[發明專利]一種倒裝LED及封裝方法在審
| 申請號: | 201810828927.2 | 申請日: | 2018-07-25 |
| 公開(公告)號: | CN109244214A | 公開(公告)日: | 2019-01-18 |
| 發明(設計)人: | 董學文;董月圓 | 申請(專利權)人: | 長興科迪光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/48 | 分類號: | H01L33/48;H01L33/52;H01L33/62 |
| 代理公司: | 杭州知瑞知識產權代理有限公司 33271 | 代理人: | 陳俊 |
| 地址: | 313100 浙江省*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 倒裝 組織層 封裝 鍵合材料層 線路板 中央芯片 散射面 襯底 反光 透明樹脂膠層 印制 導電連接層 安裝結構 電極引腳 連接電極 量子阱層 使用壽命 藍寶石 硅基板 上表面 下表面 最上層 融點 水脂 圖線 引腳 襯托 錯位 芯片 | ||
1.一種倒裝LED,其特征在于:包括透明樹脂膠層(101)、中央芯片組織層(2)及襯托組織層(3)組成;所述的中央芯片組織層(2)最上層為藍寶石襯底(102),其襯底上依次形成N型GaN層(103)、量子阱層(104)、P型GaN層(105)和反光散射面(107);所述的反光散射面(107)水脂膠定位于印制線路板(202)上表面;所述的印制線路板(202)下表面的鍵合材料層(204)通過圖線導電連接層(302)連接電極引腳(305);所述的電極引腳(305)設置于硅基板(301)內部。
2.根據權利要求1所述的一種倒裝LED,其特征在于:所述的透明樹脂膠層(101)位圓弧狀。
3.根據權利要求1所述的一種倒裝LED,其特征在于:所述的P型GaN層(105)刻蝕量子阱層(104)形成P電極平臺,P電極平臺暴露于N型GaN層外,且N型GaN層獨立形成N電極平臺。
4.根據權利要求1所述的一種倒裝LED,其特征在于:所述的N電極平臺與P電極平臺形成于印制線路板(202)表面上,其材料為鋁基金屬。
5.根據權利要求1所述的一種倒裝LED,其特征在于:所述的印制線路板(202)和硅基板襯底(301)之間設置有鍵合材料層(204),其材料為陶瓷材料,且四周由硅膠膜圍繞包裹。
6.根據權利要求5所述的一種倒裝LED,其特征在于:所述的鍵合材料層(204)中央開設有金屬化接導點(203)。
7.根據權利要求6所述的一種倒裝LED,其特征在于:所述的金屬化接導點(203)與圖線導電連接層(302)接觸處為硅基板(301)上表面空腔散熱層(301),且由銀膠固晶體絕緣層(303)封裝。
8.根據權利要求6所述的一種倒裝LED,其特征在于:所述的硅基板(301)底部設置有若干散熱通孔(304),且延伸至內部電極引腳(305)。
9.根據權利要求1所述的一種倒裝LED方法,包括:如下步驟,
步驟1):采用擴片機對對黏膠芯片膜進行擴張,使LED芯片之間距拉伸約為0.6mm;
步驟2):在LED硅基板支架的相應位置用銀膠固晶體進行點膠或備膠處理;
步驟3):將擴張后的LED芯片同印制線路板、鍵合材料層通過銀膠固晶體自動裝夾刺片于硅基板支架位置上;
步驟4):對銀膠固晶體進行150°至200°的一小時燒結固化處理;
步驟5):將電機引到LED芯片上進行金絲球(鋁絲球)孔串壓焊處理;
步驟6):在LED成型模內注入液態環氧,插入壓焊后的硅基板支架,放入烘箱進行環氧固化灌水膠封裝成型處理;
步驟7):由劃片機對LED支架連筋進行切筋,分離工作,最后測試包裝處理。
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