[發明專利]用于薄片晶體的二維定向誤差精密測量方法

有效

• 申請號: 201810813573.4
• 申請日: 2018-07-23
• 公開（公告）號: CN108613641B
• 公開（公告）日: 2019-11-12
• 發明（設計）人: 安寧;吳華峰;李朝陽;徐勇
• 申請（專利權）人: 安徽創譜儀器科技有限公司
• 主分類號: G01B15/00
• 分類號: G01B15/00;G01N23/20
• 代理公司: 合肥誠興知識產權代理有限公司 34109
• 代理人: 湯茂盛

1.一種薄片晶體的二維定向誤差精密測量方法，包括以下步驟：

步驟1：將分度轉臺(50)、精密轉臺(60)及二維平移臺(80)歸位為零或初始位，待測晶體樣品(A)固定在吸板(51)上；

步驟2：在控制系統中輸入待測晶體樣品(A)的理論晶面間距、x方向及z方向上的測點間距及測點數量、方位角每次旋轉的角度間隔

步驟3：控制系統根據單色X-射線波長、上述步驟2中輸入的理論晶面間距，得到理論的Bragg角，控制精密轉臺(60)將待測晶體樣品(A)的待測晶體表面與X-射線夾角旋轉至Bragg角，并將探測器(70)與X-射線夾角旋轉至Bragg角的2倍；

步驟4：利用精密轉臺(60)對待測晶體樣品(A)繞z方向的θ角進行掃描，當探測器(70)信號達到最強，通過角度編碼器記錄繞z方向的轉角數值；

步驟5：控制分度轉臺(50)將待測晶體樣品(A)的相位角即繞y方向轉動改變重復步驟4；

步驟6：重復步驟5，直到待測晶體樣品(A)的相位角完成360°旋轉，即完成該位置的測量；

步驟7：根據x方向及z方向上的測點間距及測點數量，控制二維平移臺移動待測晶體樣品(A)至下一個測量位置；

步驟8：重復步驟4～7，直到完成對待測晶體樣品(A)上所有位置的測量；

步驟9：利用以下關系式對每一個測量位置相位角及相應的繞z方向轉角數值進行擬合，即可得到待測晶體樣品(A)定向誤差的二維分布：

上述關系式中，Δθ為θ變化量，表征了樣品臺繞z軸轉動的讀數，是測得的數據；α為定向誤差的大小，表征Δθ為表面法向旋轉軌跡圓在x方向上的投影；Φ為定向誤差的相位，表征在方位角為0時，定向誤差在xOz平面投影與x正方向的夾角；ω為方位角系數，由于Δθ變化周期為2π，因此，當方位角以弧度為單位時，ω＝1，當以角度為單位時，ω＝π/180；θ_B為Bragg角，通過理論計算得出。