[發(fā)明專(zhuān)利]冷卻裝置、氣體供應(yīng)裝置及襯底處理設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810836604.8
• 申請(qǐng)日: 2018-07-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109423624B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-01-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金承煜;李主日;鄭元基;鄭東洛;金鴻玄
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: ASM知識(shí)產(chǎn)權(quán)私人控股有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): C23C16/455
• 分類(lèi)號(hào): C23C16/455;C23C16/46;H01L21/67
• 代理公司: 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 楊文娟;臧建明

本發(fā)明提供一種冷卻裝置、氣體供應(yīng)裝置及襯底處理設(shè)備。所述冷卻裝置能夠控制反應(yīng)器的上部部分或更具體來(lái)說(shuō)例如噴頭的氣體供應(yīng)裝置的溫度的冷卻裝置。所述冷卻裝置包括被配置成均勻且有效地冷卻所述氣體供應(yīng)裝置的分隔件。

技術(shù)領(lǐng)域

一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例涉及一種襯底處理設(shè)備，且更具體來(lái)說(shuō)，涉及一種能夠控制氣體供應(yīng)裝置的溫度的冷卻裝置、氣體供應(yīng)裝置及襯底處理設(shè)備。

背景技術(shù)

襯底處理設(shè)備(例如半導(dǎo)體襯底處理設(shè)備)被加熱到工藝溫度，以有利于反應(yīng)氣體之間的化學(xué)反應(yīng)。舉例來(lái)說(shuō)，環(huán)繞襯底的周邊部分(例如反應(yīng)器壁或反應(yīng)器蓋體(例如頂蓋))被加熱到某一溫度。如此一來(lái)，當(dāng)整個(gè)反應(yīng)器被加熱且反應(yīng)器被加熱到的溫度維持不變時(shí)，工藝可順利地進(jìn)行。

然而，反應(yīng)器的特定部分的溫度可能在高溫工藝中不受控制。在這種情況下，整個(gè)反應(yīng)器的溫度平衡可能被破壞，且因此工藝可重復(fù)性可能劣化。舉例來(lái)說(shuō)，當(dāng)襯底支撐件的溫度為500℃或高于500℃時(shí)，面對(duì)襯底支撐件的氣體供應(yīng)裝置(例如噴頭)的實(shí)際溫度可能高于250℃，從而高于200℃的設(shè)定溫度。

此外，當(dāng)溫度得不到適當(dāng)控制時(shí)，可發(fā)生呈下列形式的二次損壞：在工人因高溫而被灼傷的情況下可能發(fā)生的安全問(wèn)題、由主要部件(例如閥門(mén)、計(jì)量器等)的熱沖擊所致的故障、由密封構(gòu)件(例如O形環(huán))的硬化所致的腔室泄漏、所沉積薄膜的品質(zhì)因外部空氣的引入而劣化的問(wèn)題等。

發(fā)明內(nèi)容

一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例包括一種用于控制反應(yīng)器的上部部分、詳細(xì)來(lái)說(shuō)氣體供應(yīng)裝置(例如噴頭)的溫度的裝置。

一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例包括一種具有提高的冷卻效率的冷卻裝置。

其他方面將在以下說(shuō)明中部分地闡述，且部分地，通過(guò)本說(shuō)明將顯而易見(jiàn)，或者可通過(guò)實(shí)踐所呈現(xiàn)的實(shí)施例而獲悉。

根據(jù)一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例，一種冷卻裝置包括：第一分隔壁；第二分隔壁，環(huán)繞所述第一分隔壁；第三分隔壁，環(huán)繞所述第二分隔壁；以及分隔件，將所述第二分隔壁與所述第三分隔壁之間的空間分離成第一區(qū)域及第二區(qū)域，且將所述第二分隔壁與所述第一分隔壁之間的空間分離成第三區(qū)域及第四區(qū)域，其中所述分隔件被配置成將所述第一區(qū)域與所述第三區(qū)域彼此連接且將所述第二區(qū)域與所述第四區(qū)域彼此連接。

所述分隔件可包括本體、第一通道及第二通道，所述第一區(qū)域與所述第三區(qū)域可通過(guò)所述分隔件的所述第一通道連接到彼此，所述第二區(qū)域與所述第四區(qū)域可通過(guò)所述分隔件的所述第二通道連接到彼此，且所述第一通道與所述第四通道可不彼此交會(huì)。

所述第一通道可處于所述分隔件的上部部分中，且所述第二通道可處于所述分隔件的下部部分中。

所述分隔件可包括：本體；第一構(gòu)件，位于所述分隔件的上部部分中且位于所述第二分隔壁與所述第三分隔壁之間；第二構(gòu)件，位于所述分隔件的所述上部部分中且位于所述第一分隔壁與所述第二分隔壁之間；第三構(gòu)件，位于所述分隔件的下部部分中且位于所述第二分隔壁與所述第三分隔壁之間；第四構(gòu)件，位于所述分隔件的所述下部部分中且位于所述第一分隔壁與所述第二分隔壁之間；第一通道，由所述第一構(gòu)件及所述第二構(gòu)件形成；以及第二通道，由所述第三構(gòu)件及所述第四構(gòu)件形成，其中所述第一區(qū)域與所述第三區(qū)域通過(guò)所述第一通道連接到彼此，所述第二區(qū)域與所述第四區(qū)域通過(guò)所述第二通道連接到彼此，且所述第一通道與所述第二通道不彼此交會(huì)。

所述第一構(gòu)件、所述第二構(gòu)件、所述第三構(gòu)件及所述第四構(gòu)件中的每一者的一個(gè)表面可接觸所述第二分隔壁。

所述第一構(gòu)件及所述第三構(gòu)件可接觸所述第三分隔壁，且所述第二構(gòu)件及所述第四構(gòu)件可接觸所述第一分隔壁。

所述第一構(gòu)件、所述第二構(gòu)件、所述第三構(gòu)件及所述第四構(gòu)件可具有相同的高度，且所述第一通道與所述第二通道各自可具有相同的均勻的寬度。