[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810828758.2
• 申請(qǐng)日: 2018-07-25
• 公開（公告）號(hào): CN110767749B
• 公開（公告）日: 2023-06-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊震;王剛寧;郭兵;趙國旭;趙曉燕
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L23/48;H01L21/336
• 代理公司: 上海知錦知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 31327
• 代理人: 高靜;李麗

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

基底，所述基底內(nèi)形成有相鄰接的阱區(qū)和漂移區(qū)；

柵極結(jié)構(gòu)，位于所述阱區(qū)和漂移區(qū)交界處的基底上；

源區(qū)，位于所述柵極結(jié)構(gòu)一側(cè)的阱區(qū)內(nèi)；

漏區(qū)，位于所述柵極結(jié)構(gòu)另一側(cè)的漂移區(qū)內(nèi)；

硅化物阻擋層，位于所述柵極結(jié)構(gòu)靠近所述漏區(qū)一側(cè)的基底上，所述硅化物阻擋層還延伸至所述柵極結(jié)構(gòu)靠近所述漏區(qū)一側(cè)的側(cè)壁和部分頂部；

第一通孔互連結(jié)構(gòu)，位于所述柵極結(jié)構(gòu)和漏區(qū)之間的硅化物阻擋層上；

所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括：介質(zhì)層，位于所述基底上，所述介質(zhì)層包括位于所述基底上的層間介質(zhì)層、位于所述層間介質(zhì)層上的第一金屬層間介質(zhì)層、以及位于所述第一金屬層間介質(zhì)層上的第二金屬層間介質(zhì)層；

所述第一通孔互連結(jié)構(gòu)位于所述第二金屬層間介質(zhì)層、第一金屬層間介質(zhì)層和層間介質(zhì)層內(nèi)，且所述第一通孔互連結(jié)構(gòu)為一體結(jié)構(gòu)；

所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括：位于所述層間介質(zhì)層內(nèi)的接觸孔插塞，所述接觸孔插塞與所述柵極結(jié)構(gòu)、源區(qū)和漏區(qū)電連接；位于所述第一金屬層間介質(zhì)層內(nèi)的第一金屬互連結(jié)構(gòu)，所述第一金屬互連結(jié)構(gòu)與所述接觸孔插塞電連接；位于所述第二金屬層間介質(zhì)層內(nèi)的第二通孔互連結(jié)構(gòu)，所述第二通孔互連結(jié)構(gòu)與所述第一金屬互連結(jié)構(gòu)電連接。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括：位于所述第二金屬層間介質(zhì)層內(nèi)的第一金屬層，所述第一金屬層與所述第一通孔互連結(jié)構(gòu)頂部相接觸，所述第一金屬層和所述第一通孔互連結(jié)構(gòu)用于構(gòu)成第二金屬互連結(jié)構(gòu)；

位于所述第二金屬層間介質(zhì)層內(nèi)的第二金屬層，所述第二金屬層與所述第二通孔互連結(jié)構(gòu)頂部相接觸，所述第二金屬層和所述第二通孔互連結(jié)構(gòu)用于構(gòu)成第三金屬互連結(jié)構(gòu)。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括接觸孔刻蝕停止層，覆蓋所述基底、柵極結(jié)構(gòu)和硅化物阻擋層；

所述第一通孔互連結(jié)構(gòu)位于所述接觸孔刻蝕停止層上。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，沿垂直于所述柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁的方向，所述第一通孔互連結(jié)構(gòu)的尺寸為0.2μm至5μm。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括：阻擋層，位于所述第一通孔互連結(jié)構(gòu)與所述介質(zhì)層之間、以及所述第一通孔互連結(jié)構(gòu)與所述硅化物阻擋層之間。

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述阻擋層的材料為Ti、Ta、W、TiN、TaN、TiSiN、TaSiN、WN或WC中的一種或幾種。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一通孔互連結(jié)構(gòu)的材料為Cu、Al或W。