[發(fā)明專利]襯底處理裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810835270.2
• 申請(qǐng)日: 2018-07-26
• 公開（公告）號(hào): CN109326537B
• 公開（公告）日: 2022-04-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李主日;金熙哲;金大淵
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: ASM知識(shí)產(chǎn)權(quán)私人控股有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/67
• 分類號(hào): H01L21/67
• 代理公司: 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 楊文娟;臧建明

本發(fā)明提供一種襯底處理裝置，所述襯底處理裝置能夠防止頂蓋通過襯底處理裝置的自身重量和/或由真空泵產(chǎn)生的真空吸引力和/或高溫過程下的熱沖擊而在包含多個(gè)反應(yīng)器的腔室中向下方下垂。并且，提供一種用于在多個(gè)反應(yīng)器之間傳遞襯底的旋轉(zhuǎn)軸。

相關(guān)申請(qǐng)的交叉參考

本申請(qǐng)要求2017年7月31日向韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2017-0097136號(hào)韓國(guó)專利申請(qǐng)案的權(quán)益，所述申請(qǐng)的公開內(nèi)容以全文引用的方式并入本文中。

技術(shù)領(lǐng)域

一或多個(gè)實(shí)例實(shí)施例涉及襯底處理裝置，且更確切地說涉及能夠防止頂蓋下垂或變形的襯底處理裝置。

背景技術(shù)

近年來(lái)，已經(jīng)進(jìn)行許多嘗試以提高半導(dǎo)體制造的生產(chǎn)率(每單位時(shí)間可處理的襯底的數(shù)目)。舉例來(lái)說，存在一種減少用于處理襯底上的化學(xué)品的處理時(shí)間的方法。然而，因?yàn)樾枰钌倭康臅r(shí)間來(lái)引起襯底上的化學(xué)品之間的反應(yīng)，所以在減少處理時(shí)間方面存在限制。

另一方法是研發(fā)針對(duì)反應(yīng)優(yōu)化的反應(yīng)器。舉例來(lái)說，在原子層沉積裝置的情況下，具有最小內(nèi)部容積的反應(yīng)器可經(jīng)研發(fā)以實(shí)現(xiàn)異構(gòu)氣體之間的快速轉(zhuǎn)換時(shí)間。然而，歸因于氣體流動(dòng)及排出所需的最小空間，對(duì)于減少反應(yīng)空間存在物理限制。

替代地，可以考慮其中具有多個(gè)反應(yīng)器的真空腔室。舉例來(lái)說，其中具有至少兩個(gè)相同反應(yīng)器的真空腔室可能不僅提高每單位時(shí)間的經(jīng)處理襯底的數(shù)目，而且視需要將數(shù)個(gè)真空腔室連接到傳遞腔室，進(jìn)而克服縮短處理時(shí)間或減少反應(yīng)器體積的物理限制。然而，在其中具有多個(gè)反應(yīng)器的真空腔室的情況下，隨著真空腔室的大小增大，構(gòu)成腔室的上部部分的腔室蓋(頂蓋)的重量增加且腔室蓋由真空力而變形，這限制真空腔室中的反應(yīng)器的數(shù)目。并且，腔室蓋的變形的程度在高溫過程中增加。

美國(guó)專利第6,949,204號(hào)采用雙腔室蓋結(jié)構(gòu)來(lái)防止真空腔室的蓋子因真空力變形。然而，在此情況下，歸因于添加的結(jié)構(gòu)增加存在腔室結(jié)構(gòu)的復(fù)雜度的問題，且歸因于腔室重量的增加存在難以操作/維護(hù)的問題。具體地說，隨著襯底的大小增大，用以容納襯底的內(nèi)部反應(yīng)器的物理大小及體積也相應(yīng)地增加，這是增加內(nèi)部反應(yīng)器的數(shù)目的主要障礙并且還限制裝置的設(shè)計(jì)及運(yùn)行。

發(fā)明內(nèi)容

一或多個(gè)實(shí)例實(shí)施例包含用于解決上述問題的裝置。具體地說，在包含多個(gè)反應(yīng)器的真空腔室中提供用于解決腔室蓋變形的裝置。并且，一或多個(gè)實(shí)例實(shí)施例包含用于在多個(gè)反應(yīng)器之間傳遞襯底的裝置。

額外方面將部分地在以下描述中得到闡述，并且部分地將從所述描述顯而易見，或者可以通過對(duì)所呈現(xiàn)實(shí)例實(shí)施例的實(shí)踐而獲悉。

根據(jù)一或多個(gè)實(shí)例實(shí)施例，一種襯底處理裝置包含：頂蓋；腔室壁，包含通孔；多個(gè)襯底支撐件，布置在腔室壁中；驅(qū)動(dòng)軸，穿過腔室壁的通孔且在多個(gè)襯底支撐件之間延伸；以及頂蓋支撐件，形成于驅(qū)動(dòng)軸的中空結(jié)構(gòu)中且穿過通孔以支撐頂蓋。

襯底處理裝置可還包含：連接到驅(qū)動(dòng)軸的第一板；及連接到頂蓋支撐件的第二板。舉例來(lái)說，第一板可以是可移動(dòng)的，且第二板可以是固定的。

襯底處理裝置可還包含連接到第一板且配置成使驅(qū)動(dòng)軸上下移動(dòng)的驅(qū)動(dòng)單元。襯底處理裝置可還包含在腔室壁與第二板之間延伸的固定軸。頂蓋支撐件及第二板可以通過固定軸固定到腔室壁。

襯底處理裝置可還包含：第一屏蔽單元，配置成屏蔽腔室壁與驅(qū)動(dòng)軸之間的空間；及第二屏蔽單元，配置成屏蔽驅(qū)動(dòng)軸與第二板之間的空間。舉例來(lái)說，第一屏蔽單元及第二屏蔽單元中的至少一個(gè)可包含：可拉伸部分；及旋轉(zhuǎn)支撐部分，連接到可拉伸部分且配置成促進(jìn)驅(qū)動(dòng)軸的旋轉(zhuǎn)。