[發明專利]電子芯片有效
| 申請號: | 201810829792.1 | 申請日: | 2018-07-25 |
| 公開(公告)號: | CN109309058B | 公開(公告)日: | 2022-12-06 |
| 發明(設計)人: | S·珀蒂迪迪埃 | 申請(專利權)人: | 意法半導體(克洛爾2)公司 |
| 主分類號: | H01L23/00 | 分類號: | H01L23/00;H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人: | 王茂華;董典紅 |
| 地址: | 法國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電子 芯片 | ||
電子芯片包括:導電焊盤,位于襯底的前側,襯底由半導體材料制成;腔體,從襯底的背側延伸至襯底中,每個腔體到達導電焊盤;導電層,覆蓋腔體的壁和底部并且包括導電層的多個部分,每個部分在背側上延伸在兩個腔體之間,導電層的每個部分局部地位于突起上;以及電路,能夠檢測在兩個焊盤之間測量的電氣特性的變化。
本申請要求于2017年7月27日提交的法國專利申請第17/57142號的優先權,其內容在法律允許的最大程度上通過引用被整體并入本文。
技術領域
本公開內容涉及電子芯片,例如,防止從背側實施的攻擊的電子芯片。
背景技術
電子芯片可能會受到攻擊,目的在于確定芯片的操作和從中提取機密信息。
通過集成電路操作的盜印信息的方法包括刻蝕芯片的背側(例如,通過化學刻蝕或通過化學機械拋光)。這樣就可以訪問芯片的有源部分,例如,通過利用離子束刻蝕腔體,以在那里建立與位于前側的部件的接觸。在第一刻蝕步驟,盜印者可以看到位于背側的可能的芯片保護裝置,并在對抗措施被觸發之前拆除它們。例如,這種對抗措施可以是破壞芯片中所包含的信息。
發明內容
因此,實施例提供了電子芯片,該電子芯片包括:導電焊盤,位于半導體材料襯底前側;腔體,被從襯底背側刻蝕進入襯底,每個腔體到達導電焊盤;導電層,覆蓋腔體的壁和底部,并且包括在背側將特定腔體兩兩連接的導電層部分,每個導電層部分局部地位于突起上;以及電路,能夠檢測兩個焊盤之間測量的電氣特性的變化。
根據實施例,每個突起的長度近似在分離腔體的距離的從10%到40%的范圍內,該腔體在其間具有突起。
根據實施例,特定導電層部分在突起的較低部分的級別被中斷。
根據實施例,絕緣材料填滿腔體,并覆蓋芯片的背側和導電層,絕緣材料是不透明的,并且該絕緣材料具有比導電層材料低的刻蝕選擇性。
根據實施例,突起是由與襯底相同的材料制成的。
根據實施例,突起是由電絕緣材料制成的。
根據實施例,電路能夠測量焊盤之間的電阻,并且每個焊盤被直接連接到導電層。
根據實施例,電路能夠測量焊盤之間的電容,并且每個焊盤與導電層由絕緣材料的第一層分離開。
實施例提供了電子芯片的制造方法,該制造方法包括:a)在半導體襯底的前側形成導電焊盤;b)從襯底的背側刻蝕與導電焊盤相對的腔體;c)刻蝕襯底的背側直到腔體到達相應的焊盤,并在腔體之間形成突起;4)利用導電層覆蓋襯底的背側;以及e)刻蝕導電層以形成多個部分,每一部分在兩個腔體之間延伸,每一部分都局部地位于突起上。
根據實施例,刻蝕導電層的步驟e)也包括形成在突起的級別被中斷的導電層部分。
根據實施例,突起是由刻蝕掩模部分形成的。
根據實施例,絕緣材料的第一層是在步驟c)和d)之間沉積在腔體的壁和底部上的。
前述的及其它特征和優點將在對與附圖有關的具體實施例的以下非限制性描述中詳細討論。
附圖說明
圖1是防止背側攻擊的芯片的簡化的截面圖;
圖2是防止背側攻擊的芯片的實施例的簡化的截面圖;
圖3是在從背側執行刻蝕之后圖2的芯片的截面圖;以及
圖4A到圖4E是圖示圖2的芯片的制造步驟的簡化的截面圖。
具體實施方式
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于意法半導體(克洛爾2)公司,未經意法半導體(克洛爾2)公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
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