[發(fā)明專利]天線模塊及制造天線模塊的方法

有效

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• 申請日: 2018-07-26
• 公開（公告）號: CN109309280B
• 公開（公告）日: 2021-11-09
• 發(fā)明（設計）人: 姜鎬炅;金錫慶
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H01Q1/38
• 分類號: H01Q1/38;H01Q1/50;H01Q1/52;H01Q21/06
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 田碩;金光軍

1.一種天線模塊，包括：

集成電路，被構造為生成射頻信號；以及

基板，包括提供所述基板的第一表面的天線部和提供所述基板的第二表面的電路圖案部；

其中，所述天線部包括被構造為發(fā)送所述射頻信號的第一天線構件、對應于所述第一天線構件的腔、分別設置在所述腔中并且分別電連接到所述第一天線構件的通過孔、至少部分地二維地圍繞每個所述腔的絕緣構件以及設置在所述腔中的至少一個腔中的鍍覆構件，所述鍍覆構件至少部分地二維地圍繞所述通過孔，并且

其中，所述電路圖案部包括電路圖案和絕緣層，并且為每個所述通過孔形成到所述集成電路的電連接路徑，

所述天線模塊還包括介電構件，所述介電構件設置在所述腔中的至少一個腔中，并且所述介電構件的介電常數不同于所述絕緣構件的介電常數。

2.根據權利要求1所述的天線模塊，其中，

所述絕緣構件的厚度大于所述絕緣層的厚度。

3.根據權利要求2所述的天線模塊，其中，所述通過孔形成所述電路圖案部和所述第一天線構件中的對應的第一天線構件之間的線性連接。

4.根據權利要求1所述的天線模塊，其中，所述鍍覆構件二維地圍繞每個所述腔。

5.根據權利要求1所述的天線模塊，其中，所述天線部還包括和所述鍍覆構件一起至少部分地二維地圍繞每個所述腔的屏蔽過孔。

6.根據權利要求1所述的天線模塊，其中，

所述介電構件至少部分地二維地圍繞所述通過孔中的對應的通過孔，并且，

其中，所述介電構件的介電常數不同于所述絕緣層的介電常數，并且所述介電構件利用石英或聚四氟乙烯形成。

7.根據權利要求1至6中任一項所述的天線模塊，其中，所述介電構件的介電損耗因子小于所述絕緣層的介電損耗因子和/或所述絕緣構件的介電損耗因子，并且所述介電構件的介電常數小于所述絕緣層的介電常數和/或所述絕緣構件的介電常數。

8.根據權利要求1所述的天線模塊，其中，

所述第一天線構件設置在對應的所述腔中，并且，

所述天線部還包括：第二天線構件，對應于所述第一天線構件；以及包封構件，至少部分地二維地圍繞所述第二天線構件，并且形成所述第一表面。

9.根據權利要求1所述的天線模塊，其中，所述集成電路被構造為將通過設置在所述第二表面上的連接器或接收端口接收的信號轉換為毫米波段的射頻信號。

10.一種制造天線模塊的方法，包括：

切割絕緣構件，從而在所述絕緣構件中形成腔，并且使所述絕緣構件圍繞所述腔；

鍍覆所述絕緣構件以形成圍繞所述腔的鍍覆構件；

在所述腔中形成第一天線構件和通過孔；

在所述腔中的至少一個腔中設置介電構件，其中，所述介電構件的介電常數不同于所述絕緣構件的介電常數；

將所述絕緣構件附著到包括電路圖案的電路圖案部；以及

在所述電路圖案部的表面上設置集成電路。

11.根據權利要求10所述的方法，還包括：

在所述絕緣構件上將包封構件和第二天線構件擠壓在一起。

12.根據權利要求10所述的方法，其中，

形成第一天線構件和通過孔的步驟包括將所述通過孔形成為連接到所述第一天線構件中的相應的第一天線構件，

將絕緣構件附著到電路圖案部的步驟包括設置所述絕緣構件使得所述通過孔連接到所述電路圖案。

13.根據權利要求12所述的方法，其中，在電路圖案部的表面上設置集成電路的步驟包括使所述集成電路連接到所述電路圖案。

14.根據權利要求10所述的方法，其中，在所述腔中的至少一個腔中設置介電構件使得所述介電構件被所述通過孔中的相應的通過孔貫穿，其中，利用石英或聚四氟乙烯形成所述介電構件。