[發明專利]一種砷化鎵多晶合成裝置在審
| 申請號： | 201810825693.6 | 申請日： | 2018-07-25 |
| 公開（公告）號： | CN108570708A | 公開（公告）日： | 2018-09-25 |
| 發明（設計）人： | 肖亞東;劉國軍;談笑天 | 申請（專利權）人： | 漢能新材料科技有限公司 |
| 主分類號： | C30B28/06 | 分類號： | C30B28/06;C30B29/42 |
| 代理公司： | 北京華夏泰和知識產權代理有限公司 11662 | 代理人： | 孟德棟 |
| 地址： | 101407 北京*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 承裝容器 上腔 多晶合成裝置 加熱裝置 多晶料 加熱腔 砷化鎵 開口 合成 垂直布里奇曼法 裝料 單晶生產 投料量 單晶 多晶 豎直 下腔 匹配 成型 | ||
1.一種砷化鎵多晶合成裝置，其特征在于，包括：
具有加熱腔的加熱裝置；
豎直安裝在所述加熱腔內的反應容器，所述反應容器具有相連通的上腔和下腔；
安裝在所述上腔內的承裝容器，所述承裝容器設有向上的開口，且所述開口與所述上腔相連通。
2.根據權利要求1所述的砷化鎵多晶合成裝置，其特征在于，所述反應容器內安裝有容器托，所述容器托設于所述上腔和所述下腔之間，所述容器托的內壁承托所述承裝容器，所述容器托的外壁與所述反應容器的內壁相抵，且所述容器托設有連通所述上腔和所述下腔的連通結構。
3.根據權利要求2所述的砷化鎵多晶合成裝置，其特征在于，所述連通結構包括開設在所述容器托中部的貫通孔和開設在所述容器托內壁上的溝槽，所述貫通孔分別連通所述上腔和所述下腔，所述溝槽連通所述貫通孔和所述上腔。
4.根據權利要求2所述的砷化鎵多晶合成裝置，其特征在于，所述連通結構包括開設在所述容器托外壁上的溝槽，所述溝槽分別連通所述上腔和所述下腔。
5.根據權利要求2-4任一項所述的砷化鎵多晶合成裝置，其特征在于，所述容器托的材質包括石英、氮化硼、莫來石、碳化硅和石墨中的一種。
6.根據權利要求1-4任一項所述的砷化鎵多晶合成裝置，其特征在于，所述加熱腔具有高溫區和低溫區，所述上腔位于所述高溫區內，所述下腔位于所述高溫區內。
7.根據權利要求6所述的砷化鎵多晶合成裝置，其特征在于，所述高溫區和所述低溫區之間設有隔熱層。
8.根據權利要求1-4任一項所述的砷化鎵多晶合成裝置，其特征在于，所述反應容器在所述上腔和所述下腔之間還設有縮頸部，所述縮頸部的徑向尺寸小于所述上腔和所述下腔的徑向尺寸，所述縮頸部分別連通所述上腔和下腔。
9.根據權利要求1-4任一項所述砷化鎵多晶合成裝置，其特征在于，所述加熱裝置的內壁連接有導熱層。
10.根據權利要求9所述砷化鎵多晶合成裝置，其特征在于，所述導熱層的材質包括碳化硅。
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