[發明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201810826061.1
• 申請日: 2013-04-19
• 公開（公告）號: CN108807273B
• 公開（公告）日: 2023-10-17
• 發明（設計）人: 倉智司;日佐光男;坂本圭司;巖崎太一
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L21/8234
• 分類號: H01L21/8234;H10B12/00
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華;張寧

1.一種制造半導體器件的方法，包括：

在襯底之上形成第一區域中的第一晶體管的第一柵極電極、以及第二區域中的第二晶體管的第二柵極電極；

在所述第一區域和所述第二區域中形成在所述襯底之上的偏移間隔體膜，以覆蓋所述第一柵極電極和所述第二柵極電極；

選擇性地蝕刻在所述第二區域中形成的所述偏移間隔物膜，以暴露所述第二柵極電極的上表面、以及所述襯底的在所述第二區域中的所述第二柵極電極周圍的上表面，并留下在所述第一區域中形成的所述偏移間隔物膜、以及在所述第二柵極電極的側邊上形成的所述偏移間隔體膜；

在所述第一區域中形成的所述偏移間隔物膜、所述第二柵極電極、所述第二柵極電極的側邊的所述偏移間隔物膜、以及所述第二區域中的所述襯底上形成第一絕緣膜；

形成第二絕緣膜以覆蓋所述第一絕緣膜；

通過回蝕刻所述第一絕緣膜和所述第二絕緣膜，形成在所述第一柵極電極上形成的所述偏移間隔物膜的側邊上的第一側壁、以及在所述第二柵極電極的側邊上形成的所述偏移間隔物膜的側邊上的第二側壁；以及

通過使用第一柵極電極、在所述第一柵極電極的側邊上形成的所述偏移間隔物膜、所述第一側壁、所述第二柵極電極、在所述第二柵極電極的側邊上形成的所述偏移間隔物膜以及所述第二側壁作為掩模，在所述襯底中注入離子，由此形成用于所述第一晶體管的源極和漏極的第一擴散層、以及用于所述第二晶體管的源極和漏極的第二擴散層。

2.根據權利要求1的制造半導體器件的方法，還包括：

通過使用所述第一柵極電極、在所述第一柵極電極的側邊上形成的所述偏移間隔物膜、所述第二柵極電極和在所述第二柵極電極的側邊上形成的所述偏移間隔物膜作為掩模，在所述襯底中注入離子，由此在形成所述第一絕緣膜之前，形成所述第一晶體管的第一輕摻雜漏極(LDD)區域、以及所述第二晶體管的第二輕摻雜漏極區域。

3.根據權利要求1的制造半導體器件的方法，還包括：

在形成所述第一擴散層和所述第二擴散層之后，在所述第一側壁和所述第二側壁上形成硅化物阻擋膜；以及

在所述第一擴散層上形成第一硅化物層，在所述第二擴散層上形成第二硅化物層，在所述第一柵極電極上形成第三硅化物層，以及在所述第二柵極電極上形成第四硅化物層。

4.根據權利要求1的制造半導體器件的方法，選擇性地蝕刻所述偏移間隔體膜包括：

形成掩模膜以覆蓋第一區域，

使用所述掩模膜作為掩模來蝕刻所述偏移間隔體膜；以及

去除在所述第一區域中形成的所述掩模膜。

5.根據權利要求1的制造半導體器件的方法，

其中所述第一區域是動態隨機存取存儲區域，以及所述第二區域是邏輯區域。

6.根據權利要求1的制造半導體器件的方法，其中，通過執行選擇性蝕刻所述偏移間隔體膜，在截面圖中，所述襯底的在所述第一區域中的一部分的上表面被定位為高于所述襯底的在所述第二區域中的一部分的上表面。

7.根據權利要求6的制造半導體器件的方法，

其中，所述襯底的在所述第一區域中的一部分的上表面位于所述第一側壁下方，

其中，所述襯底的在所述第二區域中的一部分的上表面位于所述第二側壁下方。

8.根據權利要求2的制造半導體器件的方法，

其中，執行用于形成所述第一輕摻雜漏極區域和所述第二輕摻雜漏極區域的、在所述襯底中的注入離子，從而在截面視圖中，所述第一輕摻雜漏極區域的底表面被定位為高于所述第二輕摻雜漏極區域的底表面。

9.根據權利要求1的制造半導體器件的方法，

其中，執行所述第一側壁和所述第二側壁的形成，從而所述第二側壁與所述襯底的在所述第二區域中的一部分的上表面接觸。