[發(fā)明專利]外延片的制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810835104.2
• 申請日: 2018-07-26
• 公開（公告）號: CN110767531B
• 公開（公告）日: 2021-11-30
• 發(fā)明（設計）人: 王華杰;曹共柏;林志鑫
• 申請（專利權）人: 上海新昇半導體科技有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/67
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 羅泳文

1.一種外延片的制備方法，其特征在于，所述方法包括：

1)提供第一襯底，在預設參數(shù)條件下，于所述第一襯底上生長外延層；

2)測量所述外延層的第一實際厚度，并對所述外延層進行模擬以獲得所述外延層外延模擬厚度；

3)提供第二襯底，對所述第二襯底進行拋光處理，在拋光處理后測量所述第二襯底的第二實際厚度，并對所述第二襯底進行模擬以獲得所述第二襯底的襯底模擬厚度；

4)將所述外延模擬厚度與所述襯底模擬厚度進行疊加以獲得模擬疊加厚度，對所述模擬疊加厚度進行平坦度參數(shù)計算，獲得在所述預設參數(shù)條件下生長的外延層的平坦度預測參數(shù)；

5)判定所述平坦度預測參數(shù)是否合格；

6)若合格，則在所述預設參數(shù)條件下，于所述第二襯底上進行實際外延生長，若不合格，則返回重新進行步驟3)～步驟5)，以使得所有的所述第二襯底的平坦度預測參數(shù)判定為合格并進行實際外延生長。

2.根據(jù)權利要求1所述的外延片的制備方法，其特征在于：于所述第一襯底上生長外延層的方法包括化學氣相沉積法。

3.根據(jù)權利要求2所述的外延片的制備方法，其特征在于：所述預設參數(shù)條件包括外延氣體源的種類、外延氣體源的流量、外延氣壓、外延溫度、外延時間及外延摻雜濃度所組成群組中的一種或多種。

4.根據(jù)權利要求1所述的外延片的制備方法，其特征在于：采用平坦度量測儀測量所述外延層的第一實際厚度及測量所述第二襯底的第二實際厚度。

5.根據(jù)權利要求4所述的外延片的制備方法，其特征在于：所述模擬疊加厚度的最小疊加單元尺寸為所述平坦度量測儀測量的最小精度尺寸。

6.根據(jù)權利要求4所述的外延片的制備方法，其特征在于：所述平坦度量測儀包括基于光學干涉原理的平坦度量測儀及基于帶光譜橢圓偏光原理的平坦度量測儀中的一種。

7.根據(jù)權利要求1所述的外延片的制備方法，其特征在于：所述第一襯底與所述第二襯底的材質和尺寸相同。

8.根據(jù)權利要求1所述的外延片的制備方法，其特征在于：所述第一襯底及所述第二襯底的材質包括單晶硅，所述外延層的材料包括單晶硅。

9.根據(jù)權利要求1所述的外延片的制備方法，其特征在于：所述平坦度預測參數(shù)包括局部平整度SFQR參數(shù)，其中，所述局部平整度SFQR參數(shù)通過劃分局部區(qū)域，然后在所述局部區(qū)域基于所述模擬疊加厚度的值作出基準線，然后根據(jù)所述局部區(qū)域中的實際的模擬疊加厚度的最高值或最低值與所述基準線的差值計算獲得。

10.根據(jù)權利要求1所述的外延片的制備方法，其特征在于：步驟3)所述的拋光處理包括化學機械拋光處理。

11.根據(jù)權利要求1所述的外延片的制備方法，其特征在于：步驟5)判定所述平坦度預測參數(shù)是否合格，包括：將所述平坦度預測參數(shù)與外延工藝所需的實際平坦度參數(shù)進行比較。

12.根據(jù)權利要求1所述的外延片的制備方法，其特征在于：所述外延片的制備方法應用的節(jié)點工藝包括45nm節(jié)點工藝、28nm節(jié)點工藝、14nm節(jié)點工藝、10nm節(jié)點工藝及5nm節(jié)點工藝中的一種。