[發明專利]一種射頻低噪聲放大器

有效

• 申請號: 201810813725.0
• 申請日: 2018-07-23
• 公開（公告）號: CN108574466B
• 公開（公告）日: 2023-10-20
• 發明（設計）人: 張華碩
• 申請（專利權）人: 上海艾為電子技術股份有限公司
• 主分類號: H03F3/24
• 分類號: H03F3/24
• 代理公司: 北京合智同創知識產權代理有限公司 11545
• 代理人: 李杰

本發明提供了一種射頻低噪聲放大器，包括晶體管，晶體管包括襯底、位于襯底上的柵極走線、柵極、源極、漏極和隔離層；柵極通過柵極走線與射頻信號輸入端電連接；隔離層位于襯底和柵極走線之間，且隔離層與源極電連接。由于隔離層位于襯底和柵極走線之間，因此，隔離層可以隔離襯底的噪聲，避免柵極走線將襯底的噪聲引入柵極；并且，由于隔離層與源極電連接，因此，隔離層與柵極走線之間的寄生電容并不會影響射頻低噪聲放大器的輸入阻抗匹配和增益。

技術領域

本發明涉及低噪聲放大器技術領域，更具體地說，涉及一種射頻低噪聲放大器。

背景技術

射頻低噪聲放大器，是一種噪聲系數很低的放大器。一般用作各類無線電接收機的高頻或中頻前置放大器，以及高靈敏度電子探測設備的放大電路。在放大微弱信號的場合，放大器自身的噪聲對信號的干擾可能很嚴重，因此希望減小這種噪聲，以提高輸出的信噪比。現有的一種射頻低噪聲放大器如圖1所示，包括場效應晶體管，該晶體管包括襯底、位于襯底上的柵極G、源極S和漏極D，柵極G通過柵極走線與信號輸入端IN連接。由于柵極走線在襯底的正上方，且襯底的寄生電阻R_B會產生噪聲，因此，柵極走線和襯底之間的寄生電容C_GB會將襯底的噪聲引入柵極G，導致射頻低噪聲放大器的噪聲系數較大，影響射頻低噪聲放大器的性能。

發明內容

有鑒于此，本發明提供了一種射頻低噪聲放大器，以解決現有的射頻低噪聲放大器中柵極走線和襯底之間的寄生電容將襯底的噪聲引入柵極，導致射頻低噪聲放大器的噪聲系數較大的問題。

為實現上述目的，本發明提供如下技術方案：

一種射頻低噪聲放大器，包括晶體管，所述晶體管包括襯底、位于所述襯底上的柵極走線、柵極、源極、漏極和隔離層；

所述柵極通過所述柵極走線與射頻信號輸入端電連接；

所述隔離層位于所述襯底和所述柵極走線之間，且所述隔離層與所述源極電連接。

優選地，所述隔離層的材質為金屬。

與現有技術相比，本發明所提供的技術方案具有以下優點：

本發明所提供的射頻低噪聲放大器，包括晶體管，晶體管包括襯底、位于襯底上的柵極走線、柵極、源極、漏極和隔離層；柵極通過柵極走線與射頻信號輸入端電連接；隔離層位于襯底和柵極走線之間，且隔離層與源極電連接。由于隔離層位于襯底和柵極走線之間，因此，隔離層可以隔離襯底的噪聲，避免柵極走線將襯底的噪聲引入柵極；并且，由于隔離層與源極電連接，因此，隔離層與柵極走線之間的寄生電容并不會影響射頻低噪聲放大器的輸入阻抗匹配和增益。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據提供的附圖獲得其他的附圖。

圖1為現有的一種射頻低噪聲放大器的結構示意圖；

圖2為本發明實施例提供的射頻低噪聲放大器的俯視結構示意圖；

圖3為圖2所示的射頻低噪聲放大器沿切割線AA’的剖面結構示意圖；

圖4為圖3所示的射頻低噪聲放大器的另一種剖面結構示意圖。

具體實施方式

正如背景技術所述，現有的射頻低噪聲放大器中，柵極走線和襯底之間的寄生電容會將襯底的噪聲引入柵極，導致射頻低噪聲放大器的噪聲系數較大。發明人研究發現，在柵極走線和襯底之間設置隔離層，并且，將隔離層與地連接，可以避免襯底噪聲被引入柵極，但是，這種方式會引入新的寄生電容，即柵極走線和隔離層之間的電容，新引入的寄生電容會影響射頻低噪聲放大器的輸入阻抗匹配。