[發明專利]一種半導體器件及其制備方法和包含其的電子裝置

在審

• 申請號: 201810822268.1
• 申請日: 2018-07-25
• 公開（公告）號: CN109052309A
• 公開（公告）日: 2018-12-21
• 發明（設計）人: 吳冬冬
• 申請（專利權）人: 七色堇電子科技（上海）有限公司
• 主分類號: B81B7/02
• 分類號: B81B7/02;B81C1/00
• 代理公司: 上海知義律師事務所 31304
• 代理人: 楊楠

1.一種半導體器件，制備在襯底上，包括：振膜結構、背極板結構和背腔，其特征在于：所述振膜結構包含：中間振膜和外圍振膜，以及由所述中間振膜和所述外圍振膜組成的細縫；所述中間振膜由若干離散錨點固定在所述襯底上，所述外圍振膜由一薄膜圈固定在所述襯底上。

2.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于：所述振膜為圓柱形，所述離散錨點為圓柱體、圓臺狀體、馬蹄形柱體和U形柱體中的任意一種。

3.如權利要求2所述的半導體器件，其特征在于：所述離散錨點對稱設置在所述中間振膜和襯底之間上，數量為4個、6個、8個、10個或20個。

4.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于：所述中間振膜為類圓形，且所述類圓形四周設有若干延伸部，所述中間振膜通過所述延伸部固定在所述襯底上。

5.如權利要求4所述的半導體器件，其特征在于：所述延伸部的橫截面為半圓形、半橢圓形形或馬蹄形，數量為4個、6個、8個、10個或20個。

6.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于：所述細縫的形狀與所述中間振膜的外輪廓相匹配。

7.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述細縫的寬度不大于所述振膜厚度的1/2。

8.一種電子裝置，包括如權利要求1至7任一項所述的半導體器件。

9.一種半導體器件的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

準備一襯底；

在所述襯底正面形成中間振膜和外圍振膜，固定中間振膜的離散錨點和固定外圍振膜的一薄膜圈；

在所述振膜上形成背極板和聲孔；

在所述背極板和所述振膜之間形成間隙，在所述中間振膜和所述外圍振膜之間形成細縫，以及在所述襯底背面形成背腔，器件制備完成。

10.如權利要求9所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述在襯底正面形成錨點和振膜的步驟，具體包括：

在所述襯底的正面形成第一絕緣層，對所述第一絕緣層進行圖形化形成一第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽和第二凹槽暴露出部分所述襯底；

在所述第一絕緣層上形成振膜材料層，所述振膜材料層填充所述第一凹槽和第二凹槽，并覆蓋所述第一絕緣層；

對所述振膜材料層進行圖形化，暴露出所述第一絕緣層的邊緣，形成所述中間振膜和外圍振膜，固定所述中間振膜的離散錨點和固定所述外圍振膜的一薄膜圈。