[發(fā)明專利]可拉伸膜、其制備方法及包含它的顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810821314.6 | 申請日: | 2018-07-24 |
| 公開(公告)號: | CN109037237B | 公開(公告)日: | 2021-01-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王品凡;王和金 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;G09F9/30 |
| 代理公司: | 北京律智知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11438 | 代理人: | 李華;崔香丹 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 拉伸 制備 方法 包含 顯示裝置 | ||
1.一種可拉伸膜,其特征在于,由至少兩層組成,其中每一層均包括軟區(qū)和多個(gè)硬區(qū),所述多個(gè)硬區(qū)分散于所述軟區(qū)中;各層中任一層中的所述硬區(qū)與其它層中的所述硬區(qū)不完全重疊,相鄰層中重疊的硬區(qū)彼此分離;相鄰層中的軟區(qū)部分重疊,且重疊部分粘附在一起;相鄰層中硬區(qū)與軟區(qū)重疊的部分彼此分離;所述軟區(qū)的彈性模量小于所述硬區(qū)的彈性模量;
其中,所述軟區(qū)由可通過紫外光交聯(lián)固化的聚合物形成,所述硬區(qū)由形成所述軟區(qū)的聚合物通過紫外光交聯(lián)固化形成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可拉伸膜,其特征在于,所述可拉伸膜中包括所有層的所述軟區(qū)都重疊的部分,所述都重疊的部分的最大寬度不超過300μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可拉伸膜,其特征在于,所述可拉伸膜中不包括所有層的所述軟區(qū)都重疊的部分。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可拉伸膜,其特征在于,所述可拉伸膜中相鄰兩層的所述軟區(qū)的重疊部分的面積不少于所述可拉伸膜總面積的10%。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可拉伸膜,其特征在于,所述多個(gè)硬區(qū)中的每個(gè)硬區(qū)的尺寸10-1000μm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可拉伸膜,其特征在于,每個(gè)硬區(qū)具有多邊形、圓形、橢圓圖案中的至少一種圖案。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可拉伸膜,其特征在于,所述硬區(qū)硬度大于1Gpa,所述軟區(qū)硬度為0.01-1Gpa,且所述硬區(qū)變形量小于所述軟區(qū)變形量的10%。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可拉伸膜,其特征在于,所述可拉伸膜由2-4層組成。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可拉伸膜,其特征在于,所述可拉伸膜的厚度為6~120μm。
10.一種顯示裝置,其特征在于,包括權(quán)利要求1-9任一所述的可拉伸膜。
11.一種可拉伸膜的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:
S1,用含可通過紫外光交聯(lián)固化的聚合物的分散體系形成涂層;
S2,按預(yù)定圖案對預(yù)定區(qū)域施加紫外光照射,其中施加紫外光照射的區(qū)域形成多個(gè)硬區(qū);
S3,對經(jīng)過紫外光照射處理的所述涂層進(jìn)行加熱處理,除去溶劑,未被紫外光照射的區(qū)域形成軟區(qū);
依次重復(fù)S1、S2和S3步驟至少一次,其中所述多個(gè)硬區(qū)分散于所述軟區(qū)中;各層中任一層中的所述硬區(qū)與其它層中的所述硬區(qū)不完全重疊,相鄰層中重疊的硬區(qū)彼此分離;相鄰層中的軟區(qū)部分重疊,且重疊部分粘附在一起;相鄰層中硬區(qū)與軟區(qū)重疊的部分彼此分離。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制備方法,其特征在于,所述可通過紫外線交聯(lián)固化的聚合物是聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯中的一種或多種。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制備方法,其特征在于,所述預(yù)定圖案是多邊形、圓形、橢圓圖案中的至少一種圖案。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





