[發明專利]光刻機晶圓載臺

在審

• 申請號: 201810818913.2
• 申請日: 2018-07-24
• 公開（公告）號: CN110750033A
• 公開（公告）日: 2020-02-04
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 31294 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙)
• 代理人: 孫佳胤

本發明涉及半導體集成電路制造領域，具體涉及光刻機晶圓載臺，包括基板載板，所述基板載板置于能抽真空的腔室中；若干個支柱，若干個所述支柱依次設于所述基板載板上，任意相鄰的兩個所述支柱形成有一個吸附間隙；若干個所述支柱的上表面位于同一平面上；所述吸附間隙在所述腔室抽真空過程中能將所述晶圓吸附并定位于所述支柱的上表面；所述支柱的上表面在中心位置設有顆粒容納槽；所述顆粒容納槽的槽深小于所述支柱的高度。其能有效解決在光刻曝光過程中在晶圓表面或者支柱上產生顆粒雜質對晶圓表面光刻曝光的影響。

技術領域

本發明涉及半導體集成電路制造領域，具體涉及一種光刻機晶圓載臺。

背景技術

光刻(photo etching or lithography)是通過一系列生產步驟，將晶圓表面薄膜的特定部分除去的工藝。在此之后，晶圓表面會留下帶有微圖形結構的薄膜。通過光刻工藝過程，最終在晶圓上保留的是特征圖形部分。其基本原理是：利用光致抗蝕劑(或稱光刻膠)曝光后因光化學反應而形成耐蝕性的特點，將掩模板上的圖形刻制到被加工的晶片(wafer)表面上。

在曝光過程中，由于曝光系統一次曝光的面積大小是有限的，因此在曝光時需要將一個晶圓劃分為多個曝光單元(shot)分別進行曝光成像。由于光的直線傳播原理，一旦晶圓表面出現顆粒，顆粒會導致圖案散焦或者疊對錯誤。

為了避免因晶圓表面顆粒導致曝光過程導致的圖案散焦或疊對錯誤，現有技術如中國專利CN203967038U公開的一種晶圓背面清洗裝置，通過對吸附裝置的結構設計，在進行晶圓背面清洗時，可將晶圓背面的污染顆粒牢固的吸附于吸附管上，并可多次反復進行確保晶圓背面不同尺寸的污染顆粒被吸附。又如中國專利CN107831638A一種檢測掩膜版與掩膜臺接觸面污染的方法，包括：S1：提供掩膜版和晶圓，所述掩膜版安放在光刻機的掩膜臺上與所述晶圓對準；S2：收集掩膜版的對準補償參數的參考值；S3：多次重復步驟S1和S2，從而收集到多個對準補償參數的參考值，根據收集到的多個對準補償參數的參考值設置對準補償參數的上限值和下限值；S4：重復步驟S1，收集此次對準的對準補償參數值，如果所述對準補償參數值超出其上限值或下限值，則光刻機停止工作并清洗掩膜臺或者掩膜版；如果所述對準補償參數在其上限值與下限值之間，則光刻機繼續進行工作。但其主要目的是可以實時監控掩膜版和掩膜臺接觸面的情況。

但上述技術方案均不能在線檢測或處理曝光過程中對晶圓的污染，以及由于晶圓的污染造成曝光圖案錯誤。

現有技術曝光過程中，產生的雜質主要集中在一是支柱3的上表面；二是晶圓1的下表面。如圖2-6所示，不論是支柱3上表面還是晶圓1的下表面，雜質的存在會使得晶圓1上表面呈曲線。而為了清洗這些雜質，主要采用研磨石打磨，但其極易損傷支柱3，降低支柱3的力學性能。

發明內容

本申請提供光刻機晶圓載臺，其能有效解決在光刻曝光過程中在晶圓表面或者支柱上產生顆粒雜質對晶圓表面光刻曝光的影響。

為實現上述技術目的，本發明采取的技術方案為，一種光刻機晶圓載臺，包括：基板載板，所述基板載板置于能抽真空的腔室中，用以在光刻過程中承載晶圓；

所述基板載板的上表面凸設有若干個支柱，任意相鄰的兩個所述支柱之間形成有一個吸附間隙；所述支柱的頂面位于同一平面上；所述吸附間隙在所述腔室抽真空過程中能將晶圓吸附并定位于所述支柱的頂面；所述支柱的頂面在中心位置設有顆粒容納槽；所述顆粒容納槽的槽深小于等于所述支柱相對于所述吸附間隙的底部的凸起高度。

作為本發明改進的技術方案，所述顆粒容納槽的底部尺寸小于所述吸附間隙的尺寸。

作為本發明改進的技術方案，所述顆粒容納槽的底部尺寸介于所述顆粒容納槽的槽口尺寸的1/2-2/3。

作為本發明改進的技術方案，所述顆粒容納槽呈倒圓錐形凹穴結構，所述顆粒容納槽的槽壁與所述顆粒容納槽的底部的空隙夾角介于100度-130度。