[發明專利]磁盤裝置及磁盤裝置的控制方法在審
| 申請號: | 201810834457.0 | 申請日: | 2018-07-26 |
| 公開(公告)號: | CN110310670A | 公開(公告)日: | 2019-10-08 |
| 發明(設計)人: | 小島秀一 | 申請(專利權)人: | 株式會社東芝;東芝電子元件及存儲裝置株式會社 |
| 主分類號: | G11B5/09 | 分類號: | G11B5/09;G11B5/596;G11B20/12 |
| 代理公司: | 北京市中咨律師事務所 11247 | 代理人: | 萬利軍;段承恩 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 參數組 磁盤裝置 記錄區域 讀取處理 方法實施 區域對應 寫入處理 寫入數據 控制器 盤沿 | ||
實施方式提供能夠提高與讀取處理以及寫入處理的設定有關的性能的磁盤裝置及磁盤裝置的控制方法。實施方式的磁盤裝置具備:盤;頭,其對所述盤寫入數據,從所述盤讀取數據;以及控制器,其基于多個上位參數組和多個下位參數組對所述頭進行控制,所述多個上位參數組是分別與將所述盤沿半徑方向劃分所得到的多個記錄區域對應的多個參數中的、分別對應于與所述多個記錄區域分別對應的多個上位區域的多個參數組,所述多個下位參數組是分別與將所述多個上位區域分別沿所述半徑方向劃分所得到的多個下位區域對應的所述多個參數中的、與所述多個上位參數組不同的多個參數組。
關聯申請
本申請享有以日本專利申請2018-53035號(申請日:2018年3月20日)為在先申請的優先權。本申請通過參照該在先申請,包含在先申請的全部內容。
技術領域
本發明的實施方式涉及磁盤裝置及磁盤裝置的控制方法。
背景技術
在磁盤裝置中,盤的記錄區域沿半徑方向劃分為多個區(zone)。為了向盤高效地寫入數據,需要進一步精細地劃分區,但按每個區設定的與各頭對應的多個參數的容量會增加。由于精細地劃分區,在磁盤裝置中,與存儲器的使用量、和/或讀取處理以及寫入處理的設定有關的性能會下降。
發明內容
本發明的實施方式提供能夠提高與讀取處理及寫入處理的設定有關的性能的磁盤裝置以及磁盤裝置的控制方法。
實施方式涉及的磁盤裝置具備:盤;頭,其對所述盤寫入數據,從所述盤讀取數據;以及控制器,其基于多個上位參數組和多個下位參數組對所述頭進行控制,所述多個上位參數組是分別與將所述盤沿半徑方向劃分所得到的多個記錄區域對應的多個參數中的、分別對應于與所述多個記錄區域分別對應的多個上位區域的多個參數組,所述多個下位參數組是分別與將所述多個上位區域分別沿所述半徑方向劃分所得到的多個下位區域對應的所述多個參數中的、與所述多個上位參數組不同的多個參數組。
附圖說明
圖1是表示實施方式涉及的磁盤裝置的構成的框圖。
圖2是表示實施方式涉及的盤的半徑位置與頭向盤的記錄頻率的關系的一例的圖。
圖3是表示實施方式涉及的預定區的層級結構的一例的示意圖。
圖4是表示實施方式涉及的預定區的層級結構的表的一例的示意圖。
圖5是表示示出實施方式涉及的各層級與各參數組的關系的表的一例的示意圖。
圖6是表示實施方式涉及的各層級的各參數的儲存方法的一例的框圖。
圖7是表示實施方式涉及的與頭的半徑位置相應的各層級的各參數的變更方法的一例的示意圖。
圖8是表示示出設定為實施方式涉及的中位模式的情況下的能夠變更的各參數組與對應于各層級的多個半徑范圍的關系的表的一例的示意圖。
圖9是表示設定為實施方式涉及的中位模式的情況下的與頭的半徑位置相應的各層級的各參數的變更方法的一例的示意圖。
圖10是表示示出設定為實施方式涉及的最上位模式的情況下的能夠變更的各參數組與各層級的關系的表的一例的示意圖。
圖11是表示設定為實施方式涉及的最上位模式的情況下的與頭的半徑位置相應的各層級的各參數的變更方法的一例的示意圖。
圖12是表示實施方式涉及的頭的控制方法的一例的流程圖。
圖13是表示實施方式涉及的各層級的各參數的調整方法的一例的流程圖。
具體實施方式
以下,參照附圖,對實施方式進行說明。此外,附圖為一例,并不限定發明的范圍。
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