[發明專利]等離子體裝置及其工作方法

在審

• 申請號: 201810834842.5
• 申請日: 2018-07-26
• 公開（公告）號: CN109037020A
• 公開（公告）日: 2018-12-18
• 發明（設計）人: 徐翼豐;曾德強;蓋晨光;劉家樺;葉日銓
• 申請（專利權）人: 德淮半導體有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 徐文欣;吳敏

1.一種等離子體裝置，其特征在于，包括：

腔室；

耦合于所述腔室的等離子體發生單元，用于產生等離子體；

位于所述腔室內的基座，所述基座固定于腔室底部，且所述基座用于承載待處理基底；

耦合于所述腔室的等離子體偏置單元，用于驅動所述等離子體在腔室內向基座表面運動；

第一電極，固設于所述腔室的部分內側壁表面，且所述第一電極頂部表面高于基座的頂部表面，且所述第一電極被施加直流正電壓。

2.如權利要求1所述的等離子體裝置，其特征在于，所述第一電極沿腔室內側壁的周向方向環繞所述基座。

3.如權利要求1所述的等離子體裝置，其特征在于，所述第一電極包括若干個電極單元，各電極單元包括2個電極，每個電極單元中的2個電極相對設置，且相鄰電極相互分立。

4.如權利要求3所述的等離子體裝置，其特征在于，所述電極單元的個數為1個或者1個以上。

5.如權利要求1所述的等離子體裝置，其特征在于，所述第一電極的底部表面高于、低于或齊平于所述基座的頂部表面。

6.如權利要求1所述的等離子體裝置，其特征在于，還包括：位于腔室內的第二電極和第三電極，所述第二電極固定于腔室頂部，所述第三電極設置于基座內。

7.如權利要求6所述的等離子體裝置，其特征在于，當所述等離子體發生單元為電容型時，所述等離子體發生單元包括：所述第二電極、第三電極和第一射頻電源，所述第一射頻電源與第二電極或第三電極電連接。

8.如權利要求6所述的等離子體裝置，其特征在于，當所述等離子體發生單元為電感型時，所述等離子體發生單元包括：線圈以及第二射頻電源，所述線圈位于腔室的頂部，所述第二射頻電源與所述線圈電連接。

9.如權利要求7或8所述的等離子體裝置，其特征在于，所述等離子體偏置單元包括：所述第二電極、所述第三電極、以及與所述第三電極電連接的第三射頻電源。

10.一種等離子體裝置的工作方法，其特征在于，包括：

提供待處理基底；

提供如權利要求1至權利要求9任一項所述等離子體裝置；

將待處理基底置于基座上；

將待處理基底置于基座上之后，通過等離子體發生單元產生等離子體；

在第一電極上施加直流正電壓，在基座上形成平行于基座表面的電場；

通過所述等離子體偏置單元使等離子體向基座表面運動。

11.如權利要求10所述的等離子體裝置的工作方法，其特征在于，所述直流正電壓的范圍為0伏特～2000伏特。

12.如權利要求10所述的等離子體裝置的工作方法，其特征在于，當等離子體發生單元為電容型時，所述等離子體發生單元中第一射頻電源提供的第一射頻功率的范圍為：0瓦～5000瓦。

13.如權利要求10所述的等離子體裝置的工作方法，其特征在于，當等離子體發生單元為電感型時，所述等離子體發生單元中第二射頻電源提供的第二射頻功率的范圍為：0瓦～5000瓦。

14.如權利要求12或者13所述的等離子體裝置的工作方法，其特征在于，所述等離子體偏置單元中第三射頻電源提供的第三射頻功率的范圍為：0瓦～5000瓦。