[發(fā)明專利]半導(dǎo)體存儲裝置及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810832504.8
• 申請日: 2018-07-26
• 公開（公告）號: CN110310954B
• 公開（公告）日: 2023-08-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 野田耕生
• 申請（專利權(quán)）人: 鎧俠股份有限公司
• 主分類號: H10B41/35
• 分類號: H10B41/35;H10B41/20;H10B43/20;H10B43/35
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 楊林勳

實施方式提供一種高可靠性的半導(dǎo)體存儲裝置及其制造方法。實施方式的半導(dǎo)體存儲裝置具備：導(dǎo)電層(15)；多個導(dǎo)電層(19～24)，積層在導(dǎo)電層(15)上；存儲柱(MP)，在多個導(dǎo)電層(19～24)內(nèi)沿著導(dǎo)電層(19～24)積層的方向延伸；以及狹縫(ST)，在導(dǎo)電層(15)上的多個導(dǎo)電層(19～24)的側(cè)面以沿第1方向延伸的方式設(shè)置，與第1方向正交的截面具有兩段形狀。

[相關(guān)申請]

本申請享有以日本專利申請2018-52418號(申請日：2018年3月20日)為基礎(chǔ)申請的優(yōu)先權(quán)。本申請通過參照該基礎(chǔ)申請而包含基礎(chǔ)申請的全部內(nèi)容。

技術(shù)領(lǐng)域

實施方式涉及一種半導(dǎo)體存儲裝置及其制造方法。

背景技術(shù)

作為半導(dǎo)體存儲裝置，已知有存儲單元呈三維排列而成的NAND(Not?AND，與非)型閃速存儲器。

發(fā)明內(nèi)容

實施方式提供一種高可靠性的半導(dǎo)體存儲裝置及其制造方法。

實施方式的半導(dǎo)體存儲裝置具備：第1導(dǎo)電層；多個第2導(dǎo)電層，積層在所述第1導(dǎo)電層上；存儲柱，在所述多個第2導(dǎo)電層內(nèi)沿著所述第2導(dǎo)電層積層的方向延伸；以及第1層，在所述第1導(dǎo)電層上的所述多個第2導(dǎo)電層的側(cè)面以沿第1方向延伸的方式設(shè)置，與所述第1方向正交的截面具有兩段形狀。

附圖說明

圖1是表示實施方式的半導(dǎo)體存儲裝置的構(gòu)成的俯視圖。

圖2是沿著圖1中的A-A'線的剖視圖。

圖3是沿著圖1中的B-B'線的剖視圖。

圖4是實施方式的存儲柱的沿Y方向的剖視圖。

圖5是表示實施方式的主要部分的構(gòu)成的剖視圖。

圖6是表示實施方式的半導(dǎo)體存儲裝置的制造方法的剖視圖。

圖7是表示實施方式的半導(dǎo)體存儲裝置的制造方法的剖視圖。

圖8是表示實施方式的半導(dǎo)體存儲裝置的制造方法的剖視圖。

圖9是表示實施方式的半導(dǎo)體存儲裝置的制造方法的剖視圖。

圖10是表示實施方式的半導(dǎo)體存儲裝置的制造方法的剖視圖。

圖11是表示實施方式的半導(dǎo)體存儲裝置的制造方法的剖視圖。

圖12是表示實施方式的半導(dǎo)體存儲裝置的制造方法的剖視圖。

圖13是表示實施方式的半導(dǎo)體存儲裝置的制造方法的剖視圖。

圖14是表示實施方式的半導(dǎo)體存儲裝置的制造方法的剖視圖。

圖15是表示實施方式的半導(dǎo)體存儲裝置的制造方法的剖視圖。

圖16是表示實施方式的半導(dǎo)體存儲裝置的制造方法的剖視圖。

圖17是表示實施方式的半導(dǎo)體存儲裝置的制造方法的剖視圖。

圖18是表示實施方式的半導(dǎo)體存儲裝置的制造方法的剖視圖。

圖19是表示實施方式的變化例的主要部分的構(gòu)成的剖視圖。

具體實施方式

以下，參照附圖對實施方式進(jìn)行說明。在以下的說明中，對具有相同的功能及構(gòu)成的構(gòu)成要素標(biāo)注相同的符號。另外，各實施方式例示用來使該實施方式的技術(shù)思想具體化的裝置或方法。

1.實施方式