[發(fā)明專利]一種像素結(jié)構(gòu)及其制作方法、陣列基板及TN型顯示面板

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810821202.0
• 申請(qǐng)日: 2018-07-24
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108922896A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-11-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳志杰;李林;林建偉;莊崇營(yíng)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 信利半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12;H01L21/84
• 代理公司: 廣州粵高專利商標(biāo)代理有限公司 44102
• 代理人: 鄧義華;廖苑濱

本發(fā)明提供了一種像素結(jié)構(gòu)及其制作方法、陣列基板及TN型顯示面板，該像素結(jié)構(gòu)包括：基板；柵極層和公共電極層，形成于所述基板上；第一絕緣層，形成于所述柵極層、基板和公共電極層上；有源層，形成于所述第一絕緣層上且對(duì)應(yīng)柵極層設(shè)置；源極層和漏極層，形成于所述有源層上；第二絕緣層，形成于所述源極層、漏極層、第一絕緣層上；透明電極層，形成于所述第一絕緣層上且與所述公共電極層電性連接；第三絕緣層，形成于所述第二絕緣層和透明電極層上；透明像素電極層，形成于所述第三絕緣層上并與所述漏極層電性連接，且與所述透明電極層位置重疊形成存儲(chǔ)電容。本發(fā)明可以在保證像素結(jié)構(gòu)開(kāi)孔率的前提下有效增大存儲(chǔ)電容。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及了顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及了一種像素結(jié)構(gòu)及其制作方法、陣列基板及TN型顯示面板。

背景技術(shù)

隨著TFT-LCD行業(yè)的不斷發(fā)展，用戶對(duì)顯示面板的要求也越來(lái)越高，現(xiàn)有的顯示面板一般包括TN型顯示面板、IPS型顯示面板等，在TN型顯示面板的像素結(jié)構(gòu)中，一般都是通過(guò)在同基板上形成重疊布置的像素電極層和公共電極層，從而形成存儲(chǔ)電容，由于現(xiàn)有像素結(jié)構(gòu)中像素電極層和公共電極層交疊位置不透光，從而為了保證開(kāi)口率，如圖1所示，現(xiàn)有的像素結(jié)構(gòu)中公共電極層200’環(huán)繞像素電極層100’三面設(shè)置，像素的存儲(chǔ)電容大小受到限制。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是能夠有效保證TN型顯示面板中像素結(jié)構(gòu)的開(kāi)口率同時(shí)有效增大存儲(chǔ)電容。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種像素結(jié)構(gòu)，應(yīng)用于TN型顯示面板中，其特征在于，包括：

基板；

柵極層和公共電極層，形成于所述基板上；

第一絕緣層，形成于所述柵極層、基板和公共電極層上；

有源層，形成于所述第一絕緣層上且對(duì)應(yīng)柵極層設(shè)置；

源極層和漏極層，形成于所述有源層上；

第二絕緣層，形成于所述源極層、漏極層、第一絕緣層上；

透明電極層，形成于所述第二絕緣層上且與所述公共電極層電性連接；

第三絕緣層，形成于所述第二絕緣層和透明電極層上；

透明像素電極層，形成于所述第三絕緣層上并與所述漏極層電性連接，且與所述透明電極層位置重疊形成存儲(chǔ)電容。

作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方案，所述透明電極層和透明像素電極層的材料為ITO、AZO或IGZO。

作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方案，所述透明電極層通過(guò)穿透第一絕緣層和第二絕緣層的雙層過(guò)孔與所述公共電極層電性連接。

作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方案，所述透明像素電極層通過(guò)穿透第二絕緣層和第三絕緣層的雙層過(guò)孔與所述漏極層電性連接。

作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方案，還包括與所述柵極層電性連接的柵極線和與所述源極層電性連接的數(shù)據(jù)線。

進(jìn)一步地，提供一種陣列基板，包括以上任一項(xiàng)所述的像素結(jié)構(gòu)。

進(jìn)一步地，提供一種TN型顯示面板，包括以上所述的陣列基板。

進(jìn)一步地，提供一種像素結(jié)構(gòu)的制作方法，包括以下步驟：

步驟1：提供一基板；

步驟2：在所述基板上沉積第一金屬薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成柵極層和公共電極層；

步驟3：在形成柵極層和公共電極層的基板上沉積第一絕緣層；

步驟4：在第一絕緣層上形成有源層；

步驟5：在完成上述步驟的基板上沉積第二金屬薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成源極層和漏極層；