[發明專利]氮化物半導體發光元件、紫外線發光組件

有效

• 申請號: 201810813350.8
• 申請日: 2018-07-23
• 公開（公告）號: CN109309151B
• 公開（公告）日: 2021-02-05
• 發明（設計）人: 佐藤恒輔
• 申請（專利權）人: 旭化成株式會社
• 主分類號: H01L33/20
• 分類號: H01L33/20;H01L33/38
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會華

1.一種氮化物半導體發光元件，其中，

該氮化物半導體發光元件包括：

基板；

氮化物半導體層疊體，其包含形成在所述基板上的第一導電型的第一氮化物半導體層、形成在所述第一氮化物半導體層上的氮化物半導體發光層、以及形成在所述氮化物半導體發光層上的第二導電型的第二氮化物半導體層，所述氮化物半導體發光層和所述第二氮化物半導體層形成于所述第一氮化物半導體層上的局部并構成臺面部；

第一電極層，其形成在所述第一氮化物半導體層的除所述局部以外的部分上；以及

第二電極層，其形成在所述第二氮化物半導體層上，

所述臺面部的平面形狀是包含由曲線或多條直線形成的凸狀頂端部和與所述凸狀頂端部相連續的基部的形狀，在由所述多條直線形成的凸狀頂端部的情況下，由相鄰的兩條直線形成鈍角，

所述第一電極層具有俯視時相對于所述臺面部的外形線隔開間隙地沿著所述臺面部的外形線延伸的外形線，

位于所述凸狀頂端部的間隙W1和位于所述基部的間隙W2的關系是W1＞W2。

2.一種氮化物半導體發光元件，其中，

該氮化物半導體發光元件包括：

基板；

氮化物半導體層疊體，其包含形成在所述基板上的第一導電型的第一氮化物半導體層、形成在所述第一氮化物半導體層上的氮化物半導體發光層、以及形成在所述氮化物半導體發光層上的第二導電型的第二氮化物半導體層，所述氮化物半導體發光層和所述第二氮化物半導體層形成于所述第一氮化物半導體層上的局部并構成臺面部；

第一電極層，其形成在所述第一氮化物半導體層的除所述局部以外的部分上；以及

第二電極層，其形成在所述第二氮化物半導體層上，

所述第一電極層的平面形狀是包含由曲線或多條直線形成的凸狀頂端部和與所述凸狀頂端部相連續的基部的形狀，在由所述多條直線形成的凸狀頂端部的情況下，由相鄰的兩條直線形成鈍角，

所述臺面部具有俯視時相對于所述第一電極層的外形線隔開間隙地沿著所述第一電極層的外形線延伸的外形線，

位于所述凸狀頂端部的間隙W3和位于所述基部的間隙W4的關系是W3＞W4。

3.一種氮化物半導體發光元件，其中，

該氮化物半導體發光元件包括：

基板；

氮化物半導體層疊體，其包含形成在所述基板上的第一導電型的第一氮化物半導體層、形成在所述第一氮化物半導體層上的氮化物半導體發光層、以及形成在所述氮化物半導體發光層上的第二導電型的第二氮化物半導體層，所述氮化物半導體發光層和所述第二氮化物半導體層形成于所述第一氮化物半導體層上的局部并構成臺面部；

第一電極層，其形成在所述第一氮化物半導體層的除所述局部以外的部分上；以及

第二電極層，其形成在所述第二氮化物半導體層上，

所述臺面部的平面形狀是包含由曲線或多條直線形成的凸狀頂端部和與所述凸狀頂端部相連續的基部的形狀，在由所述多條直線形成的凸狀頂端部的情況下，由相鄰的兩條直線形成鈍角，

對于所述臺面部的與所述第一電極層相對的側面和相對于所述基板的形成有所述第一氮化物半導體層的面平行的面所成的角度θ，所述角度在所述凸狀頂端部處的大小小于所述角度在所述基部處的大小，其中，角度θ≤90°。

4.根據權利要求1或3所述的氮化物半導體發光元件，其中，

該氮化物半導體發光元件具有絕緣層，該絕緣層將所述臺面部以及所述第二電極層與所述第一電極層絕緣，

對于所述絕緣層中的形成于所述臺面部的與所述第一電極層相對的側面的側面絕緣層的厚度，該側面絕緣層在所述凸狀頂端部處的厚度大于該側面絕緣層在所述基部處的厚度。