[發明專利]存取閃存模塊的方法及相關的閃存控制器與電子裝置

有效

• 申請號: 201810833862.0
• 申請日: 2018-07-26
• 公開（公告）號: CN110309013B
• 公開（公告）日: 2022-10-21
• 發明（設計）人: 楊宗杰
• 申請（專利權）人: 慧榮科技股份有限公司
• 主分類號: G06F11/10
• 分類號: G06F11/10;G11C29/42;G11C29/44
• 代理公司: 深圳新創友知識產權代理有限公司 44223
• 代理人: 江耀純

本發明公開了一種存取閃存模塊的方法，其包括以下步驟：自主裝置接收數據及對應于該數據的元數據；對該數據進行循環冗余校驗操作以產生循環冗余校驗碼；將該元數據與該循環冗余校驗碼進行編碼操作以產生調整后校驗碼；將該數據與該調整后校驗碼一并進行編碼操作以產生編碼后數據，其中該編碼后數據包括了該數據、該調整后校驗碼以及對應于該數據及該調整后校驗碼的錯誤更正碼；以及將該編碼后數據以及該元數據寫入至該閃存模塊的區塊中的數據頁。

技術領域

本發明是有關于閃存，尤指一種存取閃存模塊的方法。

背景技術

當閃存控制器將來自主裝置的數據寫入至閃存模塊中的數據頁時，會同時地在該數據頁的備用區域(spare area)中寫入對應于該數據的元數據(metadata)，以供后續參考使用。上述的元數據可以由閃存控制器所產生，或是由主裝置所提供。然而，當該元數據是由主裝置所提供時，由于該元數據在寫入到該數據頁的過程中可能會暫時地存儲在閃存控制器的靜態隨機存取內存(Static Random Access Memory，SRAM)以及外部的動態隨機存取內存(Dynamic Random Access Memory，DRAM)，故在這些階段有可能會造成該元數據的數據有錯誤產生，進而使得寫入到該數據頁的內容也是錯誤的，影響到后續數據讀取時的困擾。

發明內容

因此，本發明的目的之一在于提供一種存取閃存模塊的方法，其可以將來自主裝置的元數據進行保護，以避免先前技術中所述的因為靜態隨機存取內存或是動態隨機存取內存存取所造成的元數據錯誤的問題。

在本發明的一個實施例中，揭露一種存取閃存模塊的方法，其包括以下步驟：自主裝置接收數據及對應于該數據的元數據；對該數據進行循環冗余校驗操作以產生循環冗余校驗碼；將該元數據與該循環冗余校驗碼進行編碼操作以產生調整后校驗碼；將該數據與該調整后校驗碼一并進行編碼操作以產生編碼后數據，其中該編碼后數據包括了該數據、該調整后校驗碼以及對應于該數據及該調整后校驗碼的錯誤更正碼；以及將該編碼后數據以及該元數據寫入至該閃存模塊的區塊中的數據頁。

在本發明的另一個實施例中，揭露了一種閃存控制器，其中該閃存控制器是用來存取閃存模塊，且該閃存控制器包括只讀存儲器、微處理器以及多個編譯碼器，其中該只讀存儲器用來存儲程序代碼，且該微處理器用來執行該程序代碼以控制對該閃存模塊的存取。在閃存控制器的操作中，當該閃存控制器自主裝置接收數據及對應于該數據的元數據時，該多個編譯碼器對該數據進行循環冗余校驗操作以產生循環冗余校驗碼，將該元數據與該循環冗余校驗碼進行編碼操作以產生調整后校驗碼，并將該數據與該調整后校驗碼一并進行編碼操作以產生編碼后數據，其中該編碼后數據包括了該數據、該調整后校驗碼以及對應于該數據及該調整后校驗碼的錯誤更正碼；以及該微處理器將該編碼后數據以及該元數據寫入至該閃存模塊的區塊中的數據頁。

在本發明的另一個實施例中，揭露了一種電子裝置，其包括閃存模塊以及閃存控制器。當該閃存控制器自主裝置接收數據及對應于該數據的元數據時，該閃存控制器對該數據進行循環冗余校驗操作以產生循環冗余校驗碼，將該元數據與該循環冗余校驗碼進行編碼操作以產生調整后校驗碼，并將該數據與該調整后校驗碼一并進行編碼操作以產生編碼后數據，其中該編碼后數據包括了該數據、該調整后校驗碼以及對應于該數據及該調整后校驗碼的錯誤更正碼；以及該閃存控制器將該編碼后數據以及該元數據寫入至該閃存模塊的區塊中的數據頁。

附圖說明

圖1為依據本發明實施例的一種記憶裝置的示意圖。

圖2為根據本發明實施例的存取閃存模塊的方法的流程圖。

圖3為第一筆數據及對應的元數據的示意圖。

圖4為根據本發明實施例的循環冗余校驗操作以及互斥或運算的示意圖。

圖5為根據本發明實施例的錯誤更正碼組塊以及區段組塊的示意圖。

圖6為根據本發明實施例的讀取閃存模塊的方法的流程圖。