不均勻,直接影響到器件整體的成膜效果,影響器件性能。當聚合物與油酸的質(zhì)量比大于2:1時,混合物中油酸的含量過少,中間層與電子傳輸層之間適配性降低,最終得到器件的外量子效率相比于聚合物與油酸質(zhì)量比在(0.8~2):1時有所下降。
進一步地,上述聚合物選自但不限于聚甲基丙烯酸甲酯、聚氯乙烯、聚α-甲基苯乙烯、聚對苯二甲酸丁二醇酯、聚碳酸亞丙酯、聚苯乙烯中的至少一種。上述聚合物材料的禁帶寬度不小于4eV,不僅可以調(diào)控電子傳輸層向量子點發(fā)光層的電子注入勢壘,而且不會影響量子點層的發(fā)光性能。
進一步地,上述電子傳輸層的材料包括ZnMgLiO納米顆粒。在電子傳輸材料領(lǐng)域,通常可通過摻雜金屬元素改變氧化鋅納米顆粒的電子傳輸能力,以滿足不同量子點電致發(fā)光器件的需求。ZnMgLiO納米顆粒是金屬Mg和Li摻雜的氧化鋅納米顆粒,其中各元素的含量可以根據(jù)實際需求調(diào)節(jié)。ZnMgLiO納米顆粒的光化學性質(zhì)穩(wěn)定,是種新型的寬帶隙半導體材料,能帶隙和激子束縛能較大,具有較高的電子遷移率,有利于電子從陰極注入,適合作為電致發(fā)光器件的電子傳輸層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





