[發明專利]一種含硅組件的制造方法

有效

• 申請號: 201810825233.3
• 申請日: 2018-07-25
• 公開（公告）號: CN108950513B
• 公開（公告）日: 2021-02-05
• 發明（設計）人: 紀幸辰
• 申請（專利權）人: 深圳市硅光半導體科技有限公司
• 主分類號: C23C16/02
• 分類號: C23C16/02;C23C16/04;C23C16/32;C23C16/34;C23C16/40
• 代理公司: 深圳市深聯知識產權代理事務所(普通合伙) 44357
• 代理人: 楊靜

1.一種含硅組件的制造方法，其特征在于，包括：

步驟S1，選取含硅組件薄膜；

步驟S2，在所述的含硅組件薄膜上沉積蝕刻掩膜；

步驟S3，光刻；

步驟S4，通入含氟混合氣體，電離形成離子層，進行離子蝕刻，其中，所述的含氟混合氣體中混有O₂及N₂，所述的O₂及N₂的物質的量占含氟混合氣體總物質的量20％以上，

其中，步驟S4中通入CHF₃、N₂、O₂混合氣體，電離所述的混合氣體形成離子束，所述的CHF₃、N₂、O₂物質的量為：45～55:5～10:20～25。

2.如權利要求1的含硅組件的制造方法，其特征在于，在步驟S1及S2間還具有步驟S11，對所述的含硅組件薄膜進行化學機械平坦化，所述的含氟混合氣體包括CHF₃或CF₄中的一種或兩種。

3.如權利要求1的含硅組件的制造方法，其特征在于，所述的步驟S3中：光刻采用多次，其中，設置單次光強使其達不到閾值，多道光刻累積達到閾值。

4.如權利要求1的含硅組件的制造方法，其特征在于，所述的含硅組件薄膜以硅為襯底，在氧化硅膜上通過低壓化學氣相沉積制得。

5.如權利要求1的含硅組件的制造方法，其特征在于，步驟S1之前進一步包括：步驟a，清潔以及調適腔體；步驟b，裝載晶片。

6.如權利要求1的含硅組件的制造方法，其特征在于，步驟S4之后進一步包括：停止通入所述的含氟混合氣體，通入非反應氣體去除混合氣體后，等待反應腔至常壓，取出晶片進行包層切片。

7.如權利要求2的含硅組件的制造方法，其特征在于，重復進行步驟S1步驟、步驟S11、步驟S2、步驟S3、步驟S4。

8.如權利要求1的含硅組件的制造方法，其特征在于，所述的含硅組件為氮化硅、碳化硅。