[發(fā)明專利]太陽能電池及其制備方法和光伏組件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810835543.3
• 申請(qǐng)日: 2018-07-26
• 公開（公告）號(hào): CN109004038B
• 公開（公告）日: 2020-09-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 賴海文;吳娟;宋海峰;李家蘭;梁杭偉;葉雄新;孫小菩
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東莞南玻光伏科技有限公司;中國南玻集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/0216
• 分類號(hào): H01L31/0216;H01L31/18;B82Y20/00;B82Y30/00
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 潘霞

1.一種太陽能電池的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

對(duì)硅襯底進(jìn)行臭氧氧化處理，以使所述硅襯底的表面氧化形成第一二氧化硅層；

對(duì)形成有所述第一二氧化硅層的所述硅襯底進(jìn)行熱氧化處理，以使所述硅襯底被繼續(xù)氧化而在所述第一二氧化硅層的內(nèi)表面上形成第二二氧化硅層，其中，所述硅襯底未被氧化的部分為硅基底層，所述第二二氧化硅層位于所述第一二氧化硅層和所述硅基底層之間，且所述第二二氧化硅層的折射率大于所述第一二氧化硅層的折射率；所述第二二氧化硅層的厚度大于所述第一二氧化硅層的厚度，所述熱氧化處理的步驟在爐體中進(jìn)行；及

在所述第一二氧化硅層上依次化學(xué)沉積形成N層氮化硅層，其中，所述N為3以上的整數(shù)，自靠近所述第一二氧化硅層到遠(yuǎn)離所述第一二氧化硅層，N層所述氮化硅層的折射率依次減小，且N層所述氮化硅層中，最靠近所述第一二氧化硅層的一層所述氮化硅層的厚度最小。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述對(duì)硅襯底進(jìn)行臭氧氧化處理的步驟為：采用噴淋臭氧的方式對(duì)所述硅襯底進(jìn)行臭氧氧化處理，其中，所述臭氧的濃度為0.1ppm～0.3ppm，噴淋的距離為1毫米～4.5毫米，溫度為18℃～30℃。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述對(duì)形成有所述第一二氧化硅層的所述硅襯底進(jìn)行熱氧化處理的步驟包括：在同時(shí)通入氮?dú)夂脱鯕獾臈l件下，將形成有所述第一二氧化硅層的所述硅襯底在壓強(qiáng)為200mTorr～2000mTorr、溫度為550℃～750℃的條件下熱氧化處理10分鐘～30分鐘。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述在所述第一二氧化硅層上依次化學(xué)沉積形成N層氮化硅層的步驟包括：在所述第一二氧化硅層上化學(xué)沉積形成第一層所述氮化硅層，然后在第一層所述氮化硅層上依次化學(xué)沉積形成其余的N-1層所述氮化硅層；

其中，形成第一層所述氮化硅層的步驟包括：在保護(hù)氣體的氣氛和壓力為500mbar～800mbar的條件下，將層疊有所述第二二氧化硅層和所述第一二氧化硅層的所述硅基底層加熱至430℃～480℃；然后通入氨氣直至壓強(qiáng)為1400mTorr～2000mTorr，再開啟射頻電源，以及同時(shí)通入硅烷和氨氣，并在壓強(qiáng)為1400mTorr～2000mTorr、功率為4000W～15000W的條件下進(jìn)行電離，以形成第一層所述氮化硅層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于，在形成第一層所述氮化硅層的步驟之后，在形成其余的N-1層中的每層所述氮化硅層的步驟之前，還包括電離氨氣的步驟，所述電離氨氣的步驟包括：停止通入所述硅烷和所述氨氣，然后抽真空至50Torr～140mTorr，再同時(shí)通入氨氣和氮?dú)猓敝翂簭?qiáng)為1400mTorr～2000mTorr開啟射頻電源，并在4000W～15000W下電離8秒～30秒，再抽真空至5mTorr～100mTorr。

6.根據(jù)權(quán)利要求1～4任一項(xiàng)所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述在所述第一二氧化硅層上依次化學(xué)沉積形成N層氮化硅層的步驟之后，還包括在真空條件下于430℃～475℃下退火處理的步驟。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述第一二氧化硅層的折射率為1.43～1.44，所述第二二氧化硅層的折射率為1.45～1.47；

及/或，所述第一二氧化硅層的厚度為0.1納米～1.2納米，所述第二二氧化硅層的厚度為1.2納米～3納米；

及/或，所述第二二氧化硅層、所述第一二氧化硅層與N層所述氮化硅層的厚度之和為76納米～89納米；

及/或，所述第二二氧化硅層、所述第一二氧化硅層與N層所述氮化硅層的等效折射率為2.03～2.16。