[發明專利]一種影像傳感器制備方法、影像傳感器和電子設備在審
| 申請號: | 201810822086.4 | 申請日: | 2018-07-24 |
| 公開(公告)號: | CN109037254A | 公開(公告)日: | 2018-12-18 |
| 發明(設計)人: | 姚波 | 申請(專利權)人: | 南通通富微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 袁江龍 |
| 地址: | 226000 江蘇省南通市蘇通科技產*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 影像傳感器芯片 色阻 微透鏡陣列 影像傳感器 透明基板 光電感應區 電子設備 制備 陣列制作工藝 正面設置 微透鏡 申請 背面 | ||
1.一種影像傳感器制備方法,其特征在于,所述制備方法包括:
提供透明基板和影像傳感器芯片;其中,所述影像傳感器芯片包括正面和背面,所述影像傳感器芯片的正面設置有光電感應區;
形成色阻陣列和微透鏡陣列;所述色阻陣列和所述微透鏡陣列中的一個位于所述光電感應區,另一個位于所述透明基板的第一側;
將所述透明基板與所述影像傳感器芯片固定,其中,所述透明基板的所述第一側與所述影像傳感器芯片的所述正面相對,所述色阻陣列中的色阻與所述微透鏡陣列中的微透鏡對應。
2.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述色阻陣列位于所述透明基板的所述第一側;所述形成色阻陣列包括:
在所述透明基板的所述第一側平面形成包含紅色色阻、綠色色阻和藍色色阻的所述色阻陣列;或者,
在所述透明基板的所述第一側形成第一凹槽;在所述第一凹槽內形成包含紅色色阻、綠色色阻和藍色色阻的所述色阻陣列,其中,所述色阻陣列的高度小于等于所述第一凹槽的深度;或者,
在所述透明基板的所述第一側形成第二凹槽陣列;分別在所述第二凹槽陣列的各個凹槽內填充紅色色阻、綠色色阻和藍色色阻,以形成所述色阻陣列,其中,所述色阻陣列的高度小于等于所述第二凹槽陣列的深度。
3.根據權利要求2所述的制備方法,其特征在于,所述微透鏡陣列位于所述光電感應區,所述形成微透鏡陣列包括:
在所述光電感應區平面形成所述微透鏡陣列;或者,
在所述光電感應區形成第三凹槽,在所述第三凹槽內形成所述微透鏡陣列,其中,所述微透鏡陣列的高度小于等于所述第三凹槽的深度;或者,
在所述光電感應區形成第四凹槽陣列,在所述第四凹槽陣列的各個凹槽內形成微透鏡,以形成所述微透鏡陣列,其中,所述微透鏡陣列的高度小于等于所述第四凹槽陣列的深度。
4.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述色阻陣列位于所述影像傳感器芯片的所述光電感應區;所述形成色阻陣列包括:
在所述影像傳感器芯片的所述光電感應區平面形成包含紅色色阻、綠色色阻和藍色色阻的所述色阻陣列;或者,
在所述影像傳感器芯片的所述光電感應區形成第五凹槽;在所述第五凹槽內形成包含紅色色阻、綠色色阻和藍色色阻的所述色阻陣列,其中,所述色阻陣列的高度小于等于所述第五凹槽的深度;或者,
在所述影像傳感器芯片的所述光電感應區形成第六凹槽陣列;分別在所述第六凹槽陣列的各個凹槽內填充紅色色阻、綠色色阻和藍色色阻,以形成所述色阻陣列,其中,所述色阻陣列的高度小于等于所述第六凹槽陣列的深度。
5.根據權利要求4所述的方法,其特征在于,所述微透鏡陣列位于所述透明基板的所述第一側,所述形成微透鏡陣列包括:
在所述透鏡基板的所述第一側平面形成所述微透鏡陣列;或者,
在所述透明基板的所述第一側形成第七凹槽,在所述第七凹槽內形成所述微透鏡陣列,其中,所述微透鏡陣列的高度小于等于所述第七凹槽的深度;或者,
在所述透明基板的所述第一側形成第八凹槽陣列,在所述第八凹槽陣列的各個凹槽內形成微透鏡,以形成所述微透鏡陣列,其中,所述微透鏡陣列的高度小于等于所述第八凹槽陣列的深度。
6.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述將所述透明基板與所述影像傳感器芯片固定,包括:
在所述透明基板的所述第一側表面的邊緣形成第一支撐件,和/或,在所述影像傳感器芯片的正面的邊緣形成第二支撐件,以使得所述透明基板的所述第一側表面面向所述影像傳感器芯片時,所述色阻陣列與所述微透鏡陣列間隔開;
將所述透明基板與所述影像傳感器芯片通過所述第一支撐件和/或所述第二支撐件鍵合固定。
7.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述透明基板的所述第一側與所述影像傳感器芯片的所述正面相對,所述色阻陣列與所述微透鏡陣列間隔開,且所述透明基板的所述第一側邊緣抵頂所述影像傳感器芯片的所述正面邊緣,所述將所述透明基板與所述影像傳感器芯片固定,包括:
將所述透明基板的所述第一側邊緣表面與所述影像傳感器芯片的所述正面邊緣表面鍵合固定。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





