[發(fā)明專利]提純太陽能級(jí)多晶硅的裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810831924.4
• 申請(qǐng)日: 2018-07-26
• 公開（公告）號(hào): CN108588830B
• 公開（公告）日: 2019-08-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王書杰;孟靜
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 江蘇金暉光伏有限公司
• 主分類號(hào): C30B29/06
• 分類號(hào): C30B29/06;C30B28/08;C30B30/04;C01B33/037
• 代理公司: 揚(yáng)州潤(rùn)中專利代理事務(wù)所(普通合伙) 32315
• 代理人: 翁斌

1.一種提純太陽能級(jí)多晶硅的裝置，其特征在于：包括爐體（21），所述爐體（21）的底部設(shè)置有坩堝桿（20），所述坩堝桿（20）的一端位于所述爐體（21）的外側(cè)，所述坩堝桿（20）的另一端位于所述爐體（21）內(nèi)，坩堝支撐（17）固定在所述坩堝桿（20）位于爐體（21）內(nèi)的一端上，坩堝（18）位于所述坩堝支撐（17）內(nèi)，所述坩堝支撐（17）的外周設(shè)置有加熱器（16），所述坩堝（18）的上方設(shè)置有偶數(shù)個(gè)電磁約束熔煉器，所述電磁約束熔煉器用于產(chǎn)生區(qū)域熔煉熔池，通過區(qū)域熔煉熔池對(duì)多晶硅錠進(jìn)行熔化加熱的同時(shí)進(jìn)行電磁約束，所述電磁約束熔煉器從下到上設(shè)置，且相鄰的所述電磁約束熔煉器左右錯(cuò)開設(shè)置，上一個(gè)所述電磁約束熔煉器的高度高于相鄰的下側(cè)的電磁約束熔煉器的高度，電磁約束熔煉器所產(chǎn)生的熔煉熔池伴隨多晶硅錠的提拉運(yùn)動(dòng)對(duì)多晶硅錠進(jìn)行提純，所述爐體（21）的頂部設(shè)置有籽晶桿（1），所述籽晶桿（1）的上端位于所述爐體（21）外側(cè)，所述籽晶桿（1）的下端位于所述爐體（21）內(nèi)，位于所述爐體（21）內(nèi)的籽晶桿的一端上固定有籽晶（2），且所述籽晶桿（1）在左右方向上位于電磁約束熔煉器之間，位于所述爐體（21）外側(cè)一端籽晶桿（1）上設(shè)置有籽晶桿升降及旋轉(zhuǎn)裝置，用于驅(qū)動(dòng)所述籽晶桿（1）上下升降運(yùn)動(dòng)；位于所述爐體（21）外的所述坩堝桿（20）的一端設(shè)置有坩堝桿旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)裝置，用于通過驅(qū)動(dòng)所述坩堝桿（20）轉(zhuǎn)動(dòng)帶動(dòng)所述坩堝轉(zhuǎn)動(dòng)。

2.如權(quán)利要求1所述的提純太陽能級(jí)多晶硅的裝置，其特征在于：所述電磁約束熔煉器設(shè)置有四個(gè)，從下到上為電磁約束熔煉器a（14）、電磁約束熔煉器b（12）、電磁約束熔煉器c（10）和電磁約束熔煉器d（8），其中所述電磁約束熔煉器a（14）和電磁約束熔煉器c（10）位于左側(cè)，電磁約束熔煉器b（12）和電磁約束熔煉器d（8）位于右側(cè)，電磁約束熔煉器a（14）、電磁約束熔煉器b（12）、電磁約束熔煉器c（10）和電磁約束熔煉器d（8），用于對(duì)多晶硅錠（3）上區(qū)域熔煉熔池內(nèi)的熔體產(chǎn)生對(duì)稱的電磁約束力，保持多晶硅錠（3）受力平衡，并可以上下運(yùn)動(dòng)和左右運(yùn)動(dòng)。

3.如權(quán)利要求2所述的提純太陽能級(jí)多晶硅的裝置，其特征在于：每個(gè)所述電磁約束熔煉器的下側(cè)設(shè)置有一個(gè)位置傳感器（8-3），所述位置傳感器（8-3）用于感應(yīng)所述多晶硅錠（3）的直徑，根據(jù)直徑變化來調(diào)整電磁約束熔煉器的位置。

4.如權(quán)利要求2所述的提純太陽能級(jí)多晶硅的裝置，其特征在于：與每個(gè)所述電磁約束熔煉器相對(duì)的位置設(shè)置有一個(gè)厚度探測(cè)器，所述厚度探測(cè)器用于控制所述電磁約束熔煉器形成的區(qū)域熔煉熔池的大小，從下到上分別為與電磁約束熔煉器a（14）相對(duì)應(yīng)的厚度探測(cè)器a（15）、與電磁約束熔煉器b（12）相對(duì)應(yīng)的厚度探測(cè)器b（13）、與電磁約束熔煉器c（10）相對(duì)應(yīng)的厚度探測(cè)器c（11）以及與電磁約束熔煉器d（8）相對(duì)應(yīng)的厚度探測(cè)器d（9）。

5.如權(quán)利要求2所述的提純太陽能級(jí)多晶硅的裝置，其特征在于：所述電磁約束熔煉器包括區(qū)域熔煉線圈（8-1）、線圈絕緣支撐（8-4）以及電磁約束熔煉器運(yùn)動(dòng)桿（8-2），所述區(qū)域熔煉線圈（8-1）通過所述線圈絕緣支撐（8-4）進(jìn)行支撐并進(jìn)行絕緣隔離，所述運(yùn)動(dòng)桿水平設(shè)置，且所述運(yùn)動(dòng)桿的一端位于所述爐體（21）內(nèi)，所述運(yùn)動(dòng)桿的另一端位于所述爐體（21）外，位于所述爐體（21）內(nèi)的所述運(yùn)動(dòng)桿的一端與所述線圈絕緣支撐（8-4）固定連接。

6.如權(quán)利要求5所述的提純太陽能級(jí)多晶硅的裝置，其特征在于：所述線圈絕緣支撐（8-4）的整體為在其側(cè)壁上設(shè)置有上下方向延伸的開口的筒狀結(jié)構(gòu)，所述絕緣支撐的橫截面的圓心角大于180°且小于225°。