[發明專利]GOA電路及顯示裝置

在審

• 申請號: 201810822002.7
• 申請日: 2018-07-24
• 公開（公告）號: CN109036303A
• 公開（公告）日: 2018-12-18
• 發明（設計）人: 張鑫;肖軍城;管延慶;田超
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: G09G3/36
• 分類號: G09G3/36
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

本發明公開一種GOA電路及顯示裝置，所述GOA電路中的一第n級子電路包括︰一控制模塊，電性連接一正掃控端、一負掃控端、一第(n?2)級掃描端、一第(n+2)級掃描端、一第(n+1)級時鐘端、一第(n?1)級時鐘端、一高位端及一低位端；一輸出模塊，電性連接所述高位端、所述低位端、一第n級時鐘端、一第n級掃描端及一可控端；一上拉補充模塊，包括一補充開關管，所述補充開關管電性連接所述高位端、所述控制模塊及所述輸出模塊；及一漏路開關管，電性連接所述控制模塊、所述輸出模塊、所述補充開關管及所述低位端。

技術領域

本發明涉及顯示領域，特別是有涉及一種可用于液晶顯示技術的GOA電路及顯示裝置。

背景技術

目前，液晶顯示裝置(Liquid Crystal Display)已廣泛應用于各種電子產品，在液晶顯示裝置中的一個重要組成部分是GOA(Gate Driver on Array)電路，GOA電路主要利用薄膜晶體管(TFT)液晶顯示器的Array制程，將柵極(Gate)行掃描驅動信號電路制作于在Array基板上，以實現對像素晶體管的柵極逐行掃描的驅動方式。

在顯示面板技術中，基于低溫多晶硅(LTPS)的技術根據面板內采用的薄膜晶體管類型，可區分為NMOS型、PMOS型以及含有NMOS和PMOS的CMOS型。類似地，GOA電路也可區分為NMOS電路、PMOS電路及CMOS電路。其中，由于NMOS電路與CMOS電路相較可省去P摻雜的光罩及工序，對于提高良率及降低成本皆有助益，所以開發穩定的NMOS電路具有產業需求性。

但是，由于NMOS型TFT的載流子為電子，電子的遷移率較高于空穴，因此，NMOS元件比PMOS元件(載流子為空穴)容易損傷，表現在面板上就是產品的高溫信賴度不足，容易出現GOA電路失效，使面板出現分屏現象，尤其是In-cell Touch Panel(ITP)，在TP暫停級更容易出現分屏現象，這是因為TFT并非理想開關器件，即使在關態(OFF)情況下，依然會存在一定的漏電流，如TP暫停級需要維持高電位的時間較長，將會降低GOA的級傳穩定性。以往雖有GOA電路阻絕電泄途徑而試圖解決上述問題，但仍有待改善。

有鑒于此，有必要提供一種新的GOA電路及顯示裝置，以解決現有技術所存在的問題。

發明內容

本發明的一目的在于提供一種GOA電路，可避免晶體管的漏電流造成GOA電路失效，以提高級傳穩定性。

本發明的另一目的在于提供一種顯示裝置，可提高GOA電路的級傳穩定性，以提高產品信賴度。

為了達成本發明的前述目的，本發明的一方面提供一種GOA電路，包括級聯的多級子電路，在所述多級子電路中的一第n級子電路可包括︰一控制模塊，電性連接一正掃控端、一負掃控端、一第(n-2)級掃描端、一第(n+2)級掃描端、一第(n+1)級時鐘端、一第(n-1)級時鐘端、一高位端及一低位端；一輸出模塊，電性連接所述高位端、所述低位端、一第n級時鐘端、一第n級掃描端及一可控端；一上拉補充模塊，包括一補充開關管，所述補充開關管電性連接所述高位端、所述控制模塊及所述輸出模塊；及一漏路開關管，電性連接所述控制模塊、所述輸出模塊、所述補充開關管及所述低位端。

在本發明的一實施例中，所述補充開關管的一控制端電性連接所述補充開關管的一第二端、所述控制模塊、所述輸出模塊及所述漏路開關管，所述補充開關管的一第一端電性連接所述高位端。

在本發明的一實施例中，所述漏路開關管的一控制端電性連接所述控制模塊及所述輸出模塊，所述漏路開關管的一第一端電性連接所述補充開關管的控制端及所述補充開關管的第二端，所述漏路開關管的一第二端電性連接所述低位端。