[發明專利]半導體結構的制備方法及半導體結構

有效

• 申請號: 201810830243.6
• 申請日: 2018-07-24
• 公開（公告）號: CN109037051B
• 公開（公告）日: 2021-02-12
• 發明（設計）人: 趙東光;占瓊;周俊
• 申請（專利權）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L21/285
• 分類號: H01L21/285;H01L21/336;H01L29/45;H01L29/78
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅

1.一種半導體結構的制備方法，其特征在于，所述半導體結構為高壓晶體管，所述半導體結構的制備方法包括：

提供襯底，所述襯底中形成有源區和漏區，所述襯底上形成有位于所述源區和漏區之間的柵極結構，所述柵極結構與所述源區或者所述柵極結構與所述漏區之間具有漂移區；

在所述襯底上形成介質層，所述介質層覆蓋所述柵極結構并延伸覆蓋所述襯底；

采用研磨工藝以去除所述柵極結構上的介質層；

去除所述源區及所述漏區上的介質層；

在所述源區、漏區及柵極結構上形成硅化物層。

2.如權利要求1所述的半導體結構的制備方法，其特征在于，所述柵極結構包括柵電極及形成于所述柵電極兩側的側墻。

3.如權利要求2所述的半導體結構的制備方法，其特征在于，去除所述柵極結構上的介質層的步驟包括：

在所述介質層上形成阻擋層；

采用研磨工藝去除所述柵極結構上的阻擋層及介質層，以露出所述柵電極；

去除所述阻擋層。

4.如權利要求3所述的半導體結構的制備方法，其特征在于，所述阻擋層為氧化硅、氧化硅-氮化硅或者氧化硅-氮化硅-氧化硅的復合結構層。

5.如權利要求3所述的半導體結構的制備方法，其特征在于，去除所述源區及所述漏區上的介質層的步驟包括：

在所述介質層上形成光刻膠層，所述光刻膠層覆蓋所述柵電極并延伸覆蓋所述介質層；

對所述光刻膠層進行曝光顯影工藝以形成圖形化的光刻膠層，所述圖形化的光刻膠層中形成有露出所述介質層的第一開口及第二開口，所述第一開口對準所述源區，所述第二開口對準所述漏區；

以所述圖形化的光刻膠層為掩膜，刻蝕所述第一開口及第二開口下方的介質層，形成露出所述襯底的第三開口及第四開口，所述第三開口對準所述源區，所述第四開口對準所述漏區；

去除所述圖形化的光刻膠層。

6.如權利要求5所述的半導體結構的制備方法，其特征在于，在所述源區、漏區及柵極結構上形成硅化物層的步驟包括：

在所述介質層上形成金屬層，所述金屬層覆蓋所述柵電極及所述第三開口和第四開口露出的襯底并延伸覆蓋所述介質層；

進行第一次快速熱退火工藝，以在所述第三開口和第四開口露出的襯底上及所述柵電極上形成硅化物層；

去除剩余的所述金屬層；

進行第二次快速熱退火工藝，以將所述硅化物層的阻值降低。

7.如權利要求6所述的半導體結構的制備方法，其特征在于，第一次快速熱退火工藝的溫度在300攝氏度-500攝氏度之間，第二次快速熱退火工藝的溫度在400攝氏度-1000攝氏度之間。

8.如權利要求6所述的半導體結構的制備方法，其特征在于，采用濕法刻蝕以去除剩余的所述金屬層。

9.如權利要求6所述的半導體結構的制備方法，其特征在于，所述金屬層的材料包括鎳、鈦、鈷、鉭、鉑、鉬及鎢中的一種或多種。

10.如權利要求1-9中任一項所述的半導體結構的制備方法，其特征在于，所述介質層為氧化硅、氧化硅-氮化硅或者氧化硅-氮化硅-氧化硅的復合結構層。

11.一種半導體結構，其特征在于，所述半導體結構采用如權利要求1-10中任一項所述半導體結構的制備方法形成，所述半導體結構為高壓晶體管，包括：

襯底，所述襯底中形成源區和漏區，所述襯底上形成有位于所述源區和漏區之間的柵極結構；

硅化物層，所述硅化物層位于所述襯底上，并覆蓋所述源區、漏區及柵極結構；

介質層，所述介質層覆蓋所述柵極結構的側壁并延伸覆蓋所述襯底未被所述硅化物層覆蓋的部分，其中，所述柵極結構與所述源區或者所述柵極結構與所述漏區之間具有漂移區，所述介質層覆蓋所述漂移區；

其中，所述源區、漏區及柵極結構上的硅化物層同時形成。

12.如權利要求11所述的半導體結構，其特征在于，所述半導體結構還包括接觸孔，所述接觸孔位于所述硅化物層上，以將所述源區、漏區及柵極結構連出。