[發(fā)明專利]陣列基板、液晶顯示面板、裝置及制備陣列基板的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810829381.2 | 申請日: | 2018-07-25 |
| 公開(公告)號: | CN108873527A | 公開(公告)日: | 2018-11-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 游利軍;程才權(quán) | 申請(專利權(quán))人: | OPPO(重慶)智能科技有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1362 | 分類號: | G02F1/1362 |
| 代理公司: | 深圳市威世博知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 鐘子敏 |
| 地址: | 401120 重慶*** | 國省代碼: | 重慶;50 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 信號線 陣列基板 液晶顯示面板 陣列玻璃 多晶硅 基底層 制備 掃描線 凸出部 通槽 液晶顯示裝置 無機(jī)絕緣層 信號線間隔 信號線連接 鄰近設(shè)置 最底層 包覆 申請 填充 | ||
1.一種陣列基板,其特征在于,包括:
陣列玻璃;
多個信號線,間隔設(shè)置在所述陣列玻璃上;
基底層,設(shè)置于所述陣列玻璃設(shè)有所述信號線一側(cè),并包覆所述信號線,且所述基底層與所述信號線相對的位置設(shè)置通槽;
多晶硅,形成在所述基底層遠(yuǎn)離所述陣列玻璃一側(cè),且所述多晶硅上形成第一凸出部,所述第一凸出部填充于所述通槽中,以使得所述多晶硅與所述信號線連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,還包括與所述信號線同層設(shè)置的遮光層,所述遮光層朝向所述多晶硅方向的正投影覆蓋所述多晶硅的溝道。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板,其特征在于,所述遮光層與所述信號線為同一種材質(zhì)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板,其特征在于,所述信號線采用鈦、鋁、金屬合金或者鈦鋁鈦中的一種材質(zhì)制成。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板,其特征在于,所述信號線與所述遮光層厚度相同。
6.根據(jù)權(quán)利要求3-5任一項(xiàng)所述的陣列基板,其特征在于,所述信號線的橫截面為長方形,所述多晶硅的橫截面包括基體部以及與基體部一體成型的所述凸出部。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,還包括形成在所述基底層遠(yuǎn)離陣列玻璃一側(cè)的柵極絕緣層,以及形成在所述柵極絕緣層遠(yuǎn)離多晶硅一側(cè)的掃描線,所述柵極絕緣層包覆所述多晶硅,所述掃描線與所述多晶硅相對設(shè)置,且由所述柵極絕緣層間隔開。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板,其特征在于,還包括依次層疊設(shè)置的有機(jī)平坦層、共電體、無機(jī)絕緣層以及像素電極,且所述有機(jī)平坦層、所述無機(jī)絕緣層、所述柵極絕緣層以及基底層均形成相互連通的貫穿部,其中所述有機(jī)平坦層形成在所述柵極絕緣層遠(yuǎn)離所述陣列玻璃一側(cè),并包覆所述掃描線,所述像素電極上設(shè)置第二凸出部,所述第二凸出部穿過所述貫穿部與所述信號線連接,所述共電體與所述像素電極的第二凸出部由所述無機(jī)絕緣層間隔開設(shè)置。
9.一種液晶顯示面板,其特征在于,包括彩膜基板,以及與所述彩膜基板相對設(shè)置的如權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的陣列基板。
10.一種液晶顯示裝置,其特征在于,包括背光以及如權(quán)利要求9所述的液晶顯示面板。
11.一種制備陣列基板的方法,其特征在于,包括:
提供一陣列玻璃;
在所述陣列玻璃上形成間隔設(shè)置的信號線;
在所述陣列玻璃設(shè)有所述信號線一側(cè)形成基底層,并使所述基底層包覆所述信號線,其中所述基底層與所述信號線相對的位置形成通槽;
在所述基底層遠(yuǎn)離所述陣列玻璃一側(cè)形成多晶硅,使得所述多晶硅上形成第一凸出部,所述第一凸出部填充于所述通槽中,以使得所述多晶硅與所述信號線連接。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制備陣列基板的方法,其特征在于,還包括:
所述在所述陣列玻璃上形成間隔設(shè)置的信號線的步驟包括:
在所述陣列玻璃上形成間隔設(shè)置的信號線與遮光層,使得遮光層位于相鄰的信號線之間,且所述遮光層朝向所述多晶硅方向的正投影覆蓋所述多晶硅的溝道。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制備陣列基板的方法,其特征在于,還包括:
在基底層遠(yuǎn)離陣列玻璃一側(cè)形成柵極絕緣層,使得柵極絕緣層包覆所述多晶硅;
在所述柵極絕緣層遠(yuǎn)離所述陣列玻璃一側(cè)形成掃描線,使得所述掃描線朝垂直于所述陣列玻璃一側(cè)的正投影與所述多晶硅的一部分重合,且由所述柵極絕緣層間隔開。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制備陣列基板的方法,其特征在于,還包括:
在柵極絕緣層遠(yuǎn)離陣列基板一側(cè)依次形成有機(jī)平坦層、共電體以及無機(jī)絕緣層,且所述有機(jī)平坦層、所述無機(jī)絕緣層、所述柵極絕緣層以及基底層均形成相互連通的貫穿部;
在所述無機(jī)絕緣層上形成像素電極,使得像素電極上朝向所述陣列玻璃一側(cè)形成第二凸出部,所述第二凸出部穿過所述貫穿部與所述信號線連接。
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G02F1-35 .非線性光學(xué)
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