[發(fā)明專利]OLED基板及其制備方法、顯示面板

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810836210.2
• 申請日: 2018-07-26
• 公開（公告）號: CN109037465B
• 公開（公告）日: 2021-02-02
• 發(fā)明（設計）人: 謝蒂旎;李偉;張曉晉
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 張雨竹

1.一種OLED基板的制備方法，其特征在于，包括：

在基板上的顯示區(qū)形成輔助陰極；

在形成有輔助陰極的基板上，且在所述顯示區(qū)形成有機材料功能層；

向所述輔助陰極施加電壓，使所述輔助陰極發(fā)生形變，以使所述有機材料功能層被發(fā)生形變的所述輔助陰極頂破，形成連接通道；

在形成有所述有機材料功能層的基板上，在所述顯示區(qū)形成陰極；其中，在所述連接通道位置處，所述陰極與所述輔助陰極電連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED基板的制備方法，其特征在于，所述輔助陰極包括層疊的底電極和頂電極，所述頂電極位于所述底電極遠離所述基板的一側(cè)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的OLED基板的制備方法，其特征在于，在形成所述輔助陰極的所述底電極時，還同步形成反射陽極。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的OLED基板的制備方法，其特征在于，所述底電極呈網(wǎng)格結(jié)構(gòu)；

所述頂電極為多個，多個所述頂電極間隔設置于所述底電極上。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的OLED基板的制備方法，其特征在于，所述頂電極的材料選自Cu₆₀Zn₄₀，F(xiàn)eNi₂₂Cr₃，F(xiàn)eNiMn₆，F(xiàn)eNi₁₃Mn₇，Mn₇₂Cr₁₈Ni₁₀中的至少一種。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED基板的制備方法，其特征在于，所述基板為TFT背板。

7.一種OLED基板，其特征在于，通過權(quán)利要求1-6任一項所述的OLED基板的制備方法制備得到；

所述OLED基板包括：基板、依次設置于所述基板上且位于顯示區(qū)的輔助陰極、有機材料功能層以及陰極；

所述有機材料功能層上具有至少一個連接通道；在所述連接通道位置處，所述陰極與所述輔助陰極電連接；其中，所述輔助陰極包括層疊的底電極和頂電極，所述頂電極位于所述底電極遠離所述基板的一側(cè)；

所述底電極呈網(wǎng)格結(jié)構(gòu)；

所述頂電極為多個，多個所述頂電極間隔設置于所述底電極上；

其中，所述頂電極和所述底電極的熱膨脹系數(shù)具有差異，在所述頂電極和所述底電極通電的情況下，所述頂電極和所述底電極發(fā)生形變，所述頂電極頂破所述有機材料功能層，形成所述連接通道。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的OLED基板，其特征在于，還包括設置于所述顯示區(qū)且位于所述有機材料功能層靠近所述基板一側(cè)的反射陽極；所述底電極與所述反射陽極同層設置。

9.一種顯示面板，其特征在于，包括權(quán)利要求7-8任一項所述的OLED基板。