[發明專利]顯示面板及其制作方法、顯示裝置、掩膜版組件有效
| 申請號: | 201810835903.X | 申請日: | 2018-07-26 |
| 公開(公告)號: | CN109037285B | 公開(公告)日: | 2020-11-27 |
| 發明(設計)人: | 陳亮;王磊 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L21/77;G06F3/041;G06F3/044 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人: | 賈瑩 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 及其 制作方法 顯示裝置 掩膜版 組件 | ||
本申請的一些實施例提供一種顯示面板及其制作方法、顯示裝置、掩膜版組件,涉及顯示技術領域,用于解決觸控走線占用較大的顯示空間,導致產生觸控盲區的問題。上述顯示面板包括TFT背板以及位于TFT背板上的觸控走線和有機功能層。有機功能層具有多個過孔,每個過孔露出觸控走線的一部分。顯示面板還包括覆蓋有機功能層的第一電極層。第一電極層包括多個相互絕緣的自電容電極,每個自電容電極與一個過孔露出的觸控走線相接觸。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及顯示面板及其制作方法、顯示裝置、掩膜版組件。
背景技術
有機發光二極管(Organic Light Emitting Diode,OLED)作為一種電流型發光器件,因其所具有的自發光、快速響應、寬視角和可制作在柔性襯底上等特點而越來越多地被應用于高性能顯示領域當中。 OLED按驅動方式可分為PMOLED(Passive Matrix DrivingOLED,無源矩陣驅動有機發光二極管)和AMOLED(Active Matrix Driving OLED,有源矩陣驅動有機發光二極管)兩種,由于AMOLED顯示器具有低制造成本、高應答速度、省電、可用于便攜式設備的直流驅動、工作溫度范圍大等等優點而可望成為取代LCD(liquid crystaldisplay,液晶顯示器)的下一代新型平面顯示器。
為了在OLED顯示裝置中集成觸控功能,可以采用In-Cell(內嵌)技術。該In-Cell技術分別為復合內嵌式(Hybrid In-Cell,HIC) 和全內嵌式(Full In-Cell,FIC)。相對于HIC結構而言,FIC結構更加簡單。現有技術中,FIC結構具有多個同層設置的觸控電極,與所述觸控電極相連接的觸控走線和所述觸控電極同層設置。在此情況下,當顯示裝置的尺寸較大,且觸控精度較高時,觸控電極和觸控走線的數量也會增加,這樣一來,多個觸控走線所在的位置占用的顯示空間較大,從而產生觸控盲區。
發明內容
本發明的實施例提供顯示面板及其制作方法、顯示裝置、掩膜版組件,用于解決觸控走線占用較大的顯示空間,導致產生觸控盲區的問題。
為達到上述目的,本發明的實施例采用如下技術方案:
本申請實施例的一方面,提供一種顯示面板,包括TFT背板以及位于所述TFT背板上的觸控走線和有機功能層;所述有機功能層具有多個過孔,每個所述過孔露出所述觸控走線的一部分;所述顯示面板還包括覆蓋所述有機功能層的第一電極層;所述第一電極層包括多個相互絕緣的自電容電極;每個所述自電容電極與一個所述過孔露出的所述觸控走線相接觸。
在本申請的一些實施例中,所述過孔的孔壁與所述觸控走線之間具有絕緣層。
在本申請的一些實施例中,所述顯示面板還包括位于所述TFT 背板上的絕緣隔離柱;所述絕緣隔離柱設置于相鄰兩個自電容電極之間,所述絕緣隔離柱用于對所述相鄰的兩個自電容電極進行絕緣。
在本申請的一些實施例中,所述絕緣隔離柱包括層疊設置的第一子隔離柱和第二子隔離柱;所述第一子隔離柱靠近所述TFT背板,所述第一子隔離柱垂直截面的形狀為梯形;所述第二子隔離柱遠離所述TFT背板,所述第二子隔離柱垂直截面的形狀為倒梯形;所述垂直截面與所述TFT背板垂直。
在本申請的一些實施例中,所述TFT背板包括襯底基板、位于所述襯底基板上的驅動電路結構以及覆蓋所述驅動電路結構的像素界定層;所述觸控走線位于所述像素界定層背離所述襯底基板的一側表面。
在本申請的一些實施例中,所述顯示面板包括絕緣隔離柱;所述絕緣隔離柱以及所述觸控走線,位于所述像素界定層背離所述襯底基板的一側表面。
在本申請的一些實施例中,所述顯示面板還包括位于所述有機功能層靠近所述襯底基板一側的第二電極;所述像素界定層包括橫縱交叉的像素分隔物以及由所述像素分隔物圍設的開口;所述第二電極位于所述開口內;所述有機功能層包括有機發光層,所述有機發光層位于所述開口內。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





