[發(fā)明專利]量子點及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810821456.2 | 申請日: | 2018-07-24 |
| 公開(公告)號: | CN110746974A | 公開(公告)日: | 2020-02-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 聶志文;楊一行 | 申請(專利權(quán))人: | TCL集團股份有限公司 |
| 主分類號: | C09K11/88 | 分類號: | C09K11/88;C09K11/02;B82Y20/00;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 44237 深圳中一專利商標(biāo)事務(wù)所 | 代理人: | 官建紅 |
| 地址: | 516006 廣東省*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 量子點 制備 納米團簇 殼層 前驅(qū)體 制備方法和應(yīng)用 化學(xué)結(jié)合能 量子點材料 發(fā)光效率 粒徑均一 核表面 成殼 熟化 分解 生長 | ||
1.一種量子點的制備方法,其特征在于,至少包括以下步驟:
利用ZnP納米團簇和第一InP核制備第二InP核;
以所述第二InP核為核,加入殼層前驅(qū)體,使殼層前驅(qū)體在所述第二InP核表面生長成殼層,獲得以所述第二InP核為核的量子點。
2.如權(quán)利要求1所述的量子點的制備方法,其特征在于,所述第一InP核中含有摻雜離子。
3.如權(quán)利要求2所述的量子點的制備方法,其特征在于,所述摻雜離子為IA族金屬離子、有效半徑小于Zn離子的IIA族金屬離子、有效半徑小于Zn離子的IIIA族金屬離子中的至少一種。
4.如權(quán)利要求2所述的量子點的制備方法,其特征在于,按照摩爾比,所述摻雜離子與所述第一InP核的摩爾比為(0.001~10):1。
5.如權(quán)利要求1所述的量子點的制備方法,其特征在于,所述殼層前驅(qū)體包括陰離子前驅(qū)體和陽離子前驅(qū)體;所述陰離子前驅(qū)體為硫前驅(qū)體、硒前驅(qū)體、磷前軀體中的至少一種;所述陽離子前驅(qū)體為鎵前驅(qū)體、鋅前驅(qū)體中的至少一種。
6.如權(quán)利要求5所述的量子點的制備方法,其特征在于,所述硫前驅(qū)體為硫化三辛基膦、硫化三丁基、硫十八烯、1-辛醇、十二硫醇、硫化氫中的至少一種;
和/或所述硒前驅(qū)物為硒化三辛基膦、硒化三丁基膦和硒十八烯中的至少一種;
和/或所述磷前驅(qū)體為三(三甲基硅基)膦、三(三乙基硅基)膦、三(二甲氨基)膦、中的至少一種;
和/或所述鎵前驅(qū)體為氯化鎵、溴化鎵、碘化鎵、乙酰丙酮鎵和油酸鎵中的至少一種;
和/或所述鋅前驅(qū)體為氯化鋅、溴化鋅、碘化鋅、醋酸鋅、硬脂酸鋅、十酸鋅、十一烯酸鋅和油酸鋅中的至少一種。
7.如權(quán)利要求1所述的量子點的制備方法,其特征在于,所述第一InP核的制備過程,包括:
將In前驅(qū)體、第一配體、第一非配體溶劑進行混合,獲得第一混合液;
將第一P前驅(qū)體、第二配位溶劑、第二非配位溶劑進行混合,獲得第一P前驅(qū)體反應(yīng)液;
將所述第一P前驅(qū)體反應(yīng)液注入到所述第一混合液中,保持反應(yīng)溫度在150~350℃,獲得第一InP核。
8.如權(quán)利要求7所述的量子點的制備方法,其特征在于,所述第一混合液的制備過程中,還包括向其中加入摻雜劑。
9.如權(quán)利要求8所述的量子點的制備方法,其特征在于,所述摻雜劑為油酸鹽、硬脂酸鹽、異丙醇鹽、棕櫚酸鹽、肉豆蔻酸鹽、鹵化物、辛酸鹽、硝酸鹽、高氯酸鹽、硫酸鹽、乙酰丙酮鹽中的至少一種;所述油酸鹽、硬脂酸鹽、異丙醇鹽、棕櫚酸鹽、肉豆蔻酸鹽、鹵化物、辛酸鹽、硝酸鹽、高氯酸鹽、硫酸鹽、乙酰丙酮鹽中的陽離子為IA族、IIA族、IIIA族中的金屬離子,且所述金屬離子的有效半徑小于Zn離子的有效半徑。
10.如權(quán)利要求7所述的量子點的制備方法,其特征在于,所述In前驅(qū)體為氯化銦、碘化銦、溴化銦、乙酰丙酮銦、醋酸銦中的至少一種;
和/或所述第一配體為十六烷酸、硬脂酸、肉豆蔻酸、棕櫚酸、油酸、三辛基氧膦中的至少一種;
和/或所述第一非配體溶劑為C6~C40脂肪族烴、C6~C40芳香族烴中的至少一種;
和/或所述第一P前驅(qū)體為三(三甲基硅基)膦、三(三乙基硅基)膦、三(二甲氨基)膦、P4、PH3中的至少一種;
和/或所述第二配位溶劑為三辛基膦、三丁基膦、三苯基膦、三辛基胺中的至少一種;
和/或所述第二非配位溶劑為C6~C40脂肪族烴中的至少一種;
和/或所述In前驅(qū)體中In與第一P前驅(qū)體中P的摩爾比為(0.3~20):1。
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