[發明專利]提高磁性元件磁場利用率的方法及其磁瓦轉子組合結構在審
| 申請號: | 201810825237.1 | 申請日: | 2018-07-25 |
| 公開(公告)號: | CN108988530A | 公開(公告)日: | 2018-12-11 |
| 發明(設計)人: | 劉杰 | 申請(專利權)人: | 中山市特斯拉克磁電科技有限公司;江門市勝思特電器有限公司 |
| 主分類號: | H02K1/27 | 分類號: | H02K1/27 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 510000 廣東省中*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 磁性元件 磁場利用率 磁場應用 磁瓦轉子 組合結構 磁場 磁極 磁場磁力線 磁極取向 橫向充磁 間隔排列 徑向充磁 漏磁 切向 制作 抵消 泄漏 | ||
1.一種提高磁性元件磁場利用率的方法,其特征是:
在排列的若干塊磁性元件一(1)中,相鄰的兩塊磁性元件一(1)之間分別設有磁性元件二(2),使磁性元件一(1)和磁性元件二(2)間隔排列;
所述的磁性元件一(1)采用徑向充磁制作而成,所磁性元件二(2)采用切向或橫向充磁制作而成,使磁性元件一(1)和磁性元件二(2)的磁極取向不同;
在磁性元件一(1)磁場應用一側上,所述磁性元件一(1)與磁性元件二(2)對接一側的磁極相同。
2.根據權利要求1所述的一種提高磁性元件磁場利用率的方法,其特征是:所述的磁性元件一(1)為采用徑向充磁制作成的磁塊或磁瓦,所述磁性元件二(2)為采用切向或橫向充磁制作成的磁塊或磁瓦。
3.根據權利要求1所述的一種提高磁性元件磁場利用率的方法,其特征是:所述的磁性元件一(1)大小相同、均勻排列,對應所述的磁性元件二(2)大小相同,均勻排列。
4.根據權利要求1所述的一種提高磁性元件磁場利用率的方法,其特征是:所述磁性元件一(1)磁場應用一側為磁場形成工作動力的磁場區域。
5.根據權利要求1所述的一種提高磁性元件磁場利用率的方法,其特征是:所述磁性元件二(2)包括左側磁極為N極、右側磁極為S極的磁性元件和左側磁極為S極、右側磁極為N極的磁性元件。
6.根據權利要求1所述的一種提高磁性元件磁場利用率的方法,其特征是:所述磁性元件一(1)包括內側磁極為N極、外側磁極為S極的磁性元件和內側磁極為S極、外側磁極為N極的磁性元件。
7.一種磁瓦轉子組合結構,其特征是:包括有磁性元件一(1)和磁性元件二(2),若干塊磁性元件一(1)環形均勻分布在同一圓周上,在相鄰的兩塊磁性元件一(1)之間分別設有磁性元件二(2),所述的磁性元件一(1)采用徑向充磁制作而成,所磁性元件二(2)采用切向充磁制作而成,使磁性元件一(1)和磁性元件二(2)的磁極取向不同,在磁性元件一(1)磁場應用一側上,所述磁性元件一(1)與磁性元件二(2)對接一側的磁極相同。
8.根據權利要求7所述的一種磁瓦轉子組合結構,其特征是:所述磁性元件一(1)為縱向分布磁向的磁瓦,磁性元件二(2)為橫向分布磁向的磁瓦。
9.根據權利要求7或8所述的一種磁瓦轉子組合結構,其特征是:所述磁性元件一(1)內側磁極與相鄰磁性元件二(2)對接一側的磁極相同。
10.根據權利要求9所述的一種磁瓦轉子組合結構,其特征是:所述磁性元件一(1)內側磁極為N極,外側磁極為S極,相鄰磁性元件二(2)對接一側的磁極為N極;所述磁性元件一(1)內側磁極為S極,外側磁極為N極,相鄰磁性元件二(2)對接一側的磁極為S極。
11.根據權利要求7或8所述的一種磁瓦轉子組合結構,其特征是:所述磁性元件一(1)外側磁極與相鄰磁性元件二(2)對接一側的磁極相同。
12.根據權利要求11所述的一種磁瓦轉子組合結構,其特征是:所述磁性元件一(1)外側磁極為N極,內側磁極為S極,相鄰導磁元件(2)對接一側的磁極為N極;所述磁性元件一(1)外側磁極為S極,內側磁極為N極,相鄰磁性元件二(2)對接一側的磁極為S極。
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